ISSN 2658-4727
Язык: ru

Статья: ПРИБОР ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ ИСПЫТАНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ MOSFET И IGBT (2024)

Читать онлайн

Предложен прибор для импульсных испытаний силовых n-канальных транзисторов IGBT и MOSFET. Приведена принципиальная электрическая схема и дано описание работы ее отдельных узлов. Применение импульсных измерений позволило создать малогабаритный прибор с небольшой потребляемой мощностью (питание от шины USB). При этом имеется возможность определять пробивное напряжение канала в диапазоне до 1000 В и сопротивление канала открытого транзистора при токе до 80 А. Имеется также возможность оценки порогового напряжения, заряда затвора и входной емкости испытуемого транзистора. Сохранение и обработка данных измерений производится на ПК посредством специально разработанной утилиты.

Ключевые фразы: измерение параметров, mosfet, igbt, заряд затвора, сопротивление канала, напряжение насыщения, пробивное напряжение
Автор (ы): Бурлака Владимир Владимирович, Гулаков Сергей Владимирович, Головин Андрей Юрьевич
Журнал: АВТОМАТИЗАЦИЯ И ИЗМЕРЕНИЯ В МАШИНО- ПРИБОРОСТРОЕНИИ

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.3.083.92. Метод дискретных измерений (цифровой)
621.341.572. Инверторы
Для цитирования:
БУРЛАКА В. В., ГУЛАКОВ С. В., ГОЛОВИН А. Ю. ПРИБОР ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ ИСПЫТАНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ MOSFET И IGBT // АВТОМАТИЗАЦИЯ И ИЗМЕРЕНИЯ В МАШИНО- ПРИБОРОСТРОЕНИИ . 2024. № 4 (28)
Текстовый фрагмент статьи