Доклад: Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов
Докладчик

АО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Антонова В.Е., Родина А.М., Климанов Е.А., Ляликов А.В.
Тип доклада
Секция программы
Дата и время
пятница, 07 фев (начало в 10:30)
Видео запись
Видео доклада доступно только авторизованным пользователям.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 15
10:00 |
Термодинамические особенности синтеза пленок HgTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
10:30 |
Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов
11:30 |
Перерыв
13:00 |
Обед
15:15 |
Перерыв (подсчёт баллов)