Методика измерения электропроводимости диффузионно-легированных полупроводников и сопротивления контактов металл-полупроводник (2022)

Методами диффузии, эпитаксии и ионной бомбардировки получают полупроводниковые слои, в которых содержание примесей и, следовательно, проводимость изменяются с глубиной. В работе предложена методика измерения сопротивления контактов к неоднородным по глубине полупроводниковым структурам. Предлагаемая методика также позволяет быстро производить измерения электропроводимости образцов. Теоретическое обоснование методики произведено путем решения краевых задач электродинамики с соответствующими граничными условиями. Решены задачи для случая, когда электропроводимость в образце изменяется с глубиной по экспоненциальному закону, а также описывается функцией распределения Гаусса.

Diffusion, epitaxy and ion bombardment methods produce semiconductor layers in which the impurity content and hence the conductivity change with depth. The paper proposes a technique for measuring the resistance of contacts to semiconductor structures that are inhomogeneous in depth. The proposed technique also allows you to quickly measure the electrical conductivity of the samples. The theoretical substantiation of the technique was made by solving the boundary value problems of electrodynamics with the corresponding boundary conditions. Problems are solved for the case when the electrical conductivity in the sample changes with depth according to an exponential law, and is also described by the Gaussian distribution function.

Тип: Статья
Автор (ы): Лузянин Сергей Евгеньевич
Соавтор (ы): Филиппов Владимир Владимирович

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
537.311.33. в вакууме
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-6-43-50
eLIBRARY ID
50054137
Текстовый фрагмент статьи