Метод расчета концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях группы нитридов с учетом модели зонных состояний (2021)
Из-за особенностей легирования полупроводниковых структур группы нитридов и высокой степени компенсации, существует проблема определения концентрации легирующей примеси традиционными методами. В работе предложен и исследован метод расчета концентрации носителей заряда с учетом модели зонных состояний в полупроводниковых структурах группы нитридов n-типа проводимости. Метод основан на уравнении электронейтральности носителей заряда с учетом статистического закона распределения носителей в зонах и на дополнительных уровнях в запрещенной зоне.
For doping semiconductor structures based on the nitride group with the high degree of compensation, it is important to determine the concentration of the dopant and the activation energy. In this paper, a calculation method of the charge carrier concentration have been proposed and investigated, taking into account the statistics depend on whether band states or donor or acceptor states in semiconductor structures of nitride group. The method is based on the equa-tion of charge balance, taking into account the statistical law of carrier distribution in the zones and at additional levels in the band gap.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 45648264
В работе представлен метод расчёта концентрации носителей заряда в гетеро-структурах GaN n-типа проводимости с учетом уравнения нейтральности носителей заряда и статистического закона распределения носителей заряда на различных разрешенных уровнях, причем как в зонах проводимости и валентной, так и на дополнительных уровнях, расположенных в запрещенной зоне.
В соответствии с предложенным методом, определены концентрации носителей заряда. Метод позволяет определять концентрацию носителей заряда и рассчитывать энергию активации легирующих примесей для образцов группы нитридов с любым количеством разрешенных уровней энергии в запрещенной зоне, учитывая наличие донорных и акцепторных состояний и степень их компенсации.
Проведен анализ экспериментально по-лученных данных и сравнение их с теоретическим расчётами. Для метода зонных состояний наблюдается хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей. Разработанный метод позволяет определять электрофизические параметры материалов группы нитридов (концентрация, подвижность носителей заряда), что может способствовать оптимизации процесса производства фотоприемников и улучшения их качества.
Список литературы
- Look D. C. Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices. – John Wiley & Sons, Inc. 1989.
- Huang D., Yun F., Visconti P., Reshchikov M. A., Jones K. M., Wang D., Morko H., Rode D. L., Farina L. A., Kurdak З., Tsen K. T., Park S. S., Lee K. Y. // Solid-State Electronics. 2001. Vol. 45. No. 5. Р. 711.
- Gotz W., Johnson N. M., Chen C., Liu H., Kuo C., Imler W. // Applied Physics Letters. 1996. Vol. 68. Р. 3144.
- Улькаров В. А., Яковлева Н. И., Никонов А. В. // Успехи прикладной физики. 2020. Т. 8. № 3. С. 199.
- D. C. Look, Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices (John Wiley & Sons, Inc., 1989).
- D. Huang, F. Yun, P. Visconti, M. A. Reshchikov, K. M. Jones, D. Wang, H. Morko, D. L. Rode, L. A. Farina, З. Kurdak, K. T. Tsen, S. S. Park, and K. Y. Lee, Solid-State Electronics 45 (5), 711 (2001).
- W. Gotz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, Applied Physics Letters 68, 3144 (1996).
- V. A. Ulkarov, N. I. Yakovleva, and A. V. Nikonov, Usp. Prikl. Fiz. 8 (3), 199 (2020).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Крутов В. В., Сигов А. С.
Формирование сегнетоэлектрических фотонных кристаллов с периодом 1,5–10 мкм с использованием поперечных акустических волн 5
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
Тепловое излучение субволновых частиц 12
Исмаилов А. М., Муслимов А. Э., Каневский В. М.
Люминесцентный анализ процессов травления сапфира с нанокристаллами золота в потоке электронов 22
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Каторов А. С., Ревазов В. О., Якубов Р. Х.
Особенности инициирования разряда в вакуумном промежутке излучением
ИК-диапазона 30
Гавриш С. В., Кугушев Д. Н., Пугачев Д. Ю., Ушаков Р. М.
Пространственное распределение излучения импульсных ксеноновых ламп с различной конфигурацией плазменного канала 37
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Саенко А. В., Малюков С. П., Палий А. В., Гончаров Е. В.
Влияние дырочного проводящего слоя Cu2O на характеристики перовскитных солнечных элементов 45
Яковлева Н. И.
Усовершенствованная архитектура фотодиода на основе CdHgTe, предназначенного для регистрации слабого инфракрасного излучения 52
Улькаров В. А., Дирочка А. И., Яковлева Н. И.
Метод расчета концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях группы нитридов с учетом модели зонных состояний 60
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Жабин Г. А., Лябин Н. А., Скупневский Е. В., Архипов Д. Ю., Долгих К. О.
Возможности применения фемтосекундного волоконного лазера в изготовлении термоэмиссионных катодов 67
Кравчук Д. А.
Моделирование восстановления оптоакустического изображения оксигенированных эритроцитов 73
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Гандилян С. В., Гандилян Д. В.
Физико-математическое моделирование динамических процессов самоорганизации в сложных наноэлектромеханических системах 78
Денисов Д. Г.
Многофакторная модель управления формообразованием крупногабаритных оптических деталей 85
Рыков А. В., Луппов А. В., Поздин В. Н.
Методы комплексного анализа сигналов для тестирования радиоприёмной аппаратуры 95
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
Krutov V. V. and Sigov A. S.
Formation of ferroelectric photonic crystals with a period of 1.5–10 μm using transverse acoustic waves 5
Sviridov A. N. and Saginov L. D.
Thermal radiation of subwavelength particles 12
Ismailov A. M., Muslimov A. E., and Kanevsky V. M.
Luminescent analysis etching processes of sapphire with gold nanocrystals in electron beam 22
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Davydov S. G., Dolgov A. N., Katorov A. S., Revazov V. O., and Yakubov R. Kh.
Some features of discharge initiation in vacuum gap by optical range radiation 30
Gavrish S. V., Kugushev D. N., Pugachev D. Y., and Ushakov R. M.
Spatial distribution of radiation from pulsed xenon gas-discharge lamps with different configurations of the plasma channel 37
PHOTOELECTRONICS
Sayenko A. V., Malyukov S. P., Palii A. V., and Goncharov E. V.
Influence of a Cu2O hole-transport layer on perovskite solar cells characteristics 45
Iakovleva N. I.
Advanced architecture of CdHgTe photodiode for detection of weak infrared radiation 52
Ulkarov V. A., Dirochka A. I., and Yakovleva N. I.
Investigation of methods for calculating the concentration of charge carriers in semiconductor compounds of the nitride group 60
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Zhabin G. A., Lyabin N. A., Skupnevsky E. V., Arkhipov D. Yu., and Dolgikh K. O.
The possibilities of using a femtosecond fiber laser in the manufacture of thermionic cathodes 67
Kravchuk D. A.
Modeling the recovery of the optoacoustic image of oxygenated erythrocytes 73
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Gandilyan S. V. and Gandilyan D. V.
Physical and mathematical modeling of dynamic processes of self-organization in complex nanoelectromechanical systems 78
Denisov D. G.
Analysis of the error of the optical material removal function in a multivariate mathematical model for controlling the shaping process large optical parts 85
Rykov A. V., Luppov A. V., and Pozdin V. N.
Methods of complex signal analysis for testing radio receiving equipment 95
Другие статьи выпуска
Рассмотрены методы оценки качества сигналов цифровой радиоприёмной аппаратуры и вопросы повышения надёжности аппаратуры за счёт расширения аппарата комплексного анализа сигналов при проведении её тестирования. Представлены методы и алгоритмы идентификации искажений выходных сигналов на основе аппарата вейвлет-анализа. Описана методика определения гармонического искажения сигнала при тестировании цифровой радиоприёмной аппаратуры, основанная на Фурье-преобразовании, показаны её недостатки в условиях анализа быстро изменяющихся сигналов. В качестве альтернативы предложена методика анализа нестационарных сигналов, основанная на вейвлет-преобразовании, а также введён новый критерий оценки гармонического искажения сигналов – коэффициент искаженности.
Рассмотрены особенности технологических процессов управления формообразованием оптических поверхностей крупногабаритных плоских деталей на этапах шлифования и полирования на современных станках непрерывного формообразования полно-размерным инструментом. Дано обоснование структуры многофакторной математической модели процессов шлифования и полирования плоских оптических поверхностей на основе изучения законов движения исполнительных механизмов и зо-ны обработки оптических станков непрерывного формообразования полноразмерным инструментом. Приведён анализ влияния технологических факторов и физико-химических особенностей процессов обработки поверхностей плоских оптических деталей на функцию съёма оптического материала модели химико-механического метода обработки (CMP – chemical mechanical polishing). Проведён анализ исследования погрешности функции съёма оптического материала представленной многофакторной математической модели с рекомендацией к фиксации определённых значений главных кинематических параметров станочного оборудования.
Рассматриваются вопросы моделирования процессов самоорганизации и само сборки в сложных наноэлектромеханических системах (НЭМС) с бинарно-сопряженными функциональными элементами подсистемам и исследуется возникновение в них эф-фекта самоорганизации. На базе предложенных принципов моделирования устанавливается возможность создания изделий НЭМС с совмещением действующих гармонично технических и природных функциональных элементов (например, сложных многоэлементных систем нелинейно связанных разноструктурных молекулярных моторов).
Оптоакустическая визуализация позволяет обнаруживать сформированные ультра-звуковые волны в исследуемой среде при поглощении импульсного лазерного излучения на основе оптоакустического эффекта. Этот метод объединяет достоинства спек-трального оптического контраста и масштабируемого акустического разрешения на глубине от миллиметра до сантиметра и постепенно становится практическим инструментом для многих биомедицинских приложений. Оптоакустическая визуализация – это гибридный неинвазивный метод. В последние годы восстановлению опто-акустических изображений уделяется большое внимание, в частности, разрабатываются различные методы реконструкции, такие как обратная проекция, реконструкция в частотной области, обращение времени и реконструкции на основе моделей. Хотя эти методы основаны на различных теориях распространения, они имеют относительно простые реализации при восстановлении изображений в однородных средах. Однако в случаях неоднородных слоистых сред, существующие модели распространения необходимо модифицировать для учета различных акустических эффектов на границе раздела слоев, что усложняет процесс реконструкции. Для устранения искажений, вызванных дифракцией акустических волн, при реконструкции изображений используется метод перемещения виртуального детектора. Предложенный метод можно использовать для получения изображений в слоистых неоднородных средах.
Показаны возможности применения волоконного лазера с фемтосекундной длительностью импульсов излучения в изготовлении миниатюрных термоэмиссионных катодов из 50 мкм вольфрам-рениевой фольги. Катодный узел, состоящий из подогревателя и керна, выполнен в виде цельной конструкции с нанесенным методом ионно-плазменного напыления оксидным покрытием. Представлены эмиссионные характеристики катода.
Проанализированы темновые токи в усовершенствованной архитектуре матрицы фотодиодов на основе тройного соединения CdHgTe, предназначенной для регистрации слабого инфракрасного излучения. Формирование областей противоположной проводимости в широкозонном слое уменьшает вклад токов генерации-рекомбинации ШРХ, что увеличивает влияние Оже-механизмов, определяющих ток диффузии. Используя области различного состава с переходными подслоями с уменьшенной на границах раздела скоростью поверхностной рекомбинации, можно снизить вклад поверхностных механизмов в суммарный темновой ток фотодиода. За счет правильного выбора состава области поглощения и верхнего широкозонного слоя в усовершенствованной архитектуре ФЧЭ можно добиться уменьшения темнового тока, что позволяет повысить фотоэлектрические параметры.
Предложена модель перовскитного солнечного элемента со структурой FTO/TiO2/CH3NH3PbI3-xClx/Cu2O/Au в программе численного моделирования SCAPS-1D. Проведено исследование влияния толщины слоя перовскита CH3NH3PbI3-xClx, а также толщины, концентрации акцепторов и подвижности дырок в слое Cu2O на фотоэлектрические характеристики солнечных элементов. Получено, что оптимальная толщина слоя перовскита составляет 600–700 нм. Увеличение толщины слоя Cu2O от 50 до 500 нм не оказывает существенного влияния на эффективность солнечного элемента, при этом оптимальная концентрация акцепторов в слое Cu2O составляет 1018–1019 см-3, а подвижность дырок должна быть более 0,1 см2/(В с). Показано, что перовскитный солнечный элемент с дырочным проводящим слоем Cu2O обладает лучшими характеристиками по сравнению со слоем Spiro-OMeTAD и имеет наибольшую эффективность 21,55 %.
Приведены результаты экспериментальных исследований пространственного распределения излучения импульсных ксеноновых ламп с прямой и U-образной конфигурацией плазменного канала в ультрафиолетовом и ближнем инфракрасном спектральном диапазоне. Показана зависимость формы индикатрисы от конструктивных особенностей импульсной лампы, коэффициентов поглощения плазмы и оболочки, ограничивающей разряд.
Экспериментально изучен процесс коммутации миниатюрного вакуумного двухэлектродного разрядника ИК-излучением импульсного лазера. Установлено, что существует минимальное, необходимое для инициирования разряда в вакуумном промежутке, значение энергии излучения, и пороговое значение, начиная с которого проявляется зависимость регистрируемых временных параметров процесса коммутации от энергии лазерного импульса. При энергиях ниже порогового значения задержка появления тока изменяется слабо, при энергиях выше – быстро убывает с ростом энергии излучения. Показан характер зависимости обеих величин от термодинамических параметров материала катода, на поверхности которого находится пятно фокусировки.
В представленной работе изучена кинетика процессов радиационно-индуцированной перестройки поверхности сапфира с нанокристаллами золота с использованием временной зависимости спектров катодолюминесценции. Показано, что основными центрами окраски в УФ-области спектра катодолюминесценции сапфира являются F+-центры, а F-полоса подавлена. Исследование временной зависимости интенсивно-сти F+-центров подтверждает отсутствие этапа поверхностного плавления сапфи-ра в процессе облучения потоком электронов с ускоряющим напряжением 50 кэВ.
Малая величина уширения линии Cr3+ соответствует незначительным отклонениям температуры на поверхности сапфира в процессе электронного облучения. Предложена качественная модель описывающая травление поверхности сапфира с нанокристаллами золота в процессе воздействия электронов. В основе рассмотренной модели лежит радиационно-индуцированный Оже-распад сапфира и формирование в процессе протекания экзотермической реакции интерметаллических фаз Au-Al.
Предложена методика расчетов зависимостей коэффициентов излучения субволновых частиц (СЧ) из различных материалов, имеющих форму дисков, сфер, кубиков и цилиндров от их размеров (D) и температуры (T), для случаев, когда внешнее электромагнитное излучение практически не влияет на их температуру. Для всех перечисленных видов частиц определены cutoff – длины волн отсечки, зависящие от размеров СЧ и – коэффициентов формы частиц. При уменьшении размеров частиц из спектра излучения, который первоначально описывался законом Планка, постепенно исключаются длины волн, превышающие cutoff , что приводит, соответственно, к уменьшению интегрального излучения, уменьшению коэффициентов излучения и смещению спектра излучения в синюю область. Предложена также простая схема определения – коэффициентов излучения СЧ по рассчитанному графику (U), где: U = (DT)/B; B – постоянная формулы смещения Вина.
Показано, что при воздействии интерферирующих поперечных акустических волн на сегнетоэлектрик через слой жидкого электрода возможно формирование регулярных доменных структур с периодом 1,5–10 мкм на частотах 400–30 МГц соответственно. Рассмотрены варианты с жидкими электродами на основе сильно диссипативных жидкостей [C4mim][PF6] и LiPF6–PC. Получены частотные зависимости пространственного периода доменной структуры и углов падения поперечных волн на границу «звукопровод-жидкость» для частот, ограниченных рамками ньютоновской модели жидкости. На основе результатов моделирования даны рекомендации по выбору типа жидких электродов, значений несущей частоты акустических волн для заданного периода формируемой структуры, а также углов падения волн на границу «парателлурит-жидкость» при комнатной температуре.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400