Органико-неорганические перовскиты на основе галогенидов для создания перспективных изделий фотоэлектроники (2023)

Представлены этапы совершенствования структурированных материалов на ос-нове органико-неорганических перовскитов (PVSKs) от первых простых композиций до сложных, смешанных с коллоидными квантовыми точками (ККТ) QDiP-структур (quantum-dot-in-perovskite). Исследованы фазовые состояния, композици-онный состав, особенности синтеза и варианты архитектур, предназначенных для различных оптоэлектронных применений. В целях расширения спектрального диа-пазона фоточувствительности за границы видимого (Vis) диапазона в инфракрас-ный (ИК, IR) введены разнообразные композиции перовскитных материалов, в том числе структура с промежуточной зоной (intermediate band, IB) в энергетической диаграмме, расположенной между валентной зоной (VB) и зоной проводимости (CB). Данная промежуточная зона позволяет поглощать излучение в более длинно-волновой области, достигая эффективности преобразования излучения  50 % по сравнению с приборами на основе планарного р–n-перехода с максимальной эффек-тивностью  25 %.

Recent studies of structured promising photovoltaic devices based on materials known as
organic-inorganic perovskites (PVSKs) from the first simple compositions to complex,
mixed with colloidal quantum dots (QDTs) structures (Quantum-dot-in-perovskite, QDiP)
have been presented. There phase states, composition, photo-physics process, synthesis features and topological structures designed for various optoelectronic applications have been
investigated. In order to expand the spectral range beyond the boundaries of the visible (Vis)
range, various perovskite material compositions have been introduced into the new infrared
(IR, IR) techniques, including a structure with an intermediate band (IB) in the energy diagram located between the valence band (VB) and the conduction band (CB). This intermediate zone allows absorbing radiation in a longer wavelength region, achieving a radiation
conversion efficiency of  50 % compared to devices based on a planar p–n junction with a
maximum efficiency of  25 %.

Тип: Статья
Автор (ы): Яковлева Наталья

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.38. Электроника. Фотоэлектроника. Электронные лампы, трубки. Рентгенотехника. Ускорители частиц
621.383. Фотоэлектроника
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2023-11-4-320-339
eLIBRARY ID
54371450