Трехмерное моделирование диффузии фотогенерированных носителей заряда методом Монте-Карло было использовано для вычисления пространственных профилей фото-ответа фотодиода фотоприёмной матрицы при сканировании этим диодом узкого линейного пятна засветки в пределе максимально большого и предельно малого фототока, отбираемого диодами матрицы из абсорбера. Моделирование проводилось для традиционной матрицы на основе материала кадмий-ртуть-теллур с архитектурой n-на-p и квадратными диодами. Установлены тонкие детали профилей, обусловленные наличием у матрицы структуры; показана зависимость выявленных особенностей от граничных условий диффузионной задачи на n-областях диодов. Дано объяснение формы профилей, естественным образом вытекающее из вычислительной процедуры задачи.
The three-dimensional Monte Carlo simulation of charge-carrier diffusion in a mercury-cadmium-tellurium based focal plane array (FPA) was used to calculate the spatial diode photoresponse profiles measured while scanning a narrow strip-shaped illumination spot with a selected FPA diode in the limit of largest and lowest diode photocurrents. The simulation was performed for a standard 2D n-on-p FPA with square photodiodes. Fine features in measured spot-scan profiles due to the presence of FPA structure were identified, and the dependence of these features on the boundary conditions for diffusing charge carriers at the n-type diode regions was demonstrated. An explanation to the shape of the profiles, fully consistent with the computational procedure of the problem, is given.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2021-3-47-53
- eLIBRARY ID
- 46342895
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.