ISSN 1991-3966 · EISSN 2499-9644
Язык: ru

Статья: ОПТИЧЕСКИЕ, СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ PSI-CDSE (2025)

Читать онлайн

Методы фотоэлектрохимического травления и распылительного пиролиза были применены при изготовлении солнечного элемента PSi-CdSe. Первый метод был использован при изготовлении пористого кремния со временем травления 10 мин и током травления 15 мА/см2, в то время как второй метод был использован для осаждения тонкой пленки CdSe на пористый кремний при температуре подложки 100 °C с расстоянием между соплами 25 см, 20 распылениями и давлением 7,5 кг/см2. Оптические свойства пленок CdSe показали пики спектра поглощения наночастиц CdSe на длинах волн 460 и 660 нм с энергетической щелью 2,5 эВ. Исследована структура пленки CdSe, где изображения сканирующего электронного микроскопа SEM показали, что пленка CdSe является кристаллической со средним размером зерна около 49,63 нм, что согласуется с результатами анализа спектров рентгеновской дифракции (55,67 нм). Вольт-амперные характеристики перехода аналогичны характеристикам идеального диода и солнечного элемента с током короткого замыкания (2,43 мА/см2), напряжением холостого хода (0,34 В) и коэффициентом заполнения (0,603).

Ключевые фразы: пористый кремний, кадмий-селен, тонкие полупроводниковые пленки, оптические свойства полупроводников, вольт-амперные характеристики диодов, характеристики солнечных элементов
Автор (ы): АЛЬ-ХАДИДИ М., АЛЬ-ФАЙИХ Р. З. А., ХАДЕР Т. М., УОНИС М. М.
Журнал: ЖИДКИЕ КРИСТАЛЛЫ И ИХ ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

УДК
535. Оптика
539.23. Получение тонких слоев, тонких пленок
Для цитирования:
АЛЬ-ХАДИДИ М., АЛЬ-ФАЙИХ Р. З., ХАДЕР Т. М., УОНИС М. М. ОПТИЧЕСКИЕ, СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ PSI-CDSE // ЖИДКИЕ КРИСТАЛЛЫ И ИХ ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ. 2025. ТОМ 25 № 1
Текстовый фрагмент статьи