ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Характеристики малоформатных матричных фотоприемников (2025)

Читать онлайн

Исследованы малоформатные матричные фотоприемники спектрального диапазона 3÷5 мкм на основе матриц фотодиодов из антимонида индия с минимальной дефект-ностью и однородной чувствительностью. Показано, что отбор пластин из слитков InSb для изготовления МФЧЭ в соответствии с анализом статистических данных и применение группового утоньшения и отмывки позволили получить 22 % бездефект-ных от общего числа матричных фотоприемников (МФП) при бездефектной цен-тральной области. Установлено, что обработка ионами аргона смотрящей стороны фотодиодной матрицы существенно улучшает однородность распределения чувствительности по площади МФП.

Small-format InSb FPA uniformity of sensitivity and defective elements distribution are inves-tigated. Group of thinning make it possible to obtain 22 % defect-free of total number and the defects-free central region FPA. Ionic milling backside of the FPA before anti-reflective coat-ing can significantly suppress the recombination of photo carriers, as well as decreases of sen-sitivity spread over the array area in several times

Ключевые фразы: матричные фотоприемные устройства (мфпу), средневолновый спек-тральный диапазон, антимонид индия, дефектность, однородность чувствительности, групповое утоньшение, ионное травление
Автор (ы): Лопухин Алексей Алексеевич
Соавтор (ы): Пермикина Елена Вячеславовна, Гришина Анна Николаевна
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-1-60-63
Для цитирования:
ЛОПУХИН А. А., ПЕРМИКИНА Е. В., ГРИШИНА А. Н. ХАРАКТЕРИСТИКИ МАЛОФОРМАТНЫХ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. №1
Текстовый фрагмент статьи