Публикации автора

Проведены исследования серии образцов PHEMT-гетероструктур различного дизайна на основе твердых растворов GaAs методами электрохимического вольт-фарадного профилирования и фотолюминесценции при разных температурах. На основе построенной математической модели для PHEMT-гетероструктур с квантовой ямой AlGaAs/InGaAs/GaAs смоделированы пространственный профиль потенциала зоны проводимости, положение уровней размерного квантования и огибающие волновые функции носителей заряда. Результаты расчётов сопоставлены с экспериментальными данными. Из сравнительного анализа расчётных и экспериментальных спектров фотолюминесценции сделаны выводы о качестве выращиваемых слоев и гетерограниц.

Представлен обзор разработки гибридных фотоэлектронных приборов и современное состояние отечественных работ в области гибридных приборов, представляющих собой объединенные в единый вакуумный объем фотокатод и линейку p–i–n-диодов либо электронночувствительную матрицу прибора с переносом заряда (ППЗ). Отражена роль АО «ЦНИИ «Электрон» в разработке и производстве номенклатуры отечественных гибридных фотоэлектронных приборов, предназначенных для работы в разных областях электромагнитного спектра, причём с разными системами обработки сигнала. Детально изложены результаты разработки нового фотокатода на основе гетероструктуры InP/InGaAs/InP для ближнего ИК-диапазона 0,95–1,6 мкм. Анализируются преимущества гибридных телевизионных приборов перед сочлененными приборами, изготовленными на базе ЭОПов. Подробное внимание уделено особенностям дизайна ЭЧ ППЗ с точки зрения легирования примеси и создания оптимального профиля тянущего электрического поля.