Методика измерения электропроводимости диффузионно-легированных полупроводников и сопротивления контактов металл-полупроводник (2022)
Методами диффузии, эпитаксии и ионной бомбардировки получают полупроводниковые слои, в которых содержание примесей и, следовательно, проводимость изменяются с глубиной. В работе предложена методика измерения сопротивления контактов к неоднородным по глубине полупроводниковым структурам. Предлагаемая методика также позволяет быстро производить измерения электропроводимости образцов. Теоретическое обоснование методики произведено путем решения краевых задач электродинамики с соответствующими граничными условиями. Решены задачи для случая, когда электропроводимость в образце изменяется с глубиной по экспоненциальному закону, а также описывается функцией распределения Гаусса.
Diffusion, epitaxy and ion bombardment methods produce semiconductor layers in which the impurity content and hence the conductivity change with depth. The paper proposes a technique for measuring the resistance of contacts to semiconductor structures that are inhomogeneous in depth. The proposed technique also allows you to quickly measure the electrical conductivity of the samples. The theoretical substantiation of the technique was made by solving the boundary value problems of electrodynamics with the corresponding boundary conditions. Problems are solved for the case when the electrical conductivity in the sample changes with depth according to an exponential law, and is also described by the Gaussian distribution function.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2022-6-43-50
- eLIBRARY ID
- 50054137
Экспериментальная апробация методики проводилась на диффузионно-легированных образцах кремния [10, 20]. Представленные в указанных работе графики распределений концентраций примесей по глубине, указывают, что в качестве аппроксимирующей функции можно использовать экспоненциальную зависимость концентрации от глубины. Для опытных образцов, согласно экспериментальным данным вышеуказанных работ, мы получили следующие зависимости концентрации (см-3) от глубины (нм) при низких температурах отжига (T 420 оC): N(z) == N0exp(–2pz) = 4,511022exp(–0,0854z). Первоначальный параметр поверхностной концентрации N0 изменился после стравливания пленки ниобия [20] (состав травителя: плавиковая кислота – 1, азотная кислота – 1, вода – 1, время травления – 10 минут, при нормальных условиях). Для экспериментальных полупроводниковых образцов получаем значительное значение проводимости на поверхности полупроводника, которая быстро спадает в объеме образца. Расчеты в таблице приведены исходя из условия, что электропроводимость в образце изменяется по тому же закону, что и концентрация примесей.
Погрешность предлагаемой методики, в основном, обусловлена неточностью положения токовых и измерительных зондов и качеством контактов. Поэтому при практических измерениях лучше пользоваться микроскопом для контроля положения контактов. Контактную разность потенциалов можно сделать практически нулевой, используя компенсационный метод. Выражения для распределений потенциалов можно использовать для контроля однородности полупроводниковых пленок. При практических вычислениях потенциалов по формулам (14), (16) для достижения погрешности менее 1 % необходимо брать порядка 200 членов ряда по каждому из слагаемых. Для определения средней концентрации и подвижности носителей заряда измерения электропроводимости дополняются холловскими измерениями, например, по стандартной методике Ван дер Пау [11].
Таким образом, приведенные в данной работе теоретические расчеты позволили предложить методику измерения средней электропроводимости неоднородных по глубине полупроводниковых структур для случая экспоненциальной и гауссовой зависимости электропроводимости по глубине. Предложенная методика измерения переходного сопротивления на контактах может найти применение в технологическом производстве, требующем быстрого и простого определения сопротивления контактов.
Список литературы
- Sze S. M., Li Y., Ng K. K. Physics of Semiconductor Devices. 4th Edition. – Wiley, New Jersey, 2021.
- Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. Изд. 9-е. – М.: Лань, 2021.
- Баранов Г., Итальянцев А., Герасименко Н., Селецкий А. // Наноиндустрия. 2018. Т. 11. № 6. С. 426.
- Воротынцев В. М., Скупов В. Д. Базовые технологии микро- и наноэлектроники. – М.: Проспект, 2019.
- Талипов Н. Х., Войцеховский А. В. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61. № 6. С. 3.
- Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Материалы. Приборы. Изготовление / Пер. с англ. – М.: Мир, 1985.
- Малкович Р. Ш. Математика диффузии в полупроводниках. – М.: Наука, 1999.
- Лебедев Н. Н. Специальные функции и их приложения. – С-Пб: Лань, 2010.
- Бондаренко В. Б., Давыдов С. Н., Филимонов А. В. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 1. С. 44.
- Афонин Н. Н., Логачева В. А., Ховив А. М. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. №12. С. 1678.
- Батавин В. В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. – М.: Радио и связь, 1985.
- Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. – М.: Высшая школа, 1987.
- Шупенев А. Е., Панкова Н. С., Коршунов И. С., Григорьянц А. Г. // Известия высших учебных заведений. Машиностроение. 2019. № 4. С. 18.
- Shuji H., Ichiro Sh., Fuhito T., Rei H., Taizo K., Takehiro T., Iwao M., Chris P., Torben H., Peter B., Fran-cois G. // Surface Review and Letters. 2003. Vol. 10. № 6.
P. 963. - Li J. C., Wang Y., Ba D. C. // Physics Procedia. 2012. Vol. 32. P. 347.
- Бормонтов Е. Н. Физика и метрология МДП-структур. – Воронеж: Воронежский государственный университет, 1997.
- Бормонтов E. H., Борисов C. H., Леженин В. П., Лукин С. В. // Письма в Журнал технической физики. 2000. Т. 26. № 21. С. 76.
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. – М.: Физматлит, 2003.
- Коньков В. Л., Павлов Н. И., Поляков Н. Н. // Известия вузов. Физика. 1971. Т. 14. № 10. С. 33.
- Афонин Н. Н., Логачева В. А., Шрамченко Ю. С., Ховив А. М. // Журнал неорганической химии. 2011. Т. 56. № 5. С. 821.
- S. M. Sze, Y. Li and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices. 4th Edition. (Wiley, New Jersey, 2021).
- V. V. Pasynkov and L. K. Chirkin, Semiconductor devices. 9th Edition. (Lan, Moscow, 2021).
- G. Baranov, A. Italyantsev, N. Gerasimenko and A. Seletskiy, Nanoindustry 11 (6), 426 (2018).
- V. M. Vorotyntsev and V. D. Skupov, Basic technologies of micro- and nanoelectronics (Prospekt, Moscow, 2019).
- N. K. Talipov and A. V. Voitsekhovskii, Russian Physics Journal 61 (6), 1005 (2018).
- W. C. Till and J. T. Luxon, Integrated circuits: materials, devices, and fabrication. (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, 1982).
- R. Sh. Malkovich, Mathematics of diffusion in semiconductors. (Nauka, Moscow, 1999).
- N. N. Lebedev, Special functions and their applications. (Lan, St. Petersburg, 2010).
- V. B. Bondarenko, S. N. Davydov and A. V. Filimonov, Semiconductors 44 (1), 41 (2010).
- N. N. Afonin, V. A. Logacheva and A. M. Khoviv, Semiconductors 45 (12), 1617 (2011).
- V. V. Batavin, Yu. A. Kontsevoi and Yu. V. Fedorovich, Measurements of Parameters of Semiconductor Mate-rials and Structures. (Radio i Svyaz’, Moscow, 1985).
- L. P. Pavlov, Methods for measuring the parameters of semiconductor materials. (Higher School, Moscow, 1987).
- A. E. Shupenev, N. S. Pankova, I. S. Korshunov and A. G. Grigoriyants, Proceedings of Higher Educational Institutions. Machine Building 4 (709), 18 (2019).
- H. Shuji, Sh. Ichiro, T. Fuhito, H. Rei, K. Taizo, T. Takehiro, M. Iwao, P. Chris, H. Torben, B. Peter and G. Francois, Surface Review and Letters 10 (6), 963 (2003).
- J. C. Li, Y. Wang and D. C. Ba, Physics Procedia 32, 347 (2012).
- E. N. Bormontov, Physics and metrology of MIS structures. (Voronezh State University, Voronezh, Russia, 1997).
- E. N. Bormontov, S. N. Borisov, V. P. Lezhenin and S. V. Lukin, Technical Physics Letters 26 (11), 971 (2000).
- L. D. Landau and E. M. Lifshitz, Electrodynamics of continuous media. (Oxford, New York, 1984).
- V. L. Kon’kov, N. I. Pavlov and N. N. Polyakov, Soviet Physics Journal 14 (10), 1336 (1971).
- N. N. Afonin, V. A. Logacheva, Yu. S. Shramchenko and A. M. Khoviv, Inorganic Materials 45 (9), 998 (2009).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Антипов С. Н., Гаджиев М. Х., Терешонок Д. В., Горбатов С. А., Иванов И. А., Тихонов В. Н., Тихонов А. В., Абрамов А. Г., Угрюмов А. В.
Генерация плазменных струй умеренной температуры на основе поперечного СВЧ-разряда в волноводе 5
Савкин К. П., Сорокин Д. А., Белоплотов Д. В., Шандриков М. В., Казаков А. В.
Источник металлсодержащей плазмы на основе тлеющего разряда атмосферного давления 12
Батрак Н. В., Кутырев М. В., Копалейшвили Н. Г.
Исследование коаксиальных инжекторов для создания импульсных плазменных струй в электромагнитном ускорителе 18
Климин В. С., Кесслер И. О., Морозова Ю. В., Саенко А. В., Вакулов З. Е., Агеев О. А.
Применение фторидной плазмы для формирования наноразмерных структур на поверхности кремния 23
Панов В. А., Печеркин В. Я., Василяк Л. М., Куликов Ю. М., Савельев А. С., Филат-кин А. А.
Влияние ультразвука на развитие импульсного электрического разряда в воде 29
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Шуклов И. А., Демкин Д. В., Конавичева В. А., Попов В. С., Разумов В. Ф.
Исследование процесса замены лигандов в тонких слоях коллоидных квантовых точек сульфида свинца с помощью ИК-Фурье спектроскопии 35
Лузянин С. Е., Филиппов В. В.
Методика измерения электропроводимости диффузионно-легированных полупроводников и сопротивления контактов металл-полупроводник 43
Котляр П. Е.
Снижение восприимчивости к акустическим и вибрационным шумам оптико-акустических преобразователей 51
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Печеркин В. Я., Дешевая Е. А., Василяк Л. М., Василяк С. Л., Фатюшин А. М., Фиалкина С. В., Хоанг К. К.
Инактивация микроорганизмов на металлических поверхностях, защищенных тонким слоем оксида титана 56
Курбанисмаилов В. С., Омарова П. Х., Рагимханов Г. Б., Терешонок Д. В., Халикова З. Р.
Синтез оксидов азота в импульсно-периодическом диффузном разряде в воздухе 63
Данилина Т. И., Чистоедова И. А., Полынцев Е. С.
Формирование силицидных пленок металлов ионными методами 68
Скворцов Д. А., Сидоров Р. И., Мамин Б. Ф., Неверов В. А.
Свойства высокочистой шихты для производства объёмных монокристаллов карбида кремния 76
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Люй П. Ц., Денисов Д. Г., Сахаров А. А., Животовский И. В., Карасик В. Е.
Особенности регистрации изображения высокого оптического разрешения на основе метода апертурного зондирования 83
Арыков В. С., Юнусов И. В., Степаненко М. В., Троян П. Е., Фатеев А. В.
Волоконно-оптическая система передачи аналогового сигнала в диапазоне частот 0,1–40 ГГц 91
Богданов А. А., Гавриш С. В., Коваль В. В., Марциновский А. М., Маслевцов А. В., Столяров И. И.
Зависимость цветовых характеристик цезиевого импульсно-периодического разряда от режима работы лампы 97
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Antipov S. N., Gadzhiev M. Kh., Tereshonok D. V., Gorbatov S. A., Ivanov I. A., Tikhonov V. N., Tikhonov A. V., Abramov A. G. and Ugryumov A. V.
Generation of moderate temperature plasma jets based on a transverse microwave discharge in a waveguide 5
Savkin K. P., Sorokin D. A., Beloplotov D. V., Shandrikov M. V. and Kazakov A. V.
Metal-containing plasma source based on atmospheric pressure glow discharge 12
Batrak N. V., Kutyrev M. V. and Kopaleishvili N. G.
Investigation of different versions of coaxial injectors for creating pulsed plasma jets in an electromagnetic accelerator 18
Klimin V. S., Kessler I. O., Morozova Yu. V., Saenko A. V., Vakulov Z. E. and Ageev O. A.
Application of fluoride plasma for the formation of nanoscale structures on the surface of silicon 23
Panov V. A., Pecherkin V. Ya., Vasilyak L. M., Kulikov Yu. M., Saveliev A. S. and Filatkin A. A.
Influence of ultrasound on the development of a pulsed electric discharge in conducting water 29
PHOTOELECTRONICS
Shuklov I. A., Dyomkin D. V., Konavicheva V. A., Popov V. S. and Razumov V. F.
Investigation of ligand exchange in thin films of PbS colloidal quantum dots with FTIR-spectroscopy 35
Luzyanin S. E. and Filippov V. V.
Method for measuring the electrical conductivity of diffusion-doped semiconductors and the resistance of metal-semiconductor contacts 43
Kotlyar P. E.
Elimination of susceptibility to acoustic and vibration noise of optical-acoustic transducers 51
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Pecherkin V. Ya., Deshevaya E. A., Vasilyak L. M., Vasilyak S. L., Fatyushin A. M., Fialki-na C. V. and Hoang Q. C.
Inactivation of microorganisms on metal surfaces protected by a thin layer of titanium oxide 56
Kurbanismailov V. S., Omarova P. H., Ragimkhanov G. B., Tereshonok D. V. and Kha-likova Z. R.
Operating time of nitrogen oxides in pulse-periodic diffuse discharge 63
Danilina T. I., Chistoedova I. A. and Polyntsev E. S.
Ion formation of metal silicide films 68
Skvortsov D. A., Sidorov R. I., Mamin B. F. and Neverov V. A.
Properties of high-purity charge for the production of bulk single crystals of silicon carbide 76
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Liui P. Ts., Denisov D. G., Sakharov A. A., Zhivotovskii I. V. and Karasik V. E.
Features of high optical resolution image registration based on the high-climbing method 83
Arykov V. S., Yunusov I. V., Stepanenko M. V., Troyan P. E. and Fateev A. V.
0.1–40 GHz radio over fiber system 91
Bogdanov A. A., Gavrish S. V., Koval’ V. V., Martsinovsky A. M., Maslevtsov A. V. and Stolya-rov I. I.
Dependence of the characteristics of a cesium repetitively pulsed discharge on the operating modes of the lamp 97
Другие статьи выпуска
Приведены результаты исследования взаимосвязи световых характеристик цезиевого импульсно-периодического разряда с режимами электрического питания газоразрядной лампы. Разработано техническое решение генератора коротких (10 мкс) биполярных импульсов тока в виде серии из нескольких импульсов с регулируемыми паузами между сериями, на котором проведено сопоставление характеристик импульсно-периодического разряда с параметрами лампы в режимах одиночных импульсов длительностью, соответствующей временной протяженности серии. В случае импульсно-периодического разряда с биполярными импульсами установлено, что достигнутое значение светоотдачи = 50 лм/Вт существенно ниже максимума (63 лм/Вт), полученного при работе лампы в режиме одиночных импульсов с пиковым током 40 А.
В то же время показано, что при одинаковых пиковых значениях тока (20 А) зависимость светоотдачи от электрической мощности лампы в обоих режимах оказывается практически идентичной, что позволяет создать компактную пускорегулирующую аппаратуру для цезиевых ламп импульсно-периодического разряда.
Приведены результаты разработки волоконно-оптической системы передачи (ВОСП) аналогового сигнала в диапазоне частот 0,1–40 ГГц. Разработанная ВОСП позволяет осуществлять передачу модулированного по амплитуде оптического излучения с длиной волны 1,31 мкм. Система включает передающий и приемный оптоэлектронный модули. Корпуса модулей выполнены герметичными и имеют компактные размеры.
В передающий модуль интегрированы системы контроля температуры и мощности лазера. Для функционирования ВОСП дополнительных внешних элементов управления не требуется. Вход и выход системы согласованы на импеданс 50 Ом. Разработанная система может применяться для передачи сигнала с частотой до 50 ГГц.
Проведен сравнительный анализ современных отечественных и зарубежных адаптивных оптико-электронных систем для разных задач адаптивной оптики, работающих по методам фазового сопряжения и апертурного зондирования. Впервые предлагается оценка работоспособности адаптивной оптико-электронной системы на основе обработки характеристик оптического изображения с учетом параметров турбулентной атмосферы. Предложенный подход позволит детектировать изображения удаленных объектов с высоким оптическим разрешением. Проведено макетирование лабораторной установки для проверки предложенных схемотехнических решений. Предложены критерии оценки качества оптического изображения и показано их работоспособность.
Исследованы гранулометрические и теплофизические характеристики порошков SiC-шихты, а также ультрачистого порошка (GMF-CVD, Japan). Шихта получена методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Показано, что отечественный SiC дисперсный материал по ряду характеристик не уступает зарубежным аналогам и может с успехом применяться для промышленного производства монокристаллического SiC. По результатам исследований разработан процесс, на основе которого из синтезированных порошков выращен объемный монокристалл SiC диаметром 100 мм.
Исследована возможность формирования пленок силицидов металлов ионными методами, реализованными с помощью ионно-плазменного распыления в устройстве на основе пеннинговского разряда, а также комбинацией методов термического испарения металлов в высоком вакууме с ассистированием ионным пучком кремния. Установлен механизм образования силицидных пленок на различных подложках при сравнительно низкой температуре подложек до 300 оС в условиях ограниченного воздействия плазмы. Изготовлены экспериментальные образцы на основе силицидов Mo, W, W-Re, Ti в широком диапазоне сопротивлений 20–600 Ом/□ с температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) менее 10-4 град-1, что позволяет их рекомендовать в качестве проводящих и резистивных слоев для элементов микро- и наноэлектроники. Параметры методов с ассистированием ионными пучками были установлены с помощью моделирования процессов внедрения ионов, осаждения титана с учетом распыления и последующей экспериментальной отработкой режимов при получении пленок силицидов титана. При отжиге при 700 оС состав пленок был близок к дисилициду титана, сопротивление образцов уменьшилось до 1,6 Ом/□, что позволяет рекомендовать разработанные ионные методы в КМОП-технологиях.
Выполнено численное моделирование по наработке окислов азота NO и NO2 в импульсно-периодическом режиме в воздухе атмосферного давления для четырех различных временных зависимостей мощности энерговклада. Показана временная динамика температуры в центре разрядного промежутка и абсолютного числа частиц оксидов азота NO и NO2. Обнаружено, что число наработанных частиц NO выходит на стационар практически сразу после прекращения действия импульса, в то время как число частиц NO2 продолжает монотонно расти. Результаты исследований могут быть востребованы в области создания генераторов окислов азота для медицинских приложений.
В лабораторных условиях проведены испытания защитного тонкослойного покрытия металлических поверхностей, созданного с помощью оксида титана, от развития плесневых грибов. В результате исследований в течение 28 суток показана 100 % инактивация микромицетов на защищенной поверхности металлических образцов в условиях благоприятных для роста грибов при моделировании минерального и органического загрязнения.
Оптико-акустические приемники (ОАП) излучения имеют эквивалентную мощность шума (NEP) 1,410-10 Вт/Гц1/2 в спектральном диапазоне 0,3–10000 мкм и не требуют вакуумирования и термостабилизации. Диапазон исследуемых с помощью ОАП сигналов охватывает как постоянные потоки ИК- и ТГц-излучения мощностью до 10-11 Ватт, изменения температуры на 10-6–10-7 K, так и фемтосекундные тераваттные лазерные импульсы. Основным недостатком ОАП является сверхчувствительность к вибрациям. Показано, что гибкая мембрана, выполняющая роль датчика давления, одновременно является акселерометром в котором сила, действующая на мембрану определяется её инерционной массой. Так как однослойный графен (SLG) является самым легким конструкционным материалом с поверхностной плотностью 0,7710-7 г/см2, использование гибкой мембраны из SLG обеспечивает снижение восприимчивости ОАП к акустическим и вибрационным шумам более чем на три порядка без применения каких либо устройств виброзащиты.
Для оптимизации фоточувствительных структур на основе коллоидных квантовых точек сульфида свинца было проведено исследования скорости и полноты замены в тонких слоях с помощью ИК-Фурье спектроскопии на приставке многократного нарушенного полного внутреннего отражения. Была впервые исследована скорость процесса замены лигандов в тонком слое коллоидных квантовых точек сульфида свинца при замене на йодид-ион в разных растворителях. Показано изменение состава оболочек наночастиц PbS под действием ряда растворителей и при проведении замены на роданид-ионы. Впервые установлено замещение олеатной лигандной оболочки чистым формамидом.
Экспериментально исследовано развитие электрического пробоя в воде с проводимостью 255 мкСм/см при воздействии ультразвуковых волн для геометрии электродов «острие–штырь» с межэлектродным промежутком 8 мм. Обнаружено, что при одинаковом напряжении, близком к минимальному пробойному, вероятность инициации пробоя и замыкания разрядом промежутка увеличивается в два раза при воздействии ультразвуком без создания кавитации, а время допробойной стадии сокращается по сравнению с пробоем без ультразвука.
Изучается влияние длительности плазмохимической обработки кремниевых подложек во фторидной плазме. В качестве источника использовалась плазма гексафторида серы (SF6). Был проведён анализ полученных зависимостей шероховатости, высоты и угла наклона, сформированных при травлении, от времени плазмохимической обработки и от потока фторсодержащего газа. Длительность обработки во фторсодержащей плазме влияет на шероховатость вытравленной поверхности и геометрию вытравленной области, так при более длительной обработке во фторидной плазме возрастает шероховатость и угол полученной структуры. Изучение морфологии про-водилось на установке атомно-силовой микроскопии (АСМ). Было установлено, что по мере увеличения времени плазмохимической обработки увеличивался угол вытравленной структуры, зависимость шероховатости от времени имела условно два участка, интенсивно возрастающей до 60 сек и участок с мало меняющейся шероховатостью, но с большой дисперсией. При увеличении потока фторсодержащего газа линейно увеличивались угол вытравленной структуры, высота структуры и шероховатость вытравленной поверхности.
Было спроектировано, изготовлено и испытано нескольких вариантов коаксиальных инжекторов с целью создания компактного, стабильно работающего коаксиального инжектора импульсной плазменной струи. Проведены эксперименты с диэлектрической вставкой из силикатного стекла и из фторопласта. Продемонстрированы основные преимущества коаксиальной конструкции: простота ее исполнения и, следовательно, дешевизна и точность исполнения, а также возможность согласованного режима и возможность «симметризации» разряда внутри камеры при уединенном радиальном стримере инициации по поверхности диэлектрической вставки.
Представлено устройство и рассмотрены особенности функционирования источника плазмы на основе тлеющего разряда атмосферного давления, основным назначением которого является получение потоков плазмы, содержащей металлический компонент. Приводится краткий обзор современного состояния методов генерации металлсодержащей плазмы при атмосферном давлении. Обозначены перспективы применения описываемой разрядной системы в исследованиях по получению ультрадисперсных порошков и функциональных покрытий.
Проведено исследование плазменных струй, полученных на основе безэлектродного СВЧ-разряда атмосферного давления в потоке газа, направленном перпендикулярно вектору напряженности электрического поля (поперечная конфигурация). Разряд возбуждался в диэлектрической трубке с внутренним диаметром 6 мм в волноводном устройстве с помощью СВЧ-генератора на базе типового 1 кВт магнетрона, работающего на частоте 2,45 ГГц. Представлено описание конструкции газоразрядного волноводного устройства и результаты измерений пространственного распределения температуры газа в аргоновой плазменной струе методами термопар и оптической термографии. Показано, что максимальная температура газа в струе зависит от скорости потока и может быть понижена до значений 180–200 градусов Цельсия при скоростях потока 20–30 л/мин на расстояниях 2–3 см от выходного отверстия устройства. При этом наблюдается ламинарный режим истечения плазменной струи в окружающий воздух. Результаты работы востребованы в области разработки новых источников неравновесной плазмы для технологий плазменной модификации поверхности различных материалов.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400