ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

Языки: ru · en

Статья: Фоторезисторы из материала СdxHg1-xTe (обзор) (2021)

Читать

Статья Литература Выпуск Статистика Издательство

Читать онлайн

В обзоре выполнен анализ развития с 70-х годов прошлого века отечественной технологии изготовления высокочувствительных и стабильных фоторезисторов из твёрдых растворов тройной системы СdxHg1-xTe. Вольтовая чувствительность современных фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур n–CdxHg1–xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия и предназначенных на спектральный диапазона 3–5 и 8–12 мкм с размером фоточувствительной площадки 5050 и 3535 мкм, причем работающих в неравновесных условиях эксклюзии неосновных носителей заряда, достигает величины Suλmax  107 В/Вт с удельной обнаружительной способностью более 51011 см Гц1/2 Вт-1 при температуре жидкого азота и плоском угле зрения 14о. Высокая вольтовая чувствительность и малая выделяемая мощность (510–7 Вт) фоторезисторов в конструкции пиксела с радиальным смещением позволяют создавать на их основе фокальные матрицы с количеством пикселей  106.

The review analyzes the development of domestic technology for manufacturing highly sensitive and stable photoresistors from solid solutions of the CdxHg1-xTe tri-ple system since the 70s of the last century. The volt sensitivity of modern photoresis-tors made of heteroepitaxial structures n–CdxHg1-xTe, obtained by molecular beam epitaxy on a gallium arsenide substrate, in the spectral range of 8–12 microns with a photosensitive pixel size of 5050 microns, operating under nonequilibrium conditions of the exclusion of minority charge carriers, reaches a value of Suλmax  107 V/W with a specific detection capacity D*λmax (1200.1, 14o) of more than 51011 cm Gz1/2W-1 at liquid nitrogen temperature. The high voltage sensitivity and low power output (510-7 W) of photoresistors in the design of a with a radial arrangement of contacts allow you to create focal matrices based on them with a number of pixels of 106.

Ключевые фразы: фоторезистор, гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, ионное травление, эксклюзия неосновных носителей заряда, фокальные матрицы, photoresistor, heteroepitaxial structures of cadmium-mercury-tellurium, ion etching, exclusion of minor charge carriers, focal matrices photodetectors

Автор (ы): Филатов Александр Владимирович

Соавтор (ы): Карпов Владимир Владимирович

Журнал: Успехи прикладной физики

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.383.45. Фоторезисторы с собственной фотопроводимостью
621.793.09. Последующая обработка материала или изделия после нанесения покрытия
Префикс DOI: 10.51368/2307-4469-2021-9-2-112-127
eLIBRARY ID: 45691135

Для цитирования:

ФИЛАТОВ А. В., КАРПОВ В. В. ФОТОРЕЗИСТОРЫ ИЗ МАТЕРИАЛА СDXHG1-XTE (ОБЗОР) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2021. ТОМ 9 № 2

Текстовый фрагмент статьи

Развитие технологии изготовления фоторезисторов и разработка технологии изготовления сложных гетероэпитаксиальных структур материала КРТ различных составов в ИФП СО РАН, особенно результаты, полученные в работах авторов в АО «Московский Завод «Сапфир», кратко изложенных в данном обзоре, завершились созданием технологии изготовления ФЧЭ для многоэлементных и матричных фото-резисторов диапазона спектра 8–12 мкм и 3–5 мкм с обнаружительной способностью, ограниченной фоновым излучением. Показано, что в неравновесном режиме эксклюзии, охлаждаемые до 80 К ФЧЭ из материала ГЭС КРТ МЛЭ на спектральный диапазон чувствительности 16–17 мкм имеют обнаружительную способность не хуже, чем у серийных фоторезисторов диапазона спектра 8–12 мкм. Фоточувствительные элементы, изготовленные по новой технологии из ГЭС КРТ МЛЭ состава х = 0,310 в спектральном диапазоне 2,5–4,5 мкм, при комнатной температуре без защитных покрытий также не уступают серийным охлаждаемым до 80 К фоторезисторам. В новой конструкции ФЧЭ фоторезисторов с радиальным смещением для фокальных матриц, в которой имеется цен-тральный электрод каждого пиксела матрицы, а пикселы размером  30 мкм выделены общим для всех пикселей металлическим контактом, решается проблема стыковки матрицы фоторезисторов с мультиплексором по известной технологии «flip–chip» через индиевые столбики. В неравновесном режиме эксклюзии приемлемая обнаружительная способность таких пикселей достигается при малых токах смещения и выделяемой мощности (0,510-6 Вт). В диапазоне спектра 8–12 мкм в неравновесном режиме эксклюзии получены обнаружительная способность 1,21011 см Гц1/2 Вт-1 и вольтовая чувствительность Suλmax  105 В Вт-1. Увеличение шумов позволит использовать серийные транзисторы в предусилителях.

Моя история просмотров (6)

01. Статья: ПРЕДЛОЖЕНИЯ М. О. МЕНЬШИКОВА ПО ИЗМЕНЕНИЮ СИСТЕМЫ ОБРАЗОВАНИЯ НАЧАЛА ХХ В. И ВОЗМОЖНОСТЬ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ В СОВРЕМЕННЫХ УСЛОВИЯХ

02. Статья: ОСНОВНОЙ ВОПРОС ФИЛОСОФИИ: КЛАССИЧЕСКИЕ ФОРМУЛИРОВКИ И СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ

03. Статья: О ТЕПЛОТВОРНОЙ СПОСОБНОСТИ НЕОБРАТИМОГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ МАТЕРИАЛА ПРОБКИ В КРУГЛОЙ ТРУБЕ

04. Статья: БАШКИРСКИЕ КОЛЛЕКЦИИ ДАШКОВСКОГО ЭТНОГРАФИЧЕСКОГО МУЗЕЯ: ОСОБЕННОСТИ КОМПЛЕКТОВАНИЯ, ОБЗОР ПРЕДМЕТОВ

05. Статья: СЕВАСТОПОЛЬСКИЕ РАССКАЗЫ Л. Н. ТОЛСТОГО: ТРИЛОГИЯ О ГЕРОИЧНОСТИ ЖИЗНИ В ТРАГИЧЕСКИХ ОБСТОЯТЕЛЬСТВАХ

06. Статья: ПРОБЛЕМА ЛЖИ И ФАЛЬСИФИКАЦИИ В СОВРЕМЕННОЙ НАУКЕ

Список литературы

Lawson W. D., Nelsen S., Putley E. H., Young A. S. // J. Phys. Chem. Sol. 1959. Vol. 9. No. 3. P. 325.
Шнейдер А. Д., Гаврищак И. В. // ФТТ. 1960. Т. 2. № 9. С. 2079.
Rogalski A. // Rep. Prog. Phys. 2005. Vol. 68. P. 2267.
www.cobham.com/media/934628/ADV10553pdf
Филатов А. В., Сусов Е. В., Кузнецов Н. С., Карпов В. В. // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 43.
Курбатов Л. Н. // Вопросы оборонной техники. 1998. Сер. 11. Вып. 1(154)–2(155). С. 3.
Барышев Н. С. Свойства и применение узкозонных полупроводников. – Казань: Унипресс, 2000.
Пономаренко В. П., Филачев А. М. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений (1946–2016). – М.: Физматкнига, 2016.
Северцев В. Н., Сусов Е. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Чеканова Г. В. // Автометрия. 1998. № 4. C. 21.
Susov E. V., Sidorov Yu. G., Severtsev V. N., Komov A. A., Chekanova G. V., Dvoretsky S. A., Varavin V. S., Mikhailov N. N., Diakonov L. I. // Optoelectronics, instrumentation and data processing (Avtometriya). 1996. No. 4. Р. 32.
Трошкин Ю. С., Филатов А. В., Алексеевичева В. С., Гусаров А. В., Коршунова А. П., Поповян Г. Э., Посевин О. П. // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 63.
Поповян Г. Э., Трошкин Ю. С., Филатов А. В., Филачев А. М., Хитрова Л. М. Свиде-тельство на полезную модель RU № 11938 U1. 1999.
Smith D. L. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. No. 9. P. 5441.
Smith D. L. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56. No. 6. P. 1663.
Климанов Е. А., Неверов Е. С., Поповян Г. Э., Трошкин Ю. С., Филатов А. В., Балуев В. А. // Прик-ладная физика. 2002. № 2. С. 76.
Wiedemeier H., Trived S. B., Whiteside R. C., Polosz W. // J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133. No. 11. P. 2399.
Заитов Ф. А., Исаев Ф. К., Горшков А. В. Дефектообразование и диффузионные про-цессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. – Баку: Азернешр, 1984.
Raccah P. M., Lee U., Silberman J. A., Spicer W. E., Wilson J. A. // Appl. Phys. Lett. 1983. Vol. 42. No. 4. P. 374.
Silberman J. A., Morgen P., Lindan I., Spicer W. E., Wilson J. A. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. Vol. 21. No. 1. P. 154.
Nitz G., Schlicht B., Dornhaus R. // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 34. No. 8. P. 490.
Lunn M. A., Dobson P. S. // J. of Crystal Growth. 1985. Vol. 73. P. 379.
Пономаренко В. П., Трошкин Ю. С., Филатов А. В. // Прикладная физика. 2007. № 5. С. 71.
Sidorov Yu. G., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Liberman V. I., Mikhailov N. N., Sabinina I. V., Yakushev M. V. // J. of Growth of Crystals. 1996. Vol. 20. P. 35.
Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Liberman V. I., Mikhailov N. N., Sidorov Yu. G. // J. Cryst. Growth. 1996. Vol. 159. P. 1161.
Свиташев К. К., Швец В. А., Мардежов А. С., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Чикичев С. И., Придачин Д. Н. // Автометрия. 1996. № 4. С. 100.
Svitashev K. K., Dvoretsky S. A., Sidorov Yu. G., Shvets V. A., Mardezhov A. S., Nis I. E., Varavin V. S., Liberman V. I., Remesnik V. G. // Cryst. Res. Technol. 1994. Vol. 29. No. 7. P. 931.
Филатов А. В., Сусов Е. В., Гусаров А. В., Акимова Н. М., Крапухин В. В., Карпов В. В., Шаевич В. И. // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49.
Филатов А. В., Сусов Е. В., Акимова Н. М., Карпов В. В., Шаевич В. И. // Успехи при-кладной физики. 2015. Т. 3. № 2. С. 196.
Мынбаев К. Д., Иванов-Омский В. М. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 10. С. 1153.
Филатов А. В., Сусов Е. В., Карпов В. В. // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67.
Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. – М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1961.
Филатов А. В., Лукша В. И., Поповян Г. Э., Трошкин Ю. С., Шаронов Ю. П. // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 123.
Филатов А. В., Сусов Е. В., Карпов В. В. // Оптический журнал. 2018. Т. 85. № 6. С. 58.
Филатов А. В., Сусов Е. В., Гусаров А. В., Карпов В. В. // Оптический журнал. 2020. Т. 87. № 12. С. 103.
Ashley T., Elliott C. T. // Electron. Lett. 1985. Vol. 21. P. 451.
Ashley T., Elliott C. T., White A. M. // SPIE Proc. 1986. Vol. 588. P. 62.
Djurić Z., Jović V., Matić M., Jakšić Z. // Electronics Lett. 1990. Vol. 2. P. 929.
Ashley T., Elliott C. T., Harker A. T. // In-frared Phys. 1986. Vol. 26. P. 303.
Djurić Z., Piotrowski J. // Opt. Eng. 1992. Vol. 31. P. 1955.
Ashley T., Elliot C. T., White A. M. // SPIE Proc. 1985. Vol. 572. P. 123.
Siliquini J. F., Faraone L. // Infrared Phys-ics & Technology. 1997. Vol. 38. P. 205.
Гусаров А. В., Филатов А. В., Филатов С. А., Сусов Е. В., Карпов В. В., Гиндин П. Д. Патент на полезную модель RU № 181688 U1. H 01 L 31/042. 2018.
Гусаров А. В., Филатов А. В., Сусов Е. В., Карпов В. В., Гиндин П. Д. // Оптический журнал. 2019. Т. 86. № 2. С. 55.
Бородин Д. В., Осипов Ю. В., Васильев В. В. / Труды российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2015» (Новосибирск. 2015). C. 157–160.

W. D. Lawson, S. Nelsen, E. H. Putley, and A. S. Young, J. Phys. Chem. Sol. 9, 325 (1959).
A. D. Schneider and I. V. Gawrysiak, Phys-ics and engineering of semiconductors 2 (9), 2079 (1960) [in Russian].
A. Rogalski, Rep. Prog. Phys. 68, 2267 (2005).
www.cobham.com/media/934628/ADV10553pdf
A. V. Filatov, E. V. Susov, N. S. Kuz-netsov, and V. V. Karpov, J. of Optical Technolo-gy 83 (9), 543 (2016).
L. N. Kurbatov, Vopr. oboron. technicians. Ser. 11, Is. 1(154)–2(155), 3 (1998).
N. S. Baryshev, Properties and application of narrow-band semiconductors (Unipress, Kazan, 2000) [in Russian].
V. P. Ponomarenko and A. M. Filachev, Infrared technology and electronic optics. Formation of scientific directions (1946–2016) (Fizmatkniga, Moscow, 2016) [in Russian].
V. N. Severtsev, E. V. Susov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, and G. V. Chekanova, Optoelectronics, instrumentation and data processing (Avtometriya), No. 4, 21 (1998).
E. V. Susov, Yu. G. Sidorov, V. N. Severtsev, A. A. Komov, G. V. Chekanova, S. A. Dvoretsky, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, and L. I. Dia-konov, Optoelectronics, instrumentation and data processing (Avtometriya), No. 4, 32 (1996).
Yu. S. Troshkin, A. V. Filatov, V. S. Alexeevicheva, A. V. Gusarov, A. P. Korshunova, E. G. Popov, and O. P. Possevin, Applied Physics, No. 2, 63 (1999) [in Russian].
G. E. Popovyan, Yu. S., Troshkin, A. V. Filatov, A. M. Filachev, and L. M. Khitrova, RF Cer-tificate for a utility model, RU No. 11938 U1 (1999).
D. L. Smith, J. Appl. Phys. 54 (9), 5441 (1983).
D. L. Smith, J. Appl. Phys. 56 (6), 1663 (1984).
E. A. Klimanov, E. S. Neverov, G. E. Popovyan, Yu. S. Troshkin, A. V. Filatov, and V. A. Baluev, Applied Physics, No. 2, 76 (2002) [in Russian].
H. Wiedemeier, S. B. Trived, R. C. White-side, and W. Polosz, J. Electrochem. Soc. 133 (11), 2399 (1986).
F. A. Zaitov, F. K. Isaev, and A. V. Gorshkov, Defect formation and diffusion processes in the some semiconductor solid solutions (Azerneshr, Baku, 1984) [in Russian].
P. M. Raccah, U. Lee, J. A. Silberman, W. E. Spicer, and J. A. Wilson, Appl. Phys. Lett. 42 (4), 374 (1983).
J. A. Silberman, P. Morgen, I. Lindan, W. E. Spicer, and J. A. Wilson, J. Vac. Sci. Tech-nol. 21 (1), 154 (1982).
G. Nitz, B. Schlicht, and R. Dornhaus, Appl. Phys. Lett. 34 (8), 490 (1979).
M. A. Lunn and P. S. Dobson, J. of Crystal Growth. 73, 379 (1985).
V. P. Ponomarenko, Yu. S. Troshkin, and A. V. Filatov, Applied Physics, No. 5, 71 (2007) [in Russian].
Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, V. I. Liberman, N. N. Mikhailov, I. V. Sabinina, and M. V. Yakushev, J. of Growth of Crystals 20, 35 (1996).
V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, V. I. Liberman, N. N. Mikhailov, and Yu. G. Sidorov, J. Cryst. Growth. 159, 1161 (1996).
K. K. Svitashev, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, E. V. Spesivtsev, S. V. Rykhlitsky, S. I. Chikichev, and D. N. Pridachin, Avtometriya, No. 4, 100 (1996).
K. K. Svitashev, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, I. E. Nis, V. S. Varavin, V. I. Liberman, and V. G. Remesnik, Cryst. Res. Technol. 29 (7), 931 (1994).
A. V. Filatov, E. V. Susov, A. V. Gusarov, N. M. Akimova, V. V. Krapukhin, V .V. Karpov, and V. I. Shaevich, J. Opt. Technol. 76, 773 (2009).
A. V. Filatov, E. V. Susov, N. M. Akimova, V. V. Karpov, and V. I. Shaevich, Pro-gress applied physics 3 (2), 196 (2015).
K. D. Mynbayev and V. M. Ivanov-Omsky, Physics and engineering of semiconduc-tors 37 (10), 1153 (2003).
A. V. Filatov, E. V. Susov, and V. V. Karpov, Journal of Optical Technology 84 (4), 275 (2017).
B. I. Boltaks, Diffusion in semiconductors (State publ. of phy.-mat. lit, Moscow, 2000) [in Russian].
A. V. Filatov, V. I. Luksha, G. E. Popovyan, Yu. S. Troshkin, and Yu. P. Sharonov, Applied Phy-sics, No. 6, 123 (2002) [in Russian].
A. V. Filatov, E. V. Susov, and V. V. Karpov, J. of Optical Technology 85 (6), 359 (2018).
A. V. Filatov, E. V. Susov, A. V. Gusarov, and V. V. Karpov, Journal of optical 87 (12), 103 (2020).
T. Ashley and C. T. Elliott, Electron. Lett. 21, 451 (1985).
T. Ashley, C. T. Elliott, and A. M. White, SPIE Proc. 588, 62 (1986).
Z. Djurić, V. Jović, M. Matić, and Z. Jakšić, Electronics Lett. 2, 929 (1990).
T. Ashley, C. T. Elliott, and A. T. Harker, Infrared Phys. 26, 303 (1986).
Z. Djurić and J. Piotrowski, Opt. Eng. 31, 1955 (1992).
T. Ashley, C. T. Elliot, and A. M. White, SPIE Proc. 572, 123 (1985).
J. F. Siliquini and L. Faraone, Infrared Physics & Technology 38, 205 (1997).
A. V. Gusarov, A. V. Filatov, S. A. Fila-tov, E. V. Susov, V. V. Karpov, and P. D. Gindin, RF Certificate for a utility model, RU No. 181688 U1 H 01 L 31/042 (2018).
A. V. Gusarov, A. V. Filatov, E. V. Susov, V. V. Karpov, and P. D. Gindin, J. of Opti-cal Technology 86 (2), 108 (2019).
D. V. Borodin, Yu. V. Osipov, and V. V. Vasiliev, in Proc. Russian Conference on Actual problems of semiconductor photoelectronics “Photonics−2015” (Novosibirsk, 2015), pp. 157–160.

Выпуск

том 9 № 2 (2021)

Кол-во страниц: 80 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Ковшов В. С., Никонов А. В., Пашкеев Д. А., Лопатина Е. А.
Современное состояние разработок и исследований сверхрешеток II типа для приборов ИК-фотоэлектроники (обзор) 97

Филатов А. В., Сусов Е. В., Карпов В. В., Гусаров А. В.
Фоторезисторы из материала СdxHg1-xTe (обзор) 112

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Каримов А. Р., Богданов В. К., Валиуллин Р. А., Шарафутдинов Р. Ф., Рамазанов А. Ш., Рухман А. А., Хабиров Т. Р., Шиканов А. Е.
Индуцированные акустическими полями процессы структурообразования в высокомолекулярных средах 128

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Барма Д. Д., Гейвандов А. Р., Денисов Д. Г.
Эффективность дифракционных решеток на основе жидких кристаллов 144

Денисов Д. Г., Золотухина А. А., Кудряшов А. В., Никитин А. Н.
Сравнительный анализ методов калибровки датчика волнового фронта Шэка-Гартмана 153

Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В.
Спектральные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей 164

C O N T E N T S

PHOTOELECTRONICS

Kovshov V. S., Nikonov A. V., Pashkeev D. A., and Lopatina E. A.
The current state of the development and research of type II superlattices for infrared photodetective devices (a review) 97

Filatov A. V., Susov E. V., Karpov V. V., and Gusarov A. V.
Photoresistors made of CdхHg1-хTe material (a review) 112

PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS

Karimov A. R., Bogdanov V. K., Valiullin R. A., Sharafutdinov R. F., Ramazanov A. Sh., Rukhman A. A., Khabirov T. R., and Shikanov A. E.
Induced by acoustic fields processes of structure formation in high-molecular media 128

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

Barma D. D., Geivandov A. R., and Denisov D. G.
Efficiency of diffraction gratings based on liquid crystals 144

Denisov D. G., Zolotukhina A. A., Kudryashov A. V., and Nikitin A. N.
Comparative analysis of methods for calibration of a Shack-Hartmann wavefront sensor 153

Gulakov I. R., Zenevich A. O., and Kochergina O. V.
Investigation of the spectral characteristics of silicon photomultiplier tubes 164

Другие статьи выпуска

Спектральные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей (2021)

Авторы: Гулаков Иван Романович, Зеневич Андрей Олегович, Кочергина Ольга Викторовна

Исследовано влияние температуры окружающей среды и напряжения питания на спектральную чувствительность и динамический диапазон опытных образцов кремниевых фотоумножителей производства ОАО «Интеграл» (Республика Беларусь) и серийно выпускаемых фотоумножителей Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что максимум спектральной чувствительности кремниевых фотоумножителей сдвинут в коротковолновую область и соответствует длине волны оптического излучения 470 нм. Показано, что увеличение напряжения питания приводит к увеличению чувствительности исследуемых фотоприемников, а зависимость чувствительности от температуры по-разному проявляется при воздействии оптическим излучением разной длины волны.

Сохранить в закладках

Сравнительный анализ методов калибровки датчика волнового фронта Шэка-Гартмана (2021)

Авторы: Денисов Дмитрий Геннадьевич, Золотухина Анастасия Александровна, Кудряшов Алексей Валерьевич, Никитин Александр Николаевич

Выполнен сравнительный анализ методов калибровки датчика волнового фронта Шэка-Гартмана по плоскому волновому фронту (калибровка по наклону датчика) и сферическому волновому фронту (абсолютная калибровка). Для сравнения был проведен общий анализ достоинств и недостатков методов калибровки. Показано, что калибровка датчика включает в себя следующие этапы: создание опорного волнового фронта и определение точных проектных параметров датчика. Значения проектных параметров используются в реконструкции измеряемого волнового фронта и определяют такие параметры датчика Шэка-Гартмана, как динамический диапазон и чувствительность. Также для численного сравнения был проведен анализ погрешностей динамического диапазона, определяемого по аберрациям типа наклон и дефокусировка, и построены зависимости этих погрешностей от погрешности проектных параметров датчика.

Сохранить в закладках

Эффективность дифракционных решеток на основе жидких кристаллов (2021)

Авторы: Барма Дарья Денисовна, Денисов Дмитрий Геннадьевич, Гейвандов Артур Рубенович

Методом голографии на тонком слое дихроичного ориентирующего красителя были записаны дифракционные решетки, собраны и исследованы жидко-кристаллические ячейки для получения электрически-управляемой дифракции в видимом диапазоне. При помощи программного обеспечения для моделирования электрооптических эффектов была рассчитана дифракционная эффективность (ДЭ) фазовой решетки на основе жидкого кристалла (ЖК) в зависимости от амплитуды напряжения на электродах и оценено изменение ДЭ в зависимости от толщины ячейки, двулучепреломления ЖК-материала и длины волны излучения. Экспериментальные результаты качественно совпали с результатами расчета. В случае фазовой решетки, сформированной в объеме ЖК-ячейки ДЭ в 1-м порядке достигала 16 % на длине волны 532 нм. Установлено, что ДЭ уменьшается с увеличением длины волны.

Сохранить в закладках

Индуцированные акустическими полями процессы структурообразования в высокомолекулярных средах (2021)

Авторы: Каримов Александр Рашатович, Шиканов Александр Евгеньевич, Богданов Владислав Константинович, Валиуллин Рим Абдуллович, Шарафутдинов Рамиль Фаизырович, Рухман Андрей Александрович, Хабиров Тимур Раильевич

Рассмотрены механизмы разрушения и синтеза макромолекул, которые могут стимулироваться внешними акустическими полями в многофазной нефтяной дисперсной среде, содержащей большое количество растворенного в нефти газа. Предполагается, что динамика этих пузырьков зависит от изменения геометрии потока и возбуждения звуковых колебаний в потоке. Особое внимание уделено процессу изменения плотности жидкости за счет эффекта внутреннего эрлифта в жидкой дисперсной среде. Механически вызванные кинетические изменения макромолекул (разрушение и синтез коллоидных цепей) могут происходить, когда пузырьки схлопываются. Эти особенности могут быть использованы при обработке нефти и в геофизических исследованиях скважин для оценки нефтенасыщенности пластов.

Сохранить в закладках

Современное состояние разработок и исследований сверхрешеток II типа для приборов ИК-фотоэлектроники (обзор) (2021)

Авторы: Ковшов Владимир Сергеевич , Никонов Антон Викторович, Пашкеев Дмитрий Александрович

Рассмотрены основные свойства композиционных сверхрешеток II типа (T2SL). Приведено описание различных типов гетеропереходов, энергетических условий их реализации, а также представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований оптических и электрических свойств T2SL на основе InAs/GaSb, InAs/GaInSb и InAs/InAsSb. По результатам качественного анализа и оценки характеристик сверхрешеток II типа относительно классических полупроводниковых соединений, используемых в ИК-фотоэлектронике (HgCdTe, InSb и QWIP-структур), выявлены и описаны преимущества и недостатки T2SL. Проведено сравнение сверхрешеток
II типа на основе InAs/GaSb, InAs/GaInSb и InAs/InAsSb, по результатам которого показаны перспективы применения T2SL в технологии изготовления современных и перспективных фотоприемников и фотоприемных устройств ИК-диапазона.

Сохранить в закладках

Статистика статьи

Статистика просмотров за 2025 год.

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.