Публикации автора

Предложен прибор для импульсных испытаний силовых n-канальных транзисторов IGBT и MOSFET. Приведена принципиальная электрическая схема и дано описание работы ее отдельных узлов. Применение импульсных измерений позволило создать малогабаритный прибор с небольшой потребляемой мощностью (питание от шины USB). При этом имеется возможность определять пробивное напряжение канала в диапазоне до 1000 В и сопротивление канала открытого транзистора при токе до 80 А. Имеется также возможность оценки порогового напряжения, заряда затвора и входной емкости испытуемого транзистора. Сохранение и обработка данных измерений производится на ПК посредством специально разработанной утилиты.