IN SITU СПЕКТРОСКОПИЯ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛЕ АЛМАЗА ДЛЯ БЕСКОНТАКТНОГО КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ПРОЦЕССЕ РОСТА В СВЧ-ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ РЕАКТОРЕ (2026)
Мы измерили спектры комбинационного рассеяния (КР) монокристалла алмаза в процессе эпитаксиального роста в СВЧ-плазмохимическом реакторе в смеси водород-метан при различных температурах подложки. Из величины смещения пика 1-го порядка КР в спектре определяли температуру кристалла. Показано, что in situ КР позволяет измерять температуру подложки с более высокой точностью по сравнению с пирометрическим методом, что важно для контроля процесса синтеза CVD алмаза.
Издание:
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ФИЗИКЕ ФИАН
Выпуск:
№ 2, Том 53 (2026)