Метод расчета концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях группы нитридов с учетом модели зонных состояний (2021)

Из-за особенностей легирования полупроводниковых структур группы нитридов и высокой степени компенсации, существует проблема определения концентрации легирующей примеси традиционными методами. В работе предложен и исследован метод расчета концентрации носителей заряда с учетом модели зонных состояний в полупроводниковых структурах группы нитридов n-типа проводимости. Метод основан на уравнении электронейтральности носителей заряда с учетом статистического закона распределения носителей в зонах и на дополнительных уровнях в запрещенной зоне.

For doping semiconductor structures based on the nitride group with the high degree of compensation, it is important to determine the concentration of the dopant and the activation energy. In this paper, a calculation method of the charge carrier concentration have been proposed and investigated, taking into account the statistics depend on whether band states or donor or acceptor states in semiconductor structures of nitride group. The method is based on the equa-tion of charge balance, taking into account the statistical law of carrier distribution in the zones and at additional levels in the band gap.

Тип: Статья
Автор (ы): Улькаров Вадим Айратович
Соавтор (ы): Дирочка Александр Иванович, Яковлева Наталья
Ключевые фразы: CONCENTRATION

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID
45648264
Текстовый фрагмент статьи