Изучены процессы токопрохождения в диодных структурах pSi-nSi1-xSnx (0 x 0,04). Из полученных результатов видно, что в исследованных образцах, при малых напряжениях ток подчиняется закону Ома. А при дальнейшем увеличении напряжения начинается рост тока по нелинейному закону. На основе анализа зависимости установлено, что нелинейность обусловлена полевым эффектом Пула-Френкеля. На основе выполненных анализов полученных результатов обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), выращенных на кремниевых подложках, в качестве активного материала в преобразователях тепловой энергии в электрическую энергию на основе термовольтаического эффекта.
In this article, the processes of current flow in pSi-nSi1-xSnx (0 x 0.04) diode structures were studied. It can be seen from the results obtained that in the studied samples, at low voltages, the current obeys Ohm’s law. And with a further increase in voltage, the current begins to increase according to a nonlinear law. Based on the dependence ln analysis, it was found that the nonlinearity is due to the Poole-Frenkel field effect. On the basis of the performed analyzes of the obtained results, the prospects of using Si1-xSnx (0 ≤ x ≤ 0.04) solid solutions grown on sil-icon substrates as an active material in thermal-to-electrical energy converters based on the thermovoltaic effect are substantiated.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2022-2-28-32
- eLIBRARY ID
- 48444724