Исследование влияния зонной структуры на диэлектрическую проницаемость эпитаксиальных слоев соединений AIIIBV (2015)
Проведен анализ прямых энергетических переходов в зоне Бриллюэна соединений группы AIIIBV, четверных соединений InGaAsP. Построена модель диэлектрической проницаемости с учетом влияния Г-, L-, X-переходов на широком диапазоне длин волн.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2015)
Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и InGaAsP (2015)
Проведено исследование показателя преломления бинарных соединений InP и четверных растворов InGaAsP. Проведен анализ критических точек в зоне Бриллюэна для полупроводниковых сплавов группы A3B5 со структурой цинковой обманки. Построена модель показателя преломления на широком диапазоне длин волн.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2015)