Статья: ЭФФЕКТИВНЫЙ АЛГОРИТМ СОВМЕСТНОЙ ОЦЕНКИ ВРЕМЕННОЙ ЗАДЕРЖКИ И ЧАСТОТНОГО СДВИГА ЧАСТОТНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ (2014)

В настоящей работе исследуется спектр SiD естественных (тепловых и дробовых) токовых шумов p-n-перехода, а также барьера Шоттки с коэффициентом неидеальности вольт-амперной характеристики η, превышающим единицу. Приводятся результаты, полученные с помощью специализированной экспериментальной установки. Для их объяснения использовалась эквивалентная схема, учитывающая наличие последовательного сопротивления базы и контактов диода, а также возможность существования тока утечки. Теоретически доказано и подтверждено экспериментально, что соотношение Ван дер Зила, SiD = 2q(ID+2Is), служащее для вычисления спектра токовых шумов «идеального» перехода с η=1, не применимо при η>1 (здесь q — элементарный заряд, ID — ток через переход, Is — ток насыщения перехода). Полученные ранее результаты обобщены при помощи теоремы Гупта для спектра тепловых шумов в нелинейных резистивных системах и подтверждены экспериментально. Установлено, что спектр шумового тока даётся формулой SiD = (2q/η) (ID+2Is). Она является модификацией соотношения Ван дер Зила на случай произвольного значения коэффициента неидеальности. Выполнена экспериментальная проверка полученной формулы для SiD путём измерения спектра шума диода Шоттки с δ-легированием, находящегося в термодинамическом равновесии с окружающей средой.

Для нескольких практически важных синтетических органических полимеров в стеклообразном и вязкоупругом состояниях сопоставлены некоторые основные размеры, характеризующие их морфологию, и максимумы, наблюдаемые в спектрах коэффициента поглощения в терагерцовом диапазоне частот. Эти размеры определены методами рентгеноструктурного анализа. Коэффициент поглощения измерен методами импульсной терагерцовой спектроскопии в диапазоне температур от гелиевой до комнатной.

В работе представлены результаты исследования сверхвысокочастотного (СВЧ) разряда, создаваемого непрерывным излучением гиротрона с частотой 30 ГГц в смеси аргона и водорода с добавкой метана в области пересечения двух волновых пучков. Разряд поддерживался над подложкой и имел форму тонкого плазменного слоя. Методами оптической спектроскопии излучения проведены измерения температуры газа и концентрации электронов в плазме. Обсуждены особенности определения штарковского уширения спектральных линий атомарного водорода при невысокой (порядка 1013 см-3) концентрации электронов. Представлены зависимости концентрации электронов и температуры газа от давления и состава газа, а также мощности падающего СВЧ излучения. Отмечены перспективы применения исследуемого разряда для плазмохимического осаждения алмазных плёнок из газовой фазы.

В данной статье аналитически и численно исследованы особенности распространения электромагнитных волн в окрестности области электронного циклотронного резонанса в аксиально-симметричных магнитных ловушках. Рассмотрено совместное влияние неоднородностей концентрации плазмы, величины и направления магнитного поля на картину лучевых траекторий. Найдены критерии, разграничивающие случаи конструктивной рефракции (лучевые траектории стягиваются к оси ловушки, где происходит эффективное поглощение) и деструктивной рефракции (лучевые траектории расходятся от оси ловушки, и эффективный нагрев центральной части плазменного шнура невозможен). Показано, что неоднородности направления магнитного поля и концентрации плазмы, характерные для аксиально-симметричных магнитных ловушек, а также эффекты пространственной дисперсии существенным образом влияют на распространение электромагнитных волн в окрестности поверхности электронного циклотронного резонанса.

Рассмотрена модификация метода определения взаимных временных задержек сигналов на основе совместного измерения временного и частотного сдвигов. Модификация позволяет повысить степень выраженности корреляционного максимума для сигналов с частотной модуляцией. Приведены результаты исследования предложенного алгоритма при обработке сигналов с фазовой и частотной модуляцией в условиях априорной неопределённости относительно несущей частоты сигналов.