Методы фотоэлектрохимического травления и распылительного пиролиза были применены при изготовлении солнечного элемента PSi-CdSe. Первый метод был использован при изготовлении пористого кремния со временем травления 10 мин и током травления 15 мА/см2, в то время как второй метод был использован для осаждения тонкой пленки CdSe на пористый кремний при температуре подложки 100 °C с расстоянием между соплами 25 см, 20 распылениями и давлением 7,5 кг/см2. Оптические свойства пленок CdSe показали пики спектра поглощения наночастиц CdSe на длинах волн 460 и 660 нм с энергетической щелью 2,5 эВ. Исследована структура пленки CdSe, где изображения сканирующего электронного микроскопа SEM показали, что пленка CdSe является кристаллической со средним размером зерна около 49,63 нм, что согласуется с результатами анализа спектров рентгеновской дифракции (55,67 нм). Вольт-амперные характеристики перехода аналогичны характеристикам идеального диода и солнечного элемента с током короткого замыкания (2,43 мА/см2), напряжением холостого хода (0,34 В) и коэффициентом заполнения (0,603).
Идентификаторы и классификаторы
Single crystal silicon wafer is used in the manufacturing of solar cells of efficiency within the range 12–16 % depending on the manufacturing method [1]. The high reflectivity and high surface recombination of silicon wafers led to their replacement by porous silicon as a substrate of solar cells [2]. Porous silicon is characterized by low reflection (high absorption), low surface recombination, and high surface: volume ratio [3]. Different techniques have been used in the preparation of porous silicon including electrochemical etching [4], photochemical etching [5], photo-electrochemical etching [6] and stain etching [7]. Porous silicon can be coated by several types of semiconductors in the fabrication of solar cells. The top semiconductor layer depends on the type of porous silicon, whether p-type or n-type [8–10]. Cadmium selenide (CdSe) is one of the semiconductors that is used in the fabrication of PSi-CdSe solar cell. CdSe is an n-type semiconductor falling in the (II–VI) group of semiconductor compounds, which is characterized by a high absorption coefficient (105 cm–1) within the wavelength range 380–1000 nm (IR and visible region) [11, 12], two phases: cubic (zinc blend) structure and hexagonal sulfide (wurtzite), a direct band gap of about 1.75 eV and indirect band gap of 1.23– 1.25 eV, and electron mobility of 450–900 cm2 /V [13]. The electrical and structural properties of CdSe thin films depend strongly on the type and conditions of the preparation method. Several chemical and physical techniques are used to precipitate the CdSe thin films, such as RF magnetron sputtering [14], chemical bath deposition [15], thermal evaporation [16], spray pyrolysis technique [17], and E-Beam technique [18]. In this study, thin films of CdSe were deposited on porous silicon using the spray pyrolysis method. The optical properties of CdSe thin films, and the electrical and structural properties of PSi-CdSe solar cell were investigated.
Список литературы
1. Badawy W.A. A review on solar cells from Si-single crystals to porous materials and quantum dots. Journal of Advanced Research, 2015, 6 (2), 123-132. DOI: 10.1016/j.jare.2013.10.001 EDN: VCYQMO
2. Šatkovskis E., Mitkevičius R., Zagadskij V., Stupakova J. Improved performance and spectral features of complex porous silicon structure containing silicon solar cells. Acta Phys. Pol. A, 2012, 122 (6), 1121-1124. DOI: 10.12693/APhysPolA.122.1121
3. Dzhafarov T., Bayramov A. Porous silicon and solar cells. Handbook of Porous Silicon: Second Edition, 2018, 2 (2), 1479-1492. DOI: 10.1007/978-3-319-04508-5_95-2 EDN: YBQNKX
4. Bisia O., Ossicinib S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics. Surface Science Reports, 2000, 38, 1-126. DOI: 10.1016/S0167-5729(99)00012-6 EDN: LUHDML
5. Salman K.A., Hassan Z., Omer K. Effect of silicon porosity on solar cell efficiency.Int. J. Electrochem. Sci., 2012, 7 (9), 376-386. DOI: 10.1016/S1452-3981(23)13346-3
6. Vingoni C., Cazzanelli M. and Pavesi L. Porous silicon microcavities. Department of physics and astronomy, University of Pittsburgh, Pittsburgh PA, USA, 2000. ISBN: 978-0-12-513909-0
7. Basu S. Crystalline silicon - properties and uses. Published by in Tech., Croatia, 2011, 356 p. ISBN: 978-953-307-587-7
8. Belaid H., Nouiri M., Ayadi Z.B., Djessas K., El Mir L. Electrical study of Si/PS/ZnO: in solar cell structure. Energy Procedia, 2015, 84, 214-220. DOI: 10.1016/j.egypro.2015.12.316 EDN: XYVMVN
9. Jafarov M.A., Nasirov E.F., Jahangirova S.A. Nano-CdS/porous silicon hetero junction for solar cell.Int. J. Scientific & Eng. Research, 2015, 6 (7), 849-853.
10. Hagar A.N., Gamal M.Y., Mohammad M., Mohammad G. Fabrication and optimization of silicon solar cell characteristics by using porous silicon layers on the front and back sides. Journal of Environmental Science, 2020, 49 (9), 1-30. DOI: 10.21608/jes.2020.206289
11. Debele T., Gashaw F. Effect of temperature on morphological, structural and optical properties of cadmium selenide (CdSe) thin films deposited by chemical bath deposition method. Advances in Life Science and Technology, 2018, 67, 12-16. DOI: 10.1016/j.mssp.2015.12.013
12. Noori E.M. Structure and optical properties of cdse thin films as a function of the annealing time. Al-Mustansiriyah J. Sci., 2016, 27 (5), 102-108. DOI: 10.23851/mjs.v27i5.175
13. Al Abbas J.M., Al Taan L., Uonis M.M. Structural and optical properties of cadmium selenide thin film growth with different substrate temperatures by spray pyrolysis deposition. Chalcogenide Lett., 2023, 20 (12), 883-890. DOI: 10.15251/CL.2023.2012.883
14. Wang A., Li C., Zhang J., Wu L., Wang W., Feng L. Annealing temperature dependence of properties of CdSe thin films by RF-sputtering. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 2019, 556 (1), 012006. DOI: 10.1088/1757-899X/556/1/012006
15. Nawfal Y. Jamil, Marwa T. Mahmood, Noor A. Mustafa. The optical and electrical properties of Cdse thin films prepared by CBD technique. Rafidain Journal of Science, 2012, 23 (1), 116-125. DOI: 10.33899/RJS.2012.29447
16. Rajni K.S. Studies on the structural and conduction mechanism (ac) in thermally evaporated CdSe thin films.Int. J. Chem. Tech. Res., 2014, 7, 1509-1515. EID: 2-s2.0-84922505918.
17. Betkar M.M., Bagde G.D. Structural and optical properties of spray deposited CdSe thin films. Mater. Phys. and Mech., 2012, 14 (1), 74-77.
18. Huş Ş.M. Physical properties of CdSe thin films produced by thermal evaporation and e-beam techniques. Master’s thesis. Middle East Technical University, 2006.
19. Qassim B.K., Uonis M.M., Khaleel E.A. Effect of substrate temperature on the optical and structural properties of CdS nano particles. Ochrona przed Korozją., 2023, 66 (11), 354-357. DOI: 10.15199/40.2023.11.2 EDN: CGTGFA
20. Abed M.A., Uonis M.M., Ali G.G., Karomi I.B. Deposition and characterization of carbon nanotubes on porous silicon by PECVD. Digest Journal of Nanomaterials & Biostructures (DJNB), 2023, 18 (1), 235-241. DOI: 10.15251/DJNB.2023.181.235
21. Tian J., Cao G. Semiconductor quantum dot-sensitized solar cells. Nano Rev., 2013, 4 (1), 22578. DOI: 10.3402/nano.v4i0.22578
Выпуск
Другие статьи выпуска
Исследованы индуцированные ультрафиолетовым излучением переходы в изотропную фазу нематического жидкого кристалла с внедренными в него молекулами азохромофоров протяженной и разветвленной структур. Время существования изотропной фазы по окончании действия ультрафиолетового излучения (УФ) определяется его экспозицией. Оно больше для жидкого кристалла с внедренным азохромофором разветвленной структуры, чем для системы с азохромофором протяженной структуры (1300 и 280 с, соответственно).
Рассмотрены условия формирования в упаковке жидкого кристалла (ЖК) солитона для генерации пары фотонов в запутанном квантовом состоянии (бифотонов) при выполнении квантовых вычислений. Выполнена оценка геометрических размеров солитона, генерируемого импульсно-оптическим преобразователем, его динамики и стабильности с использованием знаний о физических параметрах жидкого кристалла и его нелинейно-оптических свойств. В нематических ЖК можно реализовать одиночные солитоны с пространственным размером в несколько первых микрометров и меньше, время формирования от миллисекунд до упорных миллисекунд и время существования от долей миллисекунд до сотен миллисекунд. Рассмотрена возможность перекрытия открывающихся в пространстве или времени оптических солитонов ЖК (или области внутри слоя, в которых возникает индуцируемая полем световой волны, деформация от последовательных световых импульсов). На этой основе можно «кодировать» запутанные состояния с высоким уровнем различения сигналов и изучать квантовые вычисления.
В статье исследуется вклад поляризации пространственного заряда в комплексный нелинейный спектр диэлектрической проницаемости нематического жидкого кристалла (ЖК). Используя модель, основанную на системе уравнений Пуассона - Нернста - Планка (ПНП), был численно исследован процесс электромиграции примесных ионов под действием электрического поля. Результаты моделирования показывают, что при низких частотах (<10 Гц) и высоких приложенных электрических напряжениях (превышающих тепловое электрическое напряжение) происходит перераспределение ионов в области около электродов, что приводит к появлению нечетных гармоник в комплексном диэлектрическом спектре ЖК ячейки. Полученные данные могут быть использованы для идентификации низкочастотных релаксационных процессов в ЖК.
Оптические свойства одноосных молекулярных пленок определяются компонентами nj(), kj() показателей преломления Nj() = nj() – ikj() для поляризаций световой волны вдоль (j = ||) и нормально (j = ) оптической оси пленки n. Функции nj(), kj() зависят от положения полос поглощения, сил осцилляторов переходов, отвечающих этим полосам, и параметров ориентационного порядка Uq дипольных моментов mq переходов относительно оси n. Ранее автором были развиты методы определения параметров Uq для полос поглощения в одноосных нематических пленках с использованием компонент (1,2)j() диэлектрических проницаемостей j() = [Nj()]2 = 1j() – i2j() пленки или компонент P(1,2)j() плотностей поляризуемости молекул Pj() = [j() – 1]/fj() = 4Nj() = P1j() – iP2j() в области этих полос. Здесь fj() = 1 + Lj[j() – 1] – компоненты тензора локального поля световой волны в пленке; Lj – компоненты тензора Лорентца для пленки (L|| + 2L = 1); N – число молекул в единице объема пленки; j() = 1j() – i2j() – средние по ансамблю поляризуемости молекул. В данной работе эти методы использованы для определения параметра Uq, отвечающего низкочастотной полосе электронного поглощения в стеклообразной нематической пленке, образованной молекулами-гептамерами монодисперсного олигофлуорена F(Pr)5F(MB)2 с известными зависимостями nj(), kj() в областях прозрачности и электронного поглощения. Экспериментальное значение L = 0,487 получено с использованием функций nj() в видимой области прозрачности. Учет компонент Lj, fj() существенно повышает величину Uq = 0,965, определенную при использовании функций 1j() или P1j(). С учетом анизотропии компонент Lj количественно интерпретированы спектральные особенности функций nj(), kj(), (1,2)j(), P(1,2)j() и соотношений между ними.
Рассмотрены варианты использования тонких пленок на основе свинцово-галогенидного перовскита CsPbBr 3 в качестве фоточувствительных слоев в нематических жидкокристаллических ячейках. Установлено влияние режима термической обработки при превращении тонких пленок перовскитов в устойчивое положение, по отношению к солнечным молекулам нематических жидких кристаллов 4’-пентил-4-бифенилкарбоннитрила. Для сравнения перовскитных пленок были использованы методы спектрофотометрии, оптической микроскопии и измерения воздействия контактных углов смачивания с каплями воды и жидких кристаллов. Разработан первый нематический жидкокристаллический электрооптический модулятор с фоточувствительным слоем на основе перовскитов. С использованием схемы Фредерикса были установлены параметры электрооптических откликов указанной конфигурации устройства.
В работе исследовано влияние немезогенных хиральных добавок (S, S)бис-(1,1,1-трифторокт-2-ил)-4,4”-терфенилдикарбоксилата (FODTA-6) и (S, S)бис(1-бутокси-1-оксопропан-2-ил)-[1,1’:4’1”-терфенил]-4,4”-дикарбо-ксилата (SS-LACT-4) на свойства двух смесевых ферриэлектрических жидких кристаллов (ФЖК) FerriLCM-1 и FerriLCM-2. FODTA-6 индуцирует в смесях полярных смектических С* жидких кристаллов положительный знак спонтанной поляризации и волнового вектора, а SS-LACT-4 - положительный знак спонтанной поляризации, но отрицательный знак волнового вектора. В качестве матрицы используется нехиральный смектический С жидкий кристалл 2-(4’-пентилбифенил-4-ил)-5-гексил-пиримидин (BPP-65). Показано, что отсутствие в составе FerriLCM-2 хиральной добавки SS-LACT-4 приводит к существенному изменению диэлектрических и электрооптических характеристик ФЖК. В смеси FerriLCM-2, по сравнению с FerriLCM-1, уменьшаются следующие параметры: спонтанная поляризация, время электрооптического отклика, вращательная вязкость, диэлектрическая восприимчивость и коэффициент ориентационного эффекта Керра. При этом существенно возрастают электрические критические поля и. В рамках существующей феноменологической теории хиральных смектиков С* получена квадратичная зависимость величины коэффициента ориентационного эффекта Керра от времени свободной релаксации возмущений геликоидальной структуры. Квадратичный характер этой зависимости подтвержден экспериментально, при этом показано, что существуют заметные количественные различия между экспериментом и результатами расчетов для ФЖК.
Внедрение лантаноидсодержащих металломезогенов с уникальными структурными, жидкокристаллическими (ЖК), оптическими и магнитными свойствами в полифункциональные материалы ограничивается сложностью предсказания характеристик получаемых образцов. Неоднозначно установленное влияние строения мезогенных комплексов на оптические свойства, их зависимость от различных факторов и малоизученные фотофизические механизмы усложняют применение данных соединений. Данная работа направлена на расширение теоретических подходов к созданию оптических материалов на основе мезогенных биядерных комплексов европия(III) (Eu(III)) с замещенными β-дикетонами и основаниями Льюиса. На основе проведенных квантово-химических расчетов были изучены взаимосвязи между строением комплексов, их геометрическими параметрами, энергиями возбужденных состояний, параметрами интенсивности люминесценции, скоростями внутримолекулярного переноса энергии и значениями теоретического квантового выхода. Было показано, что в отличие от ЖК-поведения, зависящего в основном от лигандного окружения комплексов Eu(III), их оптические свойства определяются строением лигандов и координационных полиэдров.
Панорамная визуализация потока или теплоотдачи на поверхностных моделях является эффективным и информативным методом исследования направления в пограничном слое. Вследствие развития цифровых и технических возможностей научные исследования все более основаны на анализе больших данных с помощью искусственного интеллекта (ИИ). Насколько оправдано применение тех или иных методов ИИ в каждой конкретной задаче, пока открытый вопрос. Цель работы - обзор результатов применения нейронных сетей (НС) и машинного обучения для решения задач диагностики течений с помощью ЖК. А именно, для измерения полей температуры, тепловых потоков и векторов касательного напряжения внешнего трения. Кроме этого, актуальными задачами являются измерение физической характеристики ЖК и получение новых ЖК-смесей. Обсуждаются возможности и ограничения, области применения и перспективы нейросетевого подключения. А также программные средства для его реализации. Анализ литературных данных показал, что применение НС и глубокого машинного обучения для аппроксимации калибровочных зависимостей температуры и касательного напряжения от многофакторного оптического отклика ЖК позволяет получить точность, сравнимую с пределом контрольной выборки.
Издательство
- Издательство
- СО РАН
- Регион
- Россия, Новосибирск
- Почтовый адрес
- 630090, Новосибирская обл, г Новосибирск, Советский р-н, пр-кт Академика Лаврентьева, д 17
- Юр. адрес
- 630090, Новосибирская обл, г Новосибирск, Советский р-н, пр-кт Академика Лаврентьева, д 17
- ФИО
- Пармон Валентин Николаевич (ПРЕДСЕДАТЕЛЬ СО РАН)
- E-mail адрес
- sbras@sb-ras.ru
- Контактный телефон
- +7 (495) 9381848