Тонкая структура пространственных профилей фотоответа диода фотоприемной матрицы при сканировании им узкого линейного пятна засветки (2021)
Трехмерное моделирование диффузии фотогенерированных носителей заряда методом Монте-Карло было использовано для вычисления пространственных профилей фото-ответа фотодиода фотоприёмной матрицы при сканировании этим диодом узкого линейного пятна засветки в пределе максимально большого и предельно малого фототока, отбираемого диодами матрицы из абсорбера. Моделирование проводилось для традиционной матрицы на основе материала кадмий-ртуть-теллур с архитектурой n-на-p и квадратными диодами. Установлены тонкие детали профилей, обусловленные наличием у матрицы структуры; показана зависимость выявленных особенностей от граничных условий диффузионной задачи на n-областях диодов. Дано объяснение формы профилей, естественным образом вытекающее из вычислительной процедуры задачи.
The three-dimensional Monte Carlo simulation of charge-carrier diffusion in a mercury-cadmium-tellurium based focal plane array (FPA) was used to calculate the spatial diode photoresponse profiles measured while scanning a narrow strip-shaped illumination spot with a selected FPA diode in the limit of largest and lowest diode photocurrents. The simulation was performed for a standard 2D n-on-p FPA with square photodiodes. Fine features in measured spot-scan profiles due to the presence of FPA structure were identified, and the dependence of these features on the boundary conditions for diffusing charge carriers at the n-type diode regions was demonstrated. An explanation to the shape of the profiles, fully consistent with the computational procedure of the problem, is given.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2021-3-47-53
- eLIBRARY ID
- 46342895
-
Монте-Карло расчеты диффузии ФНЗ в фоточувствительной плёнке матричных фотоприёмников на основе материала КРТ выяв-ляют «тонкую структуру» профилей фотоответа диода при сканировании им резких линейных пятен засветки. Причиной появления соответствующих особенностей в распределениях локальной эффективной длины диффузии ld eff local (x) является наличие у мат-рицы дискретной диодной структуры. Появ-ление максимумов на месте минимумов распределений ld eff local (x) при переходе от случая с сильным отбором фототока из абсорбера к случаю со слабым отбором является следствием модификация граничных условий диффузионной задачи обратно- или прямосмещенными диодами, находящимися на диодной стороне ФП и реализующих поглощение или «отражение с переносом» ФНЗ в области пятна на соответствующей границе.
-
Характерная погрешность в определении объемной длины диффузии ФНЗ в материале абсорбера, связанная с их дополнительным латеральным «переносом» при «отражении» от диодов с частично снятым встроенным барьером, для актуальных случаев составляет 20–25 %.
Список литературы
- Vishnyakov A. V., Stuchinsky V. A., Brunev D. V., Zverev A. V., Dvoretsky S. A. // Appl. Phys. Lett. 2014. Vol. 104. P. 092112. https://doi.org/10.1063/1.4867349.
- Vishnyakov A. V., Stuchinsky V. A., Brunev D. V., Zverev A. V., Dvoretsky S. A. // J. Appl. Phys. 2015. Vol. 118. P. 124508. https://doi.org/10.1063/1.4931614.
- Vishnyakov A. V., Stuchinsky V. A., Brunev D. V., Zverev A. V., Dvoretsky S. A. // Proc. SPIE 9220, Infrared Sensors, Devices, and Applications IV, Ed. by P. D. LeVan, A. K. Sood, P. Wijewarnasuriya, and A. I. D’Souza, 92200W (7 October 2014); doi: 10.1117/12.2061573.
- Dvoretsky S. A., Vasil’ev V. V., Predein A. V., Vishnyakov A. V., Stuchinsky V. A., Brunev D. V., Zverev A. V. // Determination of the bulk and local diffusion-length values of charge carriers in MCT films and in the absorber layers of MCT-based photovoltaic IR FPA detec-tors, in: Optoelectronics – Materials and Devices, Ed. by S. L. Pyshkin and J. Ballato, IntechOpen, doi: 10.5772/60717.
- Вишняков А. В., Стучинский В. А., Брунев Д. В., Зверев А. В., Дворецкий С. А. // Прикладная физика. 2015. № 1. С. 44.
- Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1990.
- Стучинский В. А., Вишняков А. В. / Труды XXV Международной научно-технической конференции и школы по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Том 2. – М.: АО НПО «Орион», 2018. С. 430–433.
- Стучинский В. А., Вишняков А. В. / Труды XXV Международной научно-технической конференции и школы по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Том 2. – М.: АО НПО «Орион», 2018. С. 424–427.
- Polovinkin V. G., Stuchinsky V. A., Vishnyakov A. V., Lee I. I. // IEEE Trans. Electron Dev. 2018. Vol. 65. № 11. P. 4924. doi: 10.1109/TED.2018.2872129.
- Стучинский В. А., Вишняков А. В., Сидоров Г. Ю. // Прикладная физика. 2019. № 2. С. 39.
- Vishnyakov A. V., Vasiliev V. V., Sabinina I. V., Sidorov G. Yu., Stuchinsky V. A. // Optoelectron. Instru-ment. Proc. 2019. Vol. 55. P. 519.
https://doi.org/10.3103/S8756699019050169.
- A. V. Vishnyakov, V. A. Stuchinsky, D. V. Brunev, A. V. Zverev, and S. A. Dvoretsky, Appl. Phys. Lett. 104, 092112 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4867349.
- A. V. Vishnyakov, V. A. Stuchinsky, D. V. Brunev, A. V. Zverev, and S. A. Dvoretsky, J. Appl. Phys. 118, 124508 (2015). https://doi.org/10.1063/1.4931614
- A. V. Vishnyakov, V. A. Stuchinsky, D. V. Brunev, A. V. Zverev, and S. A. Dvoretsky, Proc. SPIE 9220, Infrared Sensors, Devices, and Applications IV. Ed. by P. D. LeVan, A. K. Sood, P. Wijewarnasuriya, and A. I. D’Souza, 92200W (7 October 2014); doi: 10.1117/12.2061573.
- S. A. Dvoretsky, V. V. Vasil’ev, A. V. Predein, A. V. Vishnyakov, V. A. Stuchinsky, D. V. Brunev, and A. V. Zverev, in: Optoelectronics – Materials and Devices. Ed. by S. L. Pyshkin and J. Ballato (IntechOpen, 2015). doi: 10.5772/60717.
- A. V. Vishnyakov, V. A. Stuchinsky, D. V. Brunev, A. V. Zverev, and S. A. Dvoretsky, Applied Physics, No. 1, 44 (2015) [in Russian].
- V. L. Bonch-Bruevitch and S. G. Kalashnikov, Physics of Semiconductors (Nauka Press, Moscow, 1990) [in Rus-sian].
- V. A. Stuchinsky and A. V. Vishnyakov, in Proceedings of the XXV International Scientific and Engineering Conference on Photoelectronics and Night-Vision Devices (Orion Research and Production Association, Moscow, 2018), Vol. 2, pp. 430–433 [in Russian].
- V. A. Stuchinsky and A. V. Vishnyakov, in Proceedings of the XXV International Scientific and Engineering Conference on Photoelectronics and Night-Vision Devices (Orion Research and Production Association, Moscow, 2018), Vol. 2, pp. 424–427 [in Russian].
- V. G. Polovinkin, V. A. Stuchinsky, A. V. Vishnyakov, and I. I. Lee, IEEE Trans. Electron Dev. 65 (11), 4924 (2018). doi: 10.1109/TED.2018.2872129.
- V. A. Stuchinsky, A. V. Vishnyakov, and G. Yu. Sidorov, Applied Physics, No. 2, 39 (2019) [in Russian].
- A. V. Vishnyakov, V. V. Vasiliev, I. V. Sabinina, G. Yu. Sidorov, and V. A. Stuchinsky, Optoelectron. Instrument. Proc. 55, 519 (2019). https://doi.org/10.3103/S8756699019050169.
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Лебедев Ю. А., Татаринов А. В., Эпштейн И. Л., Титов А. Ю.
Особенности процессов в СВЧ-разряде в парах воды 5
Голятина Р. И., Майоров С. А.
Сечения столкновений электронов с атомами инертных газов 11
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
Тепловое излучение протяженных частиц с субволновыми поперечными размерами 17
Абрамов А. В.
Прямое измерение потенциалов в системе реактивного ионно-плазменного травления 26
Двинин С. А., Синкевич О. А., Кодирзода З. А., Солихов Д. К.
Об импедансе высокочастотного емкостного разряда при различных способах возбуждения 33
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Зиенко С. И., Жбанова В. Л.
Фурье-анализ спектральных характеристик матричного фотоприемника в частотной и временной области 39
Стучинский В. А., Вишняков А. В.
Тонкая структура пространственных профилей фотоответа диода фотоприемной матрицы при сканировании им узкого линейного пятна засветки 47
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Мазинов А. С., Гурченко В. С., Тютюник А. С.
Вольт-амперные и спектральные характеристики гетероструктур водорастворимый фуллерен – 4-метилфенилгидразон N-изоамилизатина 54
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Пщелко Н. С., Царёва О. С.
Физические основы использования электрического поля для повышения точности определения направления малых углов отклонений 60
Сафронов А. А., Кузнецов В. Е., Дудник Ю. Д., Ширяев В. Н., Васильева О. Б.
Плазменное получение ультрадисперсных оксидов железа и алюминия 66
Бритенков А. К., Фарфель В. А., Боголюбов Б. Н.
Сравнительный анализ электроакустических характеристик компактных низкочастотных гидроакустических излучателей высокой удельной мощности 72
Гибин И. С., Котляр П. Е.
Гелий-графеновый оптико-акустический преобразователь предельной чувствительности 78
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Lebedev Yu. A., Tatarinov A. V., Epstein I. L., and Titov A. Yu.
Features of processes in a microwave discharge in water vapor 5
Golyatina R. I. and Maiorov S. A.
Cross sections of electron collisions with noble gases atoms 11
Sviridov A. N. and Saginov L. D.
Thermal radiation of extended particles with subwavelength transverse dimensions 17
Abramov A. V.
Direct measurement of potentials in a reactive ion-plasma etching system 26
Dvinin S. A., Sinkevich O. A., Kodirzoda Z. A., and Solikhov D. K.
On the impedance of a high-frequency capacitive discharge with different excitation methods 33
PHOTOELECTRONICS
Zienko S. I. and Zhbanova V. L.
Fourier analysis of spectral characteristics of a matrix photodetector in the frequency and time domain 39
Stuchinsky V. A. and Vishnyakov A. V.
Fine structure of spatial diode photoresponse profiles measured while scanning a narrow strip-shaped illumination spot with FPA diode 47
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Mazinov A. S., Gurchenko V. S., and Tyutyunik A. S.
Current-voltage and spectral characteristics of heterostructures of fullerene-water system – N-isoamylisatin 4-methylphenylhydrazone 54
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Pshchelko N. S. and Tsareva O. S.
Physical foundations of using an electric field to improve the accuracy of determining the direction of small angles of deviations 60
Safronov A. A., Kuznetsov V. E., Dudnik Yu. D., Shiryaev V. N., and Vasilieva O. B.
Plasma way to obtain ultrafine iron and aluminum oxides 66
Britenkov A. K., Farfel V. A., and Bogolyubov B. N.
Comparison and analysis of electroacoustic characteristics of high power density compact low frequency hydroacoustic transducers 72
Gibin I. S. and Kotlyar P. E.
Helium-graphene optical-acoustic converter of extreme sensitivity 78
Другие статьи выпуска
Рассматриваются существующие методы геодезического мониторинга деформаций и вызываемых ими отклонений. Показано, что за счет нестабильности положения груза, подвешенного на нити в достаточно сильном электрическом поле, возможно измерение направления отклонения контролируемого объекта даже при отклонении, стремящемся к нулю. Рассмотрена количественная модель для расчета значений используемых электрических напряжений, обеспечивающих безотказную работу устройства. Предложены основные элементы конструкции устройства и способ регистрации информационного сигнала. Делается вывод о наличии предпосылок для широкого внедрения подобных устройств для определения направления малых отклонений, основанных на использовании электрического поля.
Представлены спектры пропускания и поглощения электромагнитного излучения для тонких пленок, полученных методом полива из растворов фуллерена в воде и 4-метилфенилгидразона N-изоамилизатина в хлороформе. Описана методика получения, синтез, микроскопия углеродных и органических пленок. Показаны спектры взаимодействия электромагнитного излучения с тонкими пленками в видимом (длины волн 400–920 нм) и ИК (волновые числа 650–4000 см-1) диапазонах. Определены оптимальные толщины активных слоев гетероструктуры на основе водных растворов фуллерена и 4-метилфенилгидразона N-изоамилизатина, что позволило получить максимальное увеличение проводимости.
Целью работы является исследование частотных и временных характеристик фотоприемника с помощью прямого и обратного преобразования Фурье. В качестве объекта исследования выбраны спектральные характеристики матричного фотоприемника. Для каналов преобразователя установлено, что частотный спектр состоит из двух элементарных полос в форме кривых Гаусса. Выявлено, что спектры обладают сверхширокополосными свойствами. Импульсная (временная) характеристика спек-тров описывается уравнением в аналитическом виде, которая хорошо согласуется с расчетом. Время нарастания переходной характеристики составляет 1,8–2,9 фс.
На процесс поглощения света заметное влияние оказывает влияние диэлектрическая релаксация заряда. Полученные результаты позволяют получить важную информацию о свойствах фотоприемника в частотной и временной области.
Рассмотрена задача о емкостном ВЧ-разряде низкого давления ( << ) с электродами большой площади при возбуждении его электромагнитным полем частотой от 13 до 900 МГц. Получены общие аналитические формулы для амплитуд собственных волн и импеданса разряда. Учтено, что возбуждение поверхностных волн и высших нераспространяющихся мод происходит как благодаря осевой неоднородности структуры «плазма-слой-металл», так и за счет краевых эффектов у среза электрода. Более высокая амплитуда резонансных мод в сравнении с возбуждением разряда ТЕМ-волной в данном случае приводит к бо́льшей изрезанности зависимости импеданса разряда от плотности электронов. Данный вывод подтвержден прямым расчетом импеданса с помощью программы Comsol Multiphysics®.
Представлены устройства для прямого измерения потенциала плазмы и плавающего потенциала в газовом разряде в системе реактивного ионно-плазменного травления.
В основе действия разработанных для этого устройств лежит создание локального магнитного поля, позволяющего целенаправленно менять условия амбиполярной диффузии заряженных частиц. Это дает возможность осуществлять выравнивание потенциалов зонда и тела положительного столба плазмы. Проведено сравнение результатов измерения потенциала плазмы предлагаемым и альтернативным методами.
В работе предложена новая методика расчетов интегральных и спектральных коэффициентов излучения протяженных субволновых частиц (ПСЧ), к которым относятся микро- и наноцилиндры, а также параллелепипеды. Проведено сопоставление результатов расчетов по предложенной методике с расчетными и экспериментальными данными, найденными в литературе. Показано, что при уменьшении только поперечных размеров ПСЧ (от величин много больших λmax, до величин много меньших λmax) из спектра излучения, который первоначально описывался законом Планка и содержал моды, как с поляризацией, направленной вдоль оси, так и с поляризацией, направленной перпендикулярно оси, будут постепенно исключаться моды с длинами волн, превышающими λcutoff (λcutoff – длина волны отсечки), имеющие поляризацию перпендикулярную продольной оси ПСЧ, в то время как моды с длинами волн, поляризованные вдоль оси ПСЧ, будут всегда присутствовать в спектре излучения ПСЧ. Когда поперечные размеры ПСЧ станут много меньше λmax, то из спектра излучения этого ПСЧ исчезнут все моды с поляризацией, перпендикулярной оси, и останутся только моды с продольной поляризацией. Это является принципиальным отличием от СЧ, рассмотренных ранее в работах [16, 17], в которых предложены методы расчета таких СЧ, как диски, сферы, кубики. Все предложенные методики расчетов используют формализм разложения потоков излучения на спектрально-пространственные моды.
В работе представлен анализ данных по сечениям упругих и неупругих столкновений электронов с атомами благородных газов. Рассмотрены транспортное (диффузионное) сечение, сечения возбуждения и ионизации. Для выбранных наборов экспериментальных и теоретических данных найдены оптимальные аналитические формулы и для них подобраны аппроксимационные коэффициенты. Полученные полуэмпирические формулы позволяют воспроизводить значения сечений в широком диапазоне энергий столкновения от 0,001 до 10000 эВ с точностью нескольких процентов.
Проведено нульмерное стационарное моделирование СВЧ-разряда в парах воды при атмосферном и пониженном давлениях и постоянной температуре газа. Использовалась модель реактора непрерывного перемешивания. Проведено совместное решение уравнений баланса для нейтральных и заряженных компонент плазмы, уравнения Больцмана для электронов плазмы и уравнения для стационарного распределения СВЧ-поля в объеме, заполненном плазмой. Получены зависимости различных пара-метров разряда (величины СВЧ-поля, концентраций всех компонент) от вложенной удельной мощности WV. Показано, что при пониженном давлении при одной и той же вложенной удельной мощности величина СВЧ-поля в плазме существенно меньше, а концентрация электронов выше, чем при атмосферном давлении. При атмосферном давлении в интервале рассмотренных значений WV плазма воды электроотрицательна, причем квазинейтральность поддерживается отрицательным ионом OH-.
При давлении 30 Торр и вложенной удельной мощности 60–70 кВт/см3 происходит пе-реход от электроотрицательной к электроположительной плазме.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400