Спектральные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей (2021)
Исследовано влияние температуры окружающей среды и напряжения питания на спектральную чувствительность и динамический диапазон опытных образцов кремниевых фотоумножителей производства ОАО «Интеграл» (Республика Беларусь) и серийно выпускаемых фотоумножителей Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что максимум спектральной чувствительности кремниевых фотоумножителей сдвинут в коротковолновую область и соответствует длине волны оптического излучения 470 нм. Показано, что увеличение напряжения питания приводит к увеличению чувствительности исследуемых фотоприемников, а зависимость чувствительности от температуры по-разному проявляется при воздействии оптическим излучением разной длины волны.
Recently multipixel avalanche photodetectors, called silicon photomultipliers are often used to record optical radiation. The influence of ambient temperature and supply voltage on the spectral sensitivity and dynamic range of prototypes of silicon photomultipliers manufactured by JSC “Integral” (Republic of Belarus) and commercially available photomultipliers KetekRM 3325 and ON Semi FC 30035 has been investigated in this article. It was determined that the spectral sensitivity maximum of silicon photomultipliers is shifted to the short-wavelength region and corresponds to the wavelength of optical radiation of 470 nm. It is shown that an increase in the supply voltage leads to an increase in the sensitivity of the investigated photo-detectors, and the dependence of the sensitivity on temperature manifests itself in different ways when exposed to optical radiation of different wavelengths.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2021-9-2-164-171
- eLIBRARY ID
- 45691142
