Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения (2023)

Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольт-амперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения.

The paper presents the results of studying the dark currents of nB(SL)n structures with a super-lattice (SL) in the barrier region based on Hg1-xCdxTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) in a wide range of experimental conditions. Dark currents were measured in the temperature range from 11 K to 300 K for mesa structures with different cross-sectional diameters. The tem-perature dependences of the bulk component of the dark current density and the surface leak-age current density are determined. It is shown that in the studied structures the current-voltage characteristics (CVCs) are formed by both the bulk and surface components of the current de-pending on the temperature and bias voltage.

Тип: Статья
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич
Соавтор (ы): Дзядух Станислав Михайлович, Горн Дмитрий Игоревич, Дворецкий Сергей, Михайлов Николай, Сидоров Георгий Юрьевич

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2023-4-78-86
eLIBRARY ID
54370008
Текстовый фрагмент статьи