ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Фотомемристивные переключения в кристаллах селенида висмута (2025)

Читать онлайн

Обнаружен эффект оптических переключений резистивных состояний в структурах на основе халькогенидных соединений Bi2Se3 с медным и графеновым электродами. Предложена физическая модель, описывающая протекающие при переключениях процессы. Полученные результаты указывают на возможность применения исследованных фотомемристорных структур для нейроморфных вычислений в качестве искусственных синапсов, весовые коэффициенты которых можно устанавливать как электрически, так и оптически.

The effect of optical switching of resistive states in structures based on chalcogenide compounds
Bi2Se3 with copper and graphene electrodes was discovered. A physical model describing the processes
occurring during switching was proposed. The obtained results indicate the possibility of using the studied photomemristor structures for neuromorphic computing as artificial synapses, the weight coefficients of which can be set both electrically and optically.

Ключевые фразы: халькогениды, фотомемристоры, резистивные переключения, фото- мемристивные состояния
Автор (ы): Зотов Александр Владимирович
Соавтор (ы): Панин Геннадий Николаевич, Тулина Наталья Алексеевна, Борисенко Дмитрий Николаевич, Колесников Николай Николаевич
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
538.975. Физика тонких пленок, нитевидных кристаллов и дендритов
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-1-55-59
Для цитирования:
ЗОТОВ А. В., ПАНИН Г. Н., ТУЛИНА Н. А., БОРИСЕНКО Д. Н., КОЛЕСНИКОВ Н. Н. ФОТОМЕМРИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. №1
Текстовый фрагмент статьи