Доклад: Анализ электронных транспортных свойств модулированно легированных гетероструктур типа HEMT, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs

Автор(ы)
Суханова А.С., Климов Е.А., Косякова А.М., Гладышева К.А.
Тип доклада
Устный

Видео запись
1

Видео доклада доступно только авторизованным пользователям.

Материалы доклада

Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 15
10:45 | Анализ электронных транспортных свойств модулированно легированных гетероструктур типа HEMT, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs
11:00 | Исследование влияния длины цепи стабилизирующего амина на синтез коллоидных квантовых точек PbS
Матюхин Павел БорисовичФедеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
11:30 | Перерыв
13:00 | Обед
15:15 | Перерыв (подсчёт баллов)