Рассмотрены некоторые аспекты дистанционной системы энергоснабжения низкоорбитальных космических аппаратов с помощью наземных СВЧ-источников. Дано описание работы плазменно-факельноrо преобразователя электромеханической энергии в квазипостоянный ток, приведены оценки энергетических, массовых и габаритных параметров бортовых и наземных систем. Проведено сравнение с альтернативными техническими разработками
В условиях низкой молекулярной проводимости вакуумных камер ряда электрофизических установок и интенсивной десорбции молекул газа с их стенок под действием фотонностимулированной десорбции для достижения динамического давления на уровне 10-9 Торр необходима дополнительная система распределенной откачки. В настоящее время для этого используют нераспыляемые геттерные покрытия, нанесенные на внутреннюю стенку вакуумной камеры. Наилучшими параметрами обладает геттерное покрытие Ti-Zr-V, которое запатентовано в CERN и которое хорошо себя зарекомендовало во многих ускорительных комплексах, например, таких как LHC, BEPC-II, MAX-IV, KEK. Это покрытие может быть активировано при температуре 180 ºС в течение 24 часов и при этом иметь хорошую повторяемость в газопоглощающих характеристиках. В данной статье даны результаты активационных и газопоглощающих свойств для различных геттеров на базе титан-тантала, напыленных на внутреннюю стенку вакуумной камеры круглого сечения диаметром 100 мм и изготовленную из нержавеющей стали марки 316 L. Одновременно приводится сравнение с геттером Ti-Zr-V по этим характеристикам. Определение химического состава покрытия геттера проводилось на станции «РФА-СИ» на ВЭПП-3 в ИЯФ СО РАН на образцах, установленных во время напыления на торце камеры.
В работе сообщается о методике измерения времен релаксации фотопроводимости в полупроводниковом материале в микроволновом поле после лазерного возбуждения при разных температурах измерения. Анализ кривых релаксации фотопроводимости проводили с помощью метода Прони. Метод Прони позволял определить величину времени релаксации фотопроводимости и парциальные амплитуды сигнала релаксации фотопроводимости. В качестве исследуемого материала использовали образцы кремния электронного типа проводимости, подвергшиеся термической обработке, и прошедшие диффузию золота при высоких температурах. Образцы кремния имели слой вольфрама на поверхности. Получены температурные зависимости величины времени релаксации фотопроводимости. Из этих зависимостей получили температурные зависимости сечения захвата носителей заряда на центры рекомбинации и энергии ионизации различных примесей.
Рассмотрены и проанализированы физические процессы, возникающие при транспортировке электронного потока, создаваемого импульсным генератором электроннопучковой плазмы и выводимого в плотную газовую среду посредством системы шлюзов с дифференциальной откачкой и прожигаемыми перегородками. Предложены аналитические критерии, связывающие параметры выводной системы и устанавливающие условия, при которых обеспечивается устойчивая транспортировка пучка и высокий ресурс генератора для случаев с использованием фокусирующего магнитного поля и в его отсутствие.
Получено аналитическое решение параксиального уравнения огибающей электронного пучка (уравнения Ли–Купера), распространяющегося в рассеивающе-тормозящей газовой среде во внешнем магнитном поле. Установлены границы применимости параксиального приближения. Предложен критерий оценки влияния магнитного поля на распространение пучка. Проанализированы частные случаи транспортировки.
В работе рассмотрены вопросы лазерного плазмохимического травления материалов электронной техники на примере разделения пластин алмаза и сапфира на кристаллы. В основе разработанного метода лежит физическое явление – оптический пробой в специально подобранных газовых средах, в которых поджигается плазма и производится плазмохимическое травление материалов подложек (пластин) с образованием летучих продуктов химических реакций и их эвакуацией с помощью вакуумной системы. Работы проводились в диапазоне рабочих давлений 110-3–110-1 Торр. В качестве рабочих сред использовались фторидные системы: (SF6 + O2; CClF3 + O2; F2 и т. д.), чистый кислород (О2) и водород (Н2). Обе системы – фторидная и кислородная «работают» хорошо для алмаза. Водородная система предпочтительна для сапфира.