Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок (2015)
Предложена топология фотодиода, обеспечивающая малые времена восстановления чувствительности. В предложенной топологии фоточувствительная площадка окружена “карманом”, устраняющим медленные диффузионные составляющие в периферийном фотоотклике. Приведены экспериментальные результаты, подтверждающие уменьшение времени восстановления чувствительности.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2015)
Особенности спектральной характеристики ультрафиолетовых GaP-фотодиодов на основе барьера Шоттки (2015)
Исследована спектральная характеристика фотоприемного устройства (ФПУ) на основе ультрафиолетового фотодиода Шоттки из GaP. Показаны два механизма формирования спектральной характеристики: в области 0,28—0,54 мкм — собственное поглощение, в области более 0,54 мкм — поглощение на барьере Шоттки. В первой области спектральной чувствительности ФПУ может работать как пороговый фотоприемник. Во второй области спектральной чувствительности ФПУ способно работать как обнаружитель мощных оптических сигналов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2015)