Моделирование оксидного солнечного элемента на основе гетероперехода ZnO/Cu2O (2023)
Проведено численное моделирование оксидного солнечного элемента на основе гетероперехода ZnO/Cu2O для оптимизации его структуры и повышения эффективности преобразования энергии. Исследовано влияние шунтирующего и последовательного сопротивлений, толщины и концентрации дефектов в слоях Cu2O и ZnO, а также поверхностной концентрации дефектов на гетерогранице ZnO/Cu2O на фотоэлектрические параметры солнечного элемента. Показано, что величина шунтирующего и последовательного сопротивлений должна составлять 2500 Омсм2 и 3,3 Омсм2, а толщина слоев Cu2O и ZnO должна быть 5 мкм и 20 нм соответственно. Получено, что оптимальная концентрация дефектов (вакансий ионов меди) в слое Cu2O составляет 1015 см-3, концентрация дефектов (кислородных вакансий) в слое ZnO составляет 1019 см-3, а также поверхностная концентрация дефектов на межфазной границе должна быть как можно меньше и составлять 1010 см-2. Оптимизация структуры оксидного солнечного элемента позволила получить эффективность преобразования энергии до 10,25 %. Результаты могут быть использованы при разработке и формировании гетероструктур оксидных солнечных элементов.
Numerical modeling of an oxide solar cell based on a ZnO/Cu2O heterojunction has been car-ried out to optimize its structure and increase the efficiency of energy conversion.
The influence of the shunt and series resistances, the thickness and concentration of defects in the Cu2O and ZnO layers, as well as the surface concentration of defects at the ZnO/Cu2O het-erojunction on the photovoltaic parameters of the solar cell is studied. It is shown that the shunt and series resistances should be 2500 cm2 and 3,3 cm2, and the thickness of the Cu2O and ZnO layers should be 5 m and 20 nm, respectively. It was found that the optimal concentration of defects (copper vacancies) in the Cu2O layer is 1015 cm-3, the concentration of defects (oxygen vacancies) in the ZnO layer is 1019 cm-3, and the surface concentration of defects at the interface should be as low as possible and be 1010 cm-2. Optimization of the structure of the oxide solar cell made it possible to obtain an energy conversion efficiency of 10.25 %. The results can be used in the development and formation of oxide solar cell heterostructures.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.383.51. Фотогальванические элементы, солнечные элементы и батареи (вентильные элементы, панели)
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2023-4-66-77
- eLIBRARY ID
- 54370007
Проведено численное моделирование оксидного солнечного элемента на основе гетероперехода Cu2O/ZnO в программе SCAPS для понимания его принципов работы, оптимизации наиболее важных параметров, влияющих на эффективность преобразования энергии, и поиска возможных путей оптимизации структуры. Исследовано влияние шунтирующего и последовательного сопротивлений, толщины и концентрации дефектов в слоях Cu2O и ZnO, а также поверхностной концентрации дефектов на гетерогранице ZnO/Cu2O на фотоэлектрические параметры солнечного элемента. Для подтверждения адекватности разработанной модели солнечного элемента проведено сравнение полученных результатов с литературными экспериментальными данными.
В результате моделирования показано, что толщина слоя Cu2O и концентрация дефектов (вакансий меди) в нем имеют решающее значение на эффективность солнечного элемента. Так величина толщина слоев Cu2O и ZnO должна быть 5 мкм и 20 нм, а величина шунтирующего и последовательного сопротивлений должна быть 2500 Омсм2 и 3,3 Омсм2 соответственно. Получено, что оптимальная концентрация дефектов (вакансий меди) в слое Cu2O составляет 1015 см-3, концентрация дефектов (кислородных вакансий) в слое ZnO составляет 1019 см-3, а также поверхностная концентрацией дефектов на межфазной границе должна быть как можно меньше и составлять 1010 см-2, поскольку они вызывают рекомбинацию и препятствуют накоплению носителей заряда. Оптимизация структуры оксидного солнечного элемента AZO/ZnO/Cu2O/Ni позволила получить эффективности 10,25 %. Результаты могут быть использованы при разработке и формировании гетероструктур оксидных солнечных элементов.
Список литературы
- Amador Perez-Tomas / Advanced Materials In-terfaces. 2019. Vol. 6. P. 1900471.
- Subhash Chander, Surya Kant Tripathi / Mate-rials Advances. 2022. Vol. 3. P. 7198.
- Amador Perez-Tomas, Alba Mingorance, David Tanenbaum, Monica Lira-Cantu / The Future of Semicon-ductor Oxides in Next-Generation Solar Cells. 2018. Vol. 8. P. 267.
- Ho Soonmin / International Journal of Thin Film Science and Technology. 2022. Vol. 11. P. 37.
- Mathur A. S., Prem Pratap Singh, Sachin Upadhyay, Neetika Yadav, Singh K. S., Digpratap Singh, Singh B. P. / Solar Energy. 2022. Vol. 233. P. 287.
- Youssef Ait-Wahmane, Haytam Mouhib, Bra-him Ydir, Abderrahim Ait Hssi, Lahoucine Atourki, Ahmed Ihlal, Khalid Bouabid, Materials Today: Proceedings. 2022. Vol. 52. P. 166.
- Fentahun Daniel A., Tyagi Alekha, Kar Kamal K. / Optik. 2021. Vol. 228. P. 166228.
- Saenko A. V., Klimin V. S., Rozhko A. A., Malyukov S. P. / Journal of Communications Technology and Electronics. 2022. Vol. 67. P. S108.
- Nguyen Dinh Lam / Engineering Research Ex-press. 2020. Vol. 2. P. 025033.
- Sawicka-Chudy P., Sibinski M., Pawelek R., Wisz G., Cieniek B., Potera P., Szczepan P., Adamiak S., Cholewa M., Glowa L. / AIP Advances. 2019. Vol. 9.
P. 055206. - Burgelman M., Nollet P., Degrave S. / Thin So-lid Films. 2000. Vol. 361–362. P. 527.
- Саенко А. В., Малюков С. П., Рожко А. А. / Прикладная физика. 2022. № 1. С. 19.
- Hyojung Son, Byoung-Seong Jeong. / Applied Sciences. 2022. Vol. 12. P. 8987.
- Ahmad Umar, Pooja Tiwari, Sadanand, Vaib-hava Srivastava, Pooja Lohia, Dilip Kumar Dwivedi, Hus-sam Qasem, Sheikh Akbar, Hassan Algadi, Sotirios Baskou-tas. / Micromachines. 2022. Vol. 13. P. 2073.
- Tadatsugu Minami, Toshihiro Miyata, Yuki Nishi / Solar Energy Materials and Solar Cells. 2016. Vol. 147. P. 85.
- Chala S., Boumaraf R., Bouhdjar A. F., Bdiri-na M., Labed M., Taouririt T. E., Elbar M., Sengouga N., Yakuphanoglu F., Rahmane S., Naoui Y., Benbouzid Y. / Journal of Nano- And Electronic Physics. 2021. Vol. 13.
- Stefanovich G. B., Pergament A. L., Boris-kov P. P., Kuroptev V. A., Stefanovich T. G. / Semiconduc-tors. 2016. Vol. 50. P. 639.
- Gang Wang, Ke Zhao, Jiangtao Shi, Wei Chen, Haiyang Zhang, Xinsheng Yang, Yong Zhao / Applied Energy. 2017. Vol. 202. P. 189.
- Mouchou R. T., Jen T. C., Laseinde O. T., Ukoba K. O. / Materials Today: Proceedings. 2021. Vol. 38. P. 835.
- Karthicka S., Velumani S., Boucle J. / Solar Energy. 2020. Vol. 205. P. 349.
- Man Hieu Tran, Jae Yu Cho, Soumyadeep Sin-ha, Myeng Gil Gang, Jaeyeong Heo / Thin Solid Films. 2018. Vol. 661. P. 132.
- Sung Hun Wee, Po-Shun Huang, Jung-Kun Lee, Amit Goyal / Scientific Reports. 2015. Vol. 5. P. 16272.
- Yun Seog Lee, Jaeyeong Heo, Sin Cheng Siah, Jonathan P. Mailoa, Riley E. Brandt, Sang Bok Kim, Roy G. Gordonb, Tonio Buonassisi / Energy and Environmental Science. 2013. Vol. 6. P. 2112.
- Gordon Peter G., Ba Goran, Lopinski Gregory P., Barry Seán T. / Journal of Materials Research. 2020. Vol. 35. P. 756.
- Jae-Ho Kim, Hae-Jun Seok, Hyeong-Jin Seo, Tae-Yeon Seong, Jin Hyuck Heo, Sang-Hyuk Lim, Kyung-Jun Ahnd, Han-Ki Kim / Nanoscale. 2018. Vol. 10.
P. 20587. - Саенко А. В., Малюков С. П., Палий А. В., Гончаров Е. В. / Прикладная физика. 2021. № 2. С. 45.
- Abdelaziz S., Zekry A., Shaker A., Abouelatta M. / Optical Materials. 2020. Vol. 101. P. 109738.
Amador Perez-Tomas, Advanced Materials Interfaces 6, 1900471 (2019).
2. Subhash Chander and Surya Kant Tripathi, Materials Advances 3, 7198 (2022).
3. Amador Perez-Tomas, Alba Mingorance, David Tanenbaum, Monica Lira-Cantu, The Future of Semiconductor Oxides in Next-Generation Solar Cells 8, 267 (2018).
4. Ho Soonmin, International Journal of Thin Film Science and Technology 11, 37 (2022).
5. Mathur A. S., Prem Pratap Singh, Sachin Upadhyay, Neetika Yadav, Singh K. S., Digpratap Singh and Singh B. P., Solar Energy 233, 287 (2022).
6. Youssef Ait-Wahmane, Haytam Mouhib, Brahim Ydir, Abderrahim Ait Hssi, Lahoucine Atourki, Ahmed Ihlal and Khalid Bouabid, Materials Today: Proceedings 52, 166 (2022).
7. Fentahun Daniel A., Tyagi Alekha and Kar Kamal K., Optik 228, 166228 (2021).
8. Saenko A. V., Klimin V. S., Rozhko A. A. and Malyukov S. P., Journal of Communications Technology and Elec-tronics 67, S108 (2022).
9. Nguyen Dinh Lam, Engineering Research Express 2, 025033 (2020).
10. Sawicka-Chudy P., Sibinski M., Pawelek R., Wisz G., Cieniek B., Potera P., Szczepan P., Adamiak S., Chole-wa M. and Glowa L., AIP Advances 9, 055206 (2019).
11. Burgelman M., Nollet P. and Degrave S., Thin Solid Films 361–362, 527 (2000).
12. Saenko A. V., Malyukov S. P. and Rozhko A. A., Applied Physics, № 1, 19 (2022) [in Russian].
13. Hyojung Son and Byoung-Seong Jeong, Applied Sciences 12, 8987 (2022).
14. Ahmad Umar, Pooja Tiwari, Sadanand, Vaibhava Srivastava, Pooja Lohia, Dilip Kumar Dwivedi, Hussam Qa-sem, Sheikh Akbar, Hassan Algadi and Sotirios Baskoutas, Micromachines 13, 2073 (2022).
15. Tadatsugu Minami, Toshihiro Miyata and Yuki Nishi, Solar Energy Materials and Solar Cells 147, 85 (2016).
16. Chala S., Boumaraf R., Bouhdjar A. F., Bdirina M., Labed M., Taouririt T. E., Elbar M., Sengouga N., Yaku-phanoglu F., Rahmane S., Naoui Y. and Benbouzid Y., Journal of Nano- And Electronic Physics 13 (2021).
17. Stefanovich G. B., Pergament A. L., Boriskov P. P., Kuroptev V. A. and Stefanovich T. G., Semiconductors 50, 639 (2016).
18. Gang Wang, Ke Zhao, Jiangtao Shi, Wei Chen, Haiyang Zhang, Xinsheng Yang and Yong Zhao, Applied Energy 202, 189 (2017).
19. Mouchou R. T., Jen T. C., Laseinde O. T. and Ukoba K. O., Materials Today: Proceedings 38, 835 (2021).
20. Karthicka S., Velumani S. and Boucle J., Solar Energy 205, 349 (2020).
21. Man Hieu Tran, Jae Yu Cho, Soumyadeep Sinha, Myeng Gil Gang and Jaeyeong Heo, Thin Solid Films 661, 132 (2018).
22. Sung Hun Wee, Po-Shun Huang, Jung-Kun Lee and Amit Goyal, Scientific Reports 5, 16272 (2015).
23. Lee Yun Seog, Heo Jaeyeong, Siah Sin Cheng, Mailoa Jonathan P., Brandt Riley E., Kim Sang Bok, Gor-donb Roy G. and Buonassisi Tonio, Energy and Environmental Science 6, 2112 (2013).
24. Gordon Peter G., Ba Goran, Lopinski Gregory P. and Barry Seán T., Journal of Materials Research 35, 756 (2020).
25. Jae-Ho Kim, Hae-Jun Seok, Hyeong-Jin Seo, Tae-Yeon Seong, Jin Hyuck Heo, Sang-Hyuk Lim, Kyung-Jun Ahnd and Han-Ki Kim, Nanoscale 10, 20587 (2018).
26. Sayenko A. V., Malyukov S. P., Palii A. V. and Goncharov E. V., Applied Physics, № 2, 45 (2021) [in Russian].
27. Abdelaziz S., Zekry A., Shaker A. and Abouelatta M., Optical Materials 101, 109738 (2020).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
О природе серебристых облаков 5
Турьянский А. Г., Чжо Зо Лин, Сенков В. М., Зиятдинова М. З., Куприянов М. Ю.,
Аксенова М. М., Цехош В. И.
Энергодисперсионная абсорбционная спектроскопия K-скачков рентгеновского фотопоглощения ксенона для рентгенологической диагностики 16
Бекалдиев Е. А., Пушкарёв С. С., Климов Е. А., Можаева М. О.
Анализ отражающих свойств поверхности эпитаксиальных плёнок на основе GaAs 22
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Васильков Д. Г., Харчев Н. К.
Увеличение энергетического времени жизни плазмы в режиме профилированного импульса в стеллараторе Л-2М 29
Батукаев Т. С., Билера И. В., Крашевская Г. В., Лебедев Ю. А.
Получение ацетилена в СВЧ-разряде в жидких углеводородах с барботированием аргона 36
Двинин С. А., Корнеева М. А.
Численное моделирование пространственной структуры электромагнитного поля СВЧ разряда в пробкотроне 41
Кизириди П. П., Озур Г. Е., Шнайдер А. В.
Структура электронного пучка, формируемого в сильноточном диоде со встроенными в катод дуговыми источниками плазмы 48
Ощенко И. И., Смирнов С. А.
Экспериментальное исследование и моделирование физико-химических процессов в подводном разряде переменного тока 55
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Полесский А. В., Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Хамидуллин К. А., Семенченко Н. А., Корнилов С. В.
Фотоприемники и фотоприемные устройства: термины и определения. Нововведения 61
Саенко А. В., Билык Г. Е., Малюков С. П.
Моделирование оксидного солнечного элемента на основе гетероперехода ZnO/Cu2O 66
Войцеховский А. В., Дзядух С. М., Горн Д. И., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н.,
Сидоров Г. Ю., Якушев М. В.
Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения 78
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Панов В. А., Савельев А. С., Печеркин В. Я., Василяк Л. М., Куликов Ю. М.
Деформация диэлектрической капли в воде под действием микросекундных импульсов тока 87
Бучин Э. Ю., Денисенко Ю. И.
Особенности формирования скрытого свинцово-силикатного слоя в монокристаллическом кремнии 95
Панькин Н. А., Ильин С. В.
Оптическая спектроскопия межэлектродного промежутка при электроискровой обработке стали вольфрамом и оловянной бронзой 100
Тютюнников В. И.
Спектральные характеристики мелкодисперсных кристаллов ZnAg, осаждённых из водного раствора на подложку в электрическом поле 107
Утамурадова Ш. Б., Азаматов З. Т., Гапонов В. Е., Жеенбеков А. А., Базарбаев Н. Н., Бахромов А. Б.
Применение цифровой ширографии для обнаружения дефектов в материалах 115
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Декопов А. С., Лукьянов А. А., Масленников С. П., Михайлов С. В.
Конечно-элементный количественный анализ устойчивости портативной аппаратуры радиографического контроля к факторам транспортной аварии 121
Коротаев Е. Д., Банников М. В., Болтарь К. О., Ефимов И. В., Шаров А. А.
Имитация тепловой нагрузки при контроле характеристик микрокриогенных систем охлаждения фотоприёмных устройств 129
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
Sviridov A. N. and Saginov L. D.
About the nature of Silvery clouds 5
Turyansky A. G., Kyaw Zaw Lin, Senkov V. M., Ziyatdinova M. Z., Kupriyanov M. Yu.,
Aksenova M. M. and Tsekhosh V. I.
Energy-dispersive absorption spectroscopy of X-ray photoabsorption K-jumps of xenon for radiological diagnostics 16
Bekaldiev E. A., Pushkarev S. S., Klimov E. A. and Mozhaeva M. O.
Surface gloss analysis of GaAs-based epitaxial films 22
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Vasilkov D. G. and Kharchev N. K.
Energy lifetime increase of the plasma in the regime of pulse maintaining in the L-2M stellarator 29
Batukaev T. S., Bilera I. V., Krashevskaya G. V. and Lebedev Yu. A.
Production of acetylene in a microwave discharge in liquid hydrocarbons with argon bubbling 36
Dvinin S. A. and Korneeva M. A.
Numerical simulation of the spatial structure of the electromagnetic field of microwave discharge in a magnetic trap 41
Kiziridi P. P., Ozur G. E. and Shnaider A. V.
Structure of an electron beam formed in a high-current diode with arc plasma sources built-in to a cathode 48
Oshenko I. I. and Smirnov S. A.
Simulation of physico-chemical processes in the underwater ac discharge 55
PHOTOELECTRONICS
Polesskiy A. V., Burlakov I. D., Boltar K. O., Khamidullin K. A., Semenchenko N. A. and Kornilov S. V.
Photodetectors and photodetector devices: terms and definitions. Innovations 61
Saenko A. V., Bilyk G. E. and Malyukov S. P.
Modeling of an oxide solar cell based on a ZnO/Cu2O heterojunction 66
Voitsekhovskii A. V., Dzyadukh S. M., Gorn D. I., Dvoretskii S. A., Mikhailov N. N., Si-dorov G. Yu. and Yakushev M. V.
Dark current components of nB(SL)n structures based on HgCdTe for a wide range of bias voltages 78
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Panov V. A., Saveliev A. S., Pecherkin V. Ya., Vasilyak L. M. and Kulikov Yu. M.
Deformation of a dielectric drop in water under microsecond current pulses 87
Buchin Ed. Yu. and Denisenko Yu. I.
Features of formation a buried lead-silicate layer in crystalline silicon 95
Pan’kin N. A. and Ilyin S. V.
Optical spectroscopy of the interelectrode gap in the electrospark machining of steel with tungsten and tin bronze 100
Tyutyunnikov V. I.
Spectral characteristics of fine crystals ZnS-Ag depositioned from aqueous solution on a substrate in the electric field 107
Utamuradova Sh. B., Azamatov Z. T., Gaponov V. E., Jeenbekov A. A., Bazarbaev N. N. and Bakhromov A. B.
Application of speckle interferometry for non-destructive testing of objects 115
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Dekopov A. S., Lukyanov A. A., Maslennikov S. P. and Mikhailov S. V.
Finite-element quantitative analysis of the stability of portable radiographic control equipment to the factors of a transport accident 121
Korotaev E. D., Bannikov M. V., Boltar K. O., Efimov I. V. and Sharov A. A.
Simulation of heat load during characterisation control of micro cryogenic cooling systems of photodetectors 129
Другие статьи выпуска
Рассмотрены особенности устройства и технологии изготовления имитаторов тепловой нагрузки, предназначенных для контроля параметров микрокриогенных систем фотоприёмных устройств. Приведены основные параметры изготовленных образцов имитаторов в сравнении с зарубежными аналогами. В АО «НПО «Орион» созданы имитаторы тепловой нагрузки для контроля микрокриогенных систем холодопроизводительностью 0,5–0,75 Вт.
Предложен к рассмотрению метод количественной конечно-элементной верификации устойчивости портативной аппаратуры радиографического контроля к факто-рам транспортной аварии на этапе автоматизированного проектирования математической твердотельной модели радиационной головки затворного типа с использованием программных комплексов: «ЗЕНИТ-95» и «LS-DYNA».
Одним из быстро развивающихся оптических методов является цифровой вариант сдвиговой корреляционной спекл-интерферометрии (ширография). Основными преимуществами метода являются бесконтактный метод получения данных, малая зависимость от формы и поверхности исследуемого материала, определение градиентов перемещений точек поверхности, которые проявляются в виде аномалий в рисунке интерференционных полос, связанных с участками деформации.
Предложена и реализована схема компактного спекл-интерферометра для цифровой ширографии на основе интерферометра Майкельсона. Продемонстрирована возможность выявления трещины в сварном шве на металлических (алюминиевых и стальных) пластинках.
Исследовались спектры ультрадисперсных частиц ZnS-Ag, осаждённых на подложку в электрическом поле. Для получения мелкодисперсных частиц использовали промышленный люминофор К-75 (ZnS-Ag). Спектры люминесценции получали при воздействии на образец ультрафиолетовым светом ( = 365 нм). Анализ спектров показал, что спектральные характеристики отличаются для образцов с различной размерностью кристаллов. Так для промышленного образца спектр люминесценции имел полосу с max = 453 нм и с полушириной = 58,5 нм. Для ультрадисперсных кристаллов ZnS-Ag, осаждённых обычным способом, спектральная полоса имела max = 452,4 нм с полушириной = 58,0 нм. Спектры фотолюминесценции (ФЛ) для образцов, полученных путём осаждения ультрадисперсных кристаллов ZnS-Ag в электрическом поле на подложку, имеют параметры с max = 451,5 нм и с полушириной = 57,6 нм. При измерении ширины запрещённой зоны образцов была установлена зависимость ширины запрещённой зоны от размеров кристаллов полупроводника. Наиболее заметный эффект был получен при осаждении на подложку наноразмерных кристаллов в электрическом поле. Так для промышленного образца ширина запрещённой зоны составила 4,06 эВ, а для мелкодисперсных образцов, осаждённых обычным способом и в электрическом поле – 4,09 и 4,10 эВ соответственно. Полученные результаты показывают, что ширина запрещённой зоны увеличивается при уменьшении размеров кристаллов до наноразмерных величин. Поляризация света при прохождении светового луча через образцы тоже показала различные результаты. Так, луч света при прохождении образца из исходного материала имел степень поляризации Р = 0.094. Для образца, полученного путём осаждения мелкодисперсных частиц обычным способом, степень поляризации прошедшего луча составила Р = 0,110. И для об-разца, приготовленного из мелкодисперсных частиц ZnS-Ag, осажденных в электрическом поле, степень поляризации прошедшего светового луча оказалась Р = 0,117. Полученные результаты показывают, что материалы, полученные из мелкодисперсных частиц, путём осаждения их в электрическом поле, имеют различия по физическим параметрам.
Методом оптической атомно-эмиссионной спектроскопии исследована область межэлектродного промежутка при электроискровой обработке стали 35ХГСЛ с использованием анодов из вольфрама WP и оловянной бронзы ERCuSn-C. При обработке анодом из вольфрама WP, температура плазмы искрового разряда составляет 4000 К. Спектр излучения состоит из спектральных линий атомарного железа (Fe I). Низкие температуры плазмы искры затрудняют образование паровой фазы тугоплавкого вольфрама. При использовании анодного материала из бронзы ERCuSn-C температура в области разряда принимает значения порядка 10000 К. В спектре излучения, присутствуют спектральные линии атомарной (Cu I) и однократно ионизированной (Cu II) меди. Образование ионов связано с протеканием термической и ударной ионизаций атомов меди. Отсутствие спектральных линий от элемента катода (железа) обусловлено образованием на начальном этапе развития электроискрового разряда жидкого слоя из материала анода (бронзы) на поверхности катода.
Исследовался процесс ионно-лучевого синтеза структур «кремний-на-изоляторе», основанный на двухстадийной имплантации, сначала ионов кислорода, затем ионов свинца в качестве стеклообразователя. С помощью методов вторичной ионной масс-спектрометрии и оже-спектроскопии анализировались фазовые преобразования, про-исходящие в синтезируемом скрытом слое при постимплантационном отжиге.
Обнаружено, что с началом термообработки происходит быстрый спинодальный распад твердого раствора SiOx–PbOx, образовавшегося на стадии имплантации.
Затем начинается процесс медленной релаксации на фоне «восходящей» диффузии атомов свинца. При этом скрытый слой изолятора уплотняется и выравнивается по толщине. В конечном итоге он формируется в виде трехслойной структуры, средняя ее часть является оксидом кремния, легированного свинцом, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы.
Методом Particle Image Velocimetry (PIV) исследована нестационарная картина обтекания капли диэлектрической жидкости дибутилфталата окружающей водой слабой проводимости под действием импульса тока микросекундной длительности. Обнаружено, что время существования индуцированного завихренного течения в воде значительно превышает длительность импульса тока. Во время действия импульса тока на поверхности капли развиваются только малые возмущения, в то время как конечные возмущения поверхности развиваются на значительно бóльших временах, превосходящих длительность импульса тока на два и более порядка, и связаны с эволюцией течения воды вокруг капли. Показано, что на величину максимальной скорости в индуцированном течении воды влияет потенциал иглы при неизменной длительности и амплитуде импульса тока.
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольт-амперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения.
Представлены результаты классификации фотоприемных устройств и фотоприемников. Описаны разделения фотоприемных устройств и фотоприемников по поколениям. Предложен термин для более высокой степени интеграции фотоприемного устройства с блоком электронной обработки. Введены новые актуальные термины и определения для более точной квалификации фотоприемников.
Приводятся результаты экспериментальных исследований параметров подводного разряда переменного тока частотой 50 Гц, горящего между двумя проволочными электродами из меди, молибдена и стали (Ст3). В результате моделирования процессов, протекающих в газовом пузыре установлен предварительный состав газовой фазы и концентрации основных активных частиц плазмы.
С помощью тепловизионной диагностики и широкополосной осциллографии исследованы распределения плотности тока и энергии по сечению низкоэнергетического (до 30 кэВ) сильноточного (до 20 кА) электронного пучка микросекундного диапазона длительностей импульса. Показано, что распределение плотности энергии является достаточно однородным (внутри круга диаметром около 2,5 см, т. е. близким к внешнему диаметру эмитирующей части катода) при индукции ведущего магнитного поля сравнимой или несколько большей индукции собственного магнитного поля пучка.
В слабом ведущем магнитном поле (или при его отсутствии) пучок фокусируется, распределение плотности энергии становится резко неоднородным. Показано также, что даже относительно слабое магнитное поле (около 25 мТл) стабилизирует поперечное положение пучка от импульса к импульсу. Каких-либо микронеоднородностей миллиметрового масштаба в распределениях плотности энергии не наблюдалось.
Представлены результаты компьютерного моделирования структуры электромагнитного поля СВЧ разряда в кварцевой колбе, помещенной в цилиндрический резонатор, плазма которого удерживается магнитной ловушкой. Использовано приближении холодной плазмы. Цилиндрический резонатор возбуждается через узкую щель в боковой стенке. Показано, что в исследуемом разряде традиционная модель электронно-циклотронного резонанса в скрещенных полях применима на низких плотностях электронов. При увеличении плотности формируется волна, распространяющаяся от области возбуждения в азимутальном направлении. При дальнейшем увеличении плотности электронов коэффициент поглощения волны падает и угловое распределение поля представляет стоячую волну.
Ацетилен является важным химическим промежуточным продуктом, который находит широкое применение в химической промышленности. В последние годы возрастает интерес к разработке эффективных методов синтеза ацетилена. В данной статье рассмотрено использование СВЧ-разряда в жидких углеводородах с барботажем аргона для получения ацетилена. Максимальная объемная скорость образования ацетилена в ходе экспериментов равнялась 280 мл/мин, при энергозатратах на образование ацетилена 48 л/кВтч. Показаны зависимости скорости образования ацетилена от падающей мощности и расхода аргона.
Представлены результаты экспериментов на квазистационарном стеллараторе
Л-2М в режиме электронно-циклотронного резонансного нагрева при помощи двух ги-ротронов. Получены результаты по увеличению энергетического времени жизни плазмы с помощью временной модуляции (профилирования) СВЧ-импульса. Первый гиротрон на фиксированной мощности служил для ионизации и первичного нагрева плазмы, второй обеспечивал стационарный разряд длительностью 10 мс. Продемонстрировано, что варьируя мощность второго гиротрона в диапазоне 50–200 кВт, есть возможность увеличить время жизни в 4 раза при снижении мощности второго гиротрона до 50 кВт. Работа представляет интерес как метод исследования горячей плазмы, удерживаемой в тороидальной магнитной системе стелларатора.
Показана возможность применения энергодисперсионной абсорбционной спектроскопии на основе полупроводникового рентгеновского спектрометра для диагностики легочных патологий при контрастировании ксеноном (Xe). Заполняемый газом объем модели легких в просвечиваемой области объекта определяется путем анализа спектра в области K-скачка рентгеновского фотопоглощения Xe. Представлены спектры пропускания через пластиковый фантом, заполняемый газовой смесью ксенона и воздуха, а также комбинированные объекты в виде фантома и костной или тканеэквивалентной вставок. Метод обеспечивает достоверное определение локальных вентиляционных параметров контрастированной области и возможность снижения поглощенной дозы просвечивающего излучения более чем на три порядка по сравнению с рентгеновской компьютерной томографией.
Рассмотрена динамика температуры частиц с характерным размером 10-7–10-6 м на границе земной атмосферы и космического пространства. На примере наночастиц графита показано, что на высоте 80–90 км от поверхности Земли частицы с размером 510-7 м и меньше могут нагреваться выше температуры начала свечения (900 К), достигая температур более 2000 К со светло-бирюзовым свечением. На основании полученных результатов сделан вывод, что серебристые облака, наблюдаемые в предрассветное и послезакатное время с поверхности Земли, представляют собой скопление раскаленных наночастиц.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400