Доклад: Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов

Докладчик
Автор(ы)
Попов К.А.
Соавтор(ы)
Антонова В.Е., Родина А.М., Климанов Е.А., Ляликов А.В.
Тип доклада

Видео запись

Видео доклада доступно только авторизованным пользователям.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 15
10:30 | Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов
11:00 | Исследование влияния длины цепи стабилизирующего амина на синтез коллоидных квантовых точек PbS
Матюхин Павел БорисовичФедеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
11:30 | Перерыв
13:00 | Обед
15:15 | Перерыв (подсчёт баллов)