Архив статей

Повышение устойчивости высокочувствительных фотоприемных устройств к перегрузке оптическим сигналом (2023)
Выпуск: том 11 № 1 (2023)
Авторы: Короннов А. А., Землянов М. М., Сафутин А. Е., Кузнецов М. Ю., Журавлев Н. О.

Проведен сравнительный анализ стойкости к лазерному излучению фотодиодных структур. Показана целесообразность применения германиевых фотодиодов для обеспечения повышенной стойкости фотоприемных устройств к мощной засветке. Представлены результаты исследований основных механизмов, определяющих время восстановления чувствительности фотоприемного устройства после мощной засветки. Рассмотрено схемотехническое решение, позволяющее снизить время восстановления чувствительности фотоприемного устройства после мощной засветки лазерным излучением.

Сохранить в закладках