Свойства высокочистой шихты для производства объёмных монокристаллов карбида кремния (2022)

Исследованы гранулометрические и теплофизические характеристики порошков SiC-шихты, а также ультрачистого порошка (GMF-CVD, Japan). Шихта получена методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Показано, что отечественный SiC дисперсный материал по ряду характеристик не уступает зарубежным аналогам и может с успехом применяться для промышленного производства монокристаллического SiC. По результатам исследований разработан процесс, на основе которого из синтезированных порошков выращен объемный монокристалл SiC диаметром 100 мм.

The granulometric and thermophysical characteristics of SiC charge powders, as well as imported ultrapure powder (GMF-CVD, Japan) were studied. The charge was obtained by self-propagating high-temperature synthesis. It is shown that the domestic SiC dispersed material is not inferior to foreign analogues in a number of characteristics and can be successfully used for the industrial production of SiC single-crystal. Based on the research results, a technological route was developed and a bulk SiC single crystal with a diameter of 100 mm was grown on the basis of one of the synthesized powders.

Тип: Статья
Автор (ы): Скворцов Денис Александрович

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
536.2. Теплопроводность. Теплопередача
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-6-76-82
eLIBRARY ID
50054142
Текстовый фрагмент статьи