Влияние проникающих излучений на электрический низкочастотный шум полупроводников (2021)

Изучено влияние проникающих излучений на электрический низкочастотный шум полупроводников. Получены формулы для определения количества дефектов структуры в полупроводниках, возникающих вследствие воздействия проникающего излучения. Получено выражение общего вида для спектра электрического низкочастотного шума в полупроводниках при воздействии на них проникающего излучения. Установлена количественная связь спектра электрического низкочастотного шума с развитием нарушений структуры полупроводников, вызванных проникающими излучениями. Полученные результаты могут быть использованы для определения спектров электрического шума в полупроводниках различных типов и в многочисленных полупроводниковых приборах. Вычисленные выражения позволяют провести оценки интенсивности электрического низкочастотного шума, из которых могут быть сделаны выводы о возможности функционирования и надежности полупроводниковых приборов. Установленная связь электрического шума с радиационными дефектами может быть использована для оценки по спектральным характеристикам шума дефектности структуры полупроводников, подвергавшихся радиационным повреждениям.

The influence of penetrating radiations on the electrical low-frequency noise of semiconductors is studied. Expression is calculated that determines the number
of structural defects in semiconductors arising from exposure to penetrating radia-tion. General form expression is calculated for the spectrum of electrical low-frequency noise in semiconductors when exposed to penetrating radiation. Quantitative relationship was established between the spectrum of electrical low-frequency noise and the development of disturbances in the structure of semiconductors caused by penetrating radiations. The results obtained can be used to determine the spectra of electrical noise in semiconductors of various types and in numerous semiconductor devices. The results of the article have practical applications. Calculated expressions allow to make estimates of the intensity of electrical low-frequency noise, from which conclusions can be drawn about possibility of functioning and reliability of semiconductor devices. Established relationship between electrical noise and radia-tion defects can be used to estimate, based on spectral characteristics of the noise, the defectiveness of structure of semiconductors subjected to radiation damage.

Тип: Статья
Автор (ы): Якубович Борис Иосифович

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
538.9. Физика конденсированного состояния (жидкое и твердое состояния) (микроскопическое описание)
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2021-9-3-181-186
eLIBRARY ID
46341773
Текстовый фрагмент статьи