Доклад: Подходы и технологии создания компонентной базы на основе полупроводниковых гетероструктур для лазерных дальномеров и ЛИДАРов
Докладчик

ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Соавтор(ы)
Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, Д.А. Веселов
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
среда, 25 июн (начало в 15:50)
Видео запись
Видео доклада ещё не загружено.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 6
15:00 |
Вступительное слово модераторов
15:50 |
Подходы и технологии создания компонентной базы на основе полупроводниковых гетероструктур для лазерных дальномеров и ЛИДАРов