ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Планарные конденсаторные структуры с диэлектрическим слоем на основе аморфного AlN (2024)

Читать онлайн

Плотные однородные аморфные диэлектрические слои нитрида алюминия с минимальным рельефом поверхности, характеризующиеся оптической шириной запрещенной зоны порядка 6,1 эВ, относительной диэлектрической проницаемостью – 8,5 и
высокой оптической прозрачностью в широком диапазоне спектра от ближнего УФ до среднего ИК, были получены методом реактивного высокочастотного (ВЧ) магнетронного распыления алюминиевой мишени в атмосфере газовой смеси Ar–N2 (соотношение 15:1) при относительно высоком давлении в камере на уровне 2,7 Па, мощно-
сти ВЧ-разряда 100 Вт и комнатной температуре подложки. Показана возможность низкотемпературного получения на основе данных слоев интегральных конденсаторных структур, в том числе прозрачных планарных емкостных структур для различных оптоэлектронных приложений.

Автор (ы): Ахмедов Ахмед Камильевич
Соавтор (ы): Мурлиев Эльдар Камильевич, Гитикчиев Ахмед Магомедович, Темиров Алибулат Темирбекович, Асваров Абил Шамсудинович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

УДК
539.234. испарением и конденсацией
Для цитирования:
АХМЕДОВ А. К., МУРЛИЕВ Э. К., ГИТИКЧИЕВ А. М., ТЕМИРОВ А. Т., АСВАРОВ А. Ш. ПЛАНАРНЫЕ КОНДЕНСАТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СЛОЕМ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО ALN // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2024. № 1