Голографические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок (2022)
Рассматривается возможности использования халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок (ХСП) для записи голографических информации. Приведены схемы и результаты исследования дифракционный эффективности в зависимости от времени экспозиции и голографических характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок под влиянием -облучения. Установлено, что в интервале доз облучения (103–109 Р Рентген,) оптические свойства ХСП пленок и дифракционные эффективности записанных голограмм практически не меняются. Также доказано, что срок хранения записанных голограмм при определенных условиях составляет 15 лет и более.
The paper considers the possibility of using chalcogenide glassy semiconductor films (CGS) for recording holographic information. The schemes and results of the study of the diffraction efficiency depending on the exposure time and the holographic characteristics of chalcogenide glassy semiconductor films under the influence of γ-irradiation are presented. It was found that the optical properties of CGS films and the diffraction efficiency of the recorded holograms do not change in the range of radiation doses (103–109 Roentgen, R). It has also been proven that the shelf life of recorded holograms under certain conditions is 10 years or more.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2022-2-39-44
- eLIBRARY ID
- 48444726
Установлено, что зависимости значений дифракционной эффективности голограмм и сдвига края оптического поглощения пленок As-Se от температуры обработки исходного материала имеют экстремальный характер с максимальным значением при Тобр = 500 оС. Необходимо отметить значительное, более чем в 2 раза изменение дифракционной эффективности при изменении тепловой предыстории исходного материала.
Исследовано влияние ионизирующего излучения на оптические и голографические характеристики пленок систем Аs-Sе. Установлено, что в интервале доз облучения (103–109 рентген) -облучение практически не приводит к какому-либо изменению в материале ХСП, которые влияют на свойства записанных голограмм, т. е. материал ХСП пленок в этом диапазоне радиационно устойчив. Изменения голографических характеристик образцов,
по-видимому, зависит от степени влияния -облучения на материал подложек. Доказано, что срок хранения записанных голограмм при определенных условиях составляет более 15 лет.
Показана возможность использования таких халькогенидных стеклообразных полупроводников (пленок Аs-Se) как перспективных материалов в системах оптической обработки и хранения информации.
Список литературы
- Акаев А. А., Майоров С. А. Оптические методы обработки информации. – М.: Высшая школа, 1988.
- Акаев А. А., Гуревич С. Б., Жумалиев К. М., Муравский Л. И., Смирнова Т. Р. Голография и оптическая обработка информации. – Бишкек–С.Петербург, 2003.
- Зюбрик А. И. Материалы для оптической записи информации. – Львов, 1982.
- Коломиец Б. Т., Горюнова Н. А. // ЖТФ. 1955. Т. 25. № 6. Р. 984.
- Mott N. F. // Rev. Mod. Phys. 1978. Vol. 50. № 2. Р. 203.
- Kolomiets B. T. // Phys. Status. Solidi. 1964. № 7. Р. 359.
- Азаматов З. Т., Минаев В. С., Михалев Н. И., Попов А. И., Кадырова Д. Р., Садыкова Ш. Влияния тепловой предыстории и состава на фотостимулированные превращения в пленках системы As-Se. – Москва энергетический институт. 1981. Вып. 537. С. 95.
- Азаматов З. Т., Минаев В. С., Михалев Н. И. Влияния тепловой предыстории и состава на фотостимулированные превращения в пленках системы As-Se: сб. «Аморфные и стеклообразные полупроводники в пленках системы As-Se». – Калининград, 1982.
- Матиаш М. Аморфные полупроводники. – ЧССР. 1978.
- Kastner M., Frirshe H. // Phil. Mag. B. 1978. Vol. 37. № 12. P. 99.
- Звонарева Т. К. и др. // Журнал технической физики. 1978. Т. 48. № 5. С.1021.
- Любин В. М. // Аювтометрия. 1988. № 4. С. 18.
- Богословский Н. А., Цэндин К. Д. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 5. С. 577.
- Джаманкызов Н. К., Пецкус А. М., Гуревич С. Б., Жумалиев К. М. Влияние процессов записи на информационные характеристики записываемых голо-грамм. – М.: Диалог МИФИ, 2004.
- Доморяд И. А., Текучева И. А. Гамма-индуцированное изменение механических и оптических свойств некоторых ХСП // Физические явления в некристаллических полупроводниках: мат. конференции «Некристаллические полупроводники-89». – Ужгород, 1989.
- Утамурадова Ш. Б., Музафарова С. А., Абдугафуров А. М., Файзуллаев К. М., Наурзалиева Э. М., Рахманов Д. А. // Прикладная физика. 2021. № 4. С. 81.
- Матковский А. О., Шпотюк О. И. // Журнал прикладной спектроскопии. 1989. Т. 48. № 3. С. 448.
- Муминов Р. А., Азаматов З. Т., Акбарова Н. А., Тукфатуллин О. Ф., Хусаинов И. А. // Гелиотехника. 2014. Т. 50. № 3. С. 156.
- A. A. Akaev and S. A. Mayorov, Optical methods of information processing. (Higher school, Moscow, 1988).
- A. A. Akayev, S. B. Gurevich, K. M. Zhumaliev, L. I. Muravsky, and T. N. Smirnova, Holography and optical information processing. (Bishkek-Sank-Petersburg, 2003).
- A. I. Zyubrik, Materials for optical recording of information. (Lvov, 1982).
- B. T. Kolomiets and N. A. Goryunova, JTF, 25 (6), 984 (1955).
- N. F. Mott, Rev. Mod. Phys. 50 (2), 203 (1978).
- B. T. Kolomiets, Phys. Status. Solidi, No. 7, 359 (1964).
- Z. T. Azamatov, V. S. Minaev, N. I. Mikhalev, A. I. Popov, D. R. Kadirova, and Sh. Sadikova, Influence of thermal prehistory and composition on photostimulated transformations in films of the As-Se system. – Moscow Power Engineering Institute, No. 537, 95 (1981).
- Z. T. Azamatov, V. S. Minaev, N. I. Mikhalev, Effects of thermal prehistory and composition on photostimulated transformations in films of the As-Se system / Collection “Amorphous and glassy semiconductors in films of the As-Se system”. (Kaliningrad, 1982).
- M. Matiash, Amorphous semiconductors (Czechoslovakia, 1978).
- M. Kastner and H. Frirshe, Phil. Mag. B. 37 (12), 99 (1978).
- T. K. Zvonareva et al., Journal of Technical Physics 48 (5), 1021 (1978).
- V. M. Lyubin, Avtometriya, No. 4, 18 (1988).
- N. A. Bogoslovsky and K. D. Tsendin, Physics and technology of semiconductors 46 (5), 577 (2012).
- N. K. Jumankyzov, A. M. Petskus, S. B. Gurevich, and K. M. Zhumaliev, The influence of the recording process-es on the information characteristics of the drawn holograms. (Dialogue MEPhI, Moscow, 2004).
- I. A. Domoryad and I. A. Tekucheva, Gamma-induced change in the mechanical and optical properties of some CGS Physical phenomena in non-crystalline semiconductors. Materials of the conference “Non-crystalline semicon-ductors -89”. (Uzhgorod, 1989). p. 138.
- Sh. B. Utamuradova, S. A. Muzafarova, A. M. Abdugofurov, K. M. Fayzullaev, E. M. Naurzalieva, and D. A. Rahmonov, Applied Physics, No. 4, 81 (2021) [in Russian].
- A. O. Matkovsky and O. I. Shpotyuk, Journal Applied Spectroscopy 48 (3), 448 (1989).
- R. A. Muminov, Z. T. Azamatov, N. A. Akbarova, O. F. Tukfatullin, and I. A. Khusainov, Applied Solar Energy 50 (3), 156 (2014).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Иванов И. Е.
Определение эффективной мощности микроволнового импульса 5
Сидилёв Д. В., Воронина Е. Д., Кожина О. И., Грудинин В. А., Столбовская Г. Н.
Азотирование стали 40х13 в индуктивно-связанной плазме: влияние потенциала смещения образца 16
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Нифтиев Н. Н., Мамедов Ф. М., Мурадов М. Б.
Электропроводность монокристаллов MnIn2Se4 в переменном электрическом поле 24
Мадаминов Х. М.
Полевые свойства pSi-nSi1-xSnx (0 x 0,04) гетероструктур 28
Утамурадова Ш. Б., Станчик А. В., Файзуллаев К. М., Бакиров Б. А.
Комбинационное рассеяния света монокристаллами кремния, легированных атомами хрома 33
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Азаматов З. Т., Утамурадова Ш. Б., Базарбаев Н. Н., Бекчанова М. Р., Азаматов Т. З., Бахромов А. Б.
Голографические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок 39
Константинов В. О., Щукин В. Г., Шарафутдинов Р. Г.
Получение поликристаллического кремния из моносилана газоструйным плазмохимическим методом. Моделирование и эксперимент 45
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Василяк Л. М., Кудрявцев Н. Н.
Особенности применения импульсных ксеноновых УФ-облучателей для обеззараживания воздуха и помещений 50
Блохин А. А., Ребров И. Е., Ямщиков В. А.
Детектирование токов в процессе электроформования на электроды, разделённые зазором 56
Гасанов А. Р., Гасанов Р. А., Рустамов А. Р., Ахмедов Р. A., Сулейманов И. И., Садыхов М. В.
Акустооптический спектрально-временной анализатор 62
Кузнецов В. Е., Дудник Ю. Д., Сафронов А. А., Ширяев В. Н., Васильева О. Б.
Исследование плазмотрона переменного тока для получения высокодисперсных порошков тугоплавких металлов 72
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
I. E. Ivanov
Determining the effective power of a microwave pulse 5
D. V. Sidelev, E. D. Voronina, O. I. Kozhina, V. A. Grudinin, and G. N. Stolbovskaya
Nitriding of 40h13 steel in inductively coupled plasma: role of a bias potential 16
PHOTOELECTRONICS
N. N. Niftiyev, F. M. Mammadov, and M. B. Muradov
Electrical conductivity of MnIn2Se4 single crystals in an alternating electric field 24
Kh. M. Madaminov
Field properties of pSi-nSi1-xSnx (0 x 0.04) heterostructures 28
Sh. B. Utamuradova, A. V. Stanchik, K. M. Fayzullaev, and B. A. Bakirov
Raman scattering of light by silicon single crystals doped with chromium atoms 33
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Z. T. Azamatov, Sh. B. Utamuradova, N. N. Bazarbaev, M. R. Bekchanova, T. Z. Azamatov, and А. B. Baxromov
Holographic properties of chalcogenide glassy semiconductor (CGS) films 39
V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, and R. G. Sharafutdinov
Polycrystalline silicon production from monosilane by gas-jet plasma-chemical method. Modeling and experiment 45
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
L. M. Vasilyak and N. N. Kudryavtsev
The specificity of the usage of pulsed xenon UV irradiators for disinfection of air and rooms 50
A. A. Blokhin, I. E. Rebrov, and V. A. Yamshchikov
Detection of currents during electrospinning on two collector systems with a gap 56
A. R. Hasanov, R. A. Hasanov, A. R. Rustamov, R. A. Ahmadov, I. I. Suleymanov, and
М. V. Sadikhov
Acousto-optic spectral-time analyzer 62
V. E. Kuznetsov, Yu. D. Dudnik, A. A. Safronov, V. N. Shiryaev, and O. B. Vasilieva
Investigation of an alternating current plasma torch for obtaining highly dispersed powders of refractory metals 72
Другие статьи выпуска
Рассмотрены конструкции плазмотрона переменного тока и созданной на его базе плазмохимической установки по получению высокодисперсных порошков тугоплавких металлов, представлены экспериментальные исследования основных рабочих параметров и характеристик плазмотрона.
Акцентируется высокое научно-практическое значение проблемы быстрого обнаружения и измерения параметров радиосигналов в широкой полосе частот. Оцениваются особенности дифракции Брэгга в контексте синтеза мелкомасштабного быстродействующего измерителя радиочастот. Обсуждается схема измерителя радиочастот, которая составлена на основе дифракции Брэгга. Проводится схемно-математическое моделирование алгоритма функционирования предложенного устройства.
Доказывается возможность реализации многоканального приема радиоимпульсов путем подбора углов падения оптических пучков в апертуру фотоупругой ячейки, что позволяет использовать широкую полосу рабочих частот акустооптического модулятора в полном объеме. Сформулированные утверждения апробируются численными экспериментами. Результаты схемно-математического моделирования и расчетов натурно исследуются. Некоторые результаты натурных экспериментов приводятся в виде таблицы и осциллограмм, которые обсуждаются в контексте мелкомасштабного частотного анализа в заданном диапазоне.
Разработан датчик региструющий наноамперные токи с осадительных электродов в процессе смены точки осаждения полимерного волокна. Осуществлено измерение тока c электродов, разделённых зазором, в процессе электроформования. Показана корреляция между положением точки осаждения волокна и токами коллекторов с помощью одновременной записи показаний датчика тока и видеосъемки. Получены данные, совпадающие с теоретическим описанием, о временной задержке старта процесса электроформования в зависимости от питающего напряжения и концентрации раствора.
Анализ технологий УФ-обеззараживания воздуха и помещений показал, что происходит переход к УФ-облучателям с высокой средней мощностью (1–2 кВт). Эффективность обеззараживания импульсным ксеноновым источником полностью определяется классическим механизмом обеззараживания и полученной УФ-дозой. В качестве базового значения рекомендуется принять дозу 25 мДж/см2.
Предложен метод плазмохимического получения поликристаллического кремния. Метод основан на разложении моносилана, подаваемого в реактор в виде сверхзвуковой струи и активированного с помощью электронного пучка. Проведено газодинамическое моделирование распределения потерь кремния в процессе осаждения. Определены коэффициент разложения моносилана с помощью масс-спектрометрических измерений, а также коэффициенты прилипания кремния к поверхности и коэффициент использования моносилана при помощи газодинамического моделирования и весовых измерений.
Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллического Si (111), легированного хромом. Исследования проводились с использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (Рамановская спектроскопия). Обнаружено, что легирование переходных элементов к чистому кремнию приводит к уменьшению интенсивности рамановских пиков в несколько раз, а также к образованию дополнительных пиков на спектрах.
Изучены процессы токопрохождения в диодных структурах pSi-nSi1-xSnx (0 x 0,04). Из полученных результатов видно, что в исследованных образцах, при малых напряжениях ток подчиняется закону Ома. А при дальнейшем увеличении напряжения начинается рост тока по нелинейному закону. На основе анализа зависимости установлено, что нелинейность обусловлена полевым эффектом Пула-Френкеля. На основе выполненных анализов полученных результатов обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), выращенных на кремниевых подложках, в качестве активного материала в преобразователях тепловой энергии в электрическую энергию на основе термовольтаического эффекта.
Приведены результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnIn2Se4 в переменном электрическом поле. B MnIn2Se4 изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в монокристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. Из температурных зависимостей проводимости определены энергии активации. Проводимость в этих монокристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом.
Рассмотрено влияние амплитуды электрического потенциала смещения на структурные и функциональные свойства стали 40х13 при высокочастотном азотировании в индуктивно-связанной плазме смеси аргона, водорода и азота. В результате азотирования формируется трёхслойная структура в приповерхностном слое, кристаллическая структура которого зависит от прикладываемого к нему потенциала смещения. Толщина азотируемого слоя и шероховатость поверхности нелинейно зависят от амплитуды потенциала вследствие изменения интенсивности распыления поверхности ионами из плазмы. Износостойкость в условиях сухого трения и коррозионная стойкость стали 40х13 в растворе 3,5 масс. % NaCl повышаются по мере увеличения амплитуды потенциала смещения от -20 до -80 В, о чём свидетельствует снижение скорости износа от 5,010-4 до 4,810-7 мм3/(мН) и плотности тока коррозии от 1,610-9 до 1,710-10 А/см2, соответственно. Полученные результаты могут быть использованы для разработки дуплексной технологии обработки материалов.
Предложен метод определения мощности импульса или его фрагмента, основанный на понятии эффективного импульса, эффективной мощности и эффективного времени. Данная методика не зависит от формы и длительности осциллограммы импульса, а использует только вычисление энергии и определение координат центра тяжести квадрата амплитуды импульса. Это позволяет стандартизировать процедуру цифровой обработки сигнала для определения мощности независимо от длительности и формы импульса и спектрального состава.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400