Комбинационное рассеяния света монокристаллами кремния, легированных атомами хрома (2022)

Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллического Si (111), легированного хромом. Исследования проводились с использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (Рамановская спектроскопия). Обнаружено, что легирование переходных элементов к чистому кремнию приводит к уменьшению интенсивности рамановских пиков в несколько раз, а также к образованию дополнительных пиков на спектрах.

This paper presents the experimental results of a study of single-crystal Si (111) doped with chromium. The studies were carried out using the method of Raman spectroscopy (Raman spectroscopy). It has been found that the doping of transition elements with pure silicon leads to a decrease in the intensity of the Raman peaks by several times, as well as to the formation of additional peaks in the spectra.

Тип: Статья
Автор (ы): Утамурадова Шарифа Бекмурадовна
Соавтор (ы): Станчик Алёна Викторовна, Файзуллаев Кахрамон Махмуджанович, Бакиров Булат Айратович
Ключевые фразы: комбинационное рассеяние света, хром

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-2-33-38
eLIBRARY ID
48444725
Текстовый фрагмент статьи