Тонкие пленки ZrO2: Y2O3 (YSZ) толщиной 4‒5 мкм были сформированы на NiO-YSZ анодных подложках методом магнетронного распыления в атмосфере аргона и кислорода при различных расходах кислорода с последующим отжигом на воздухе при температуре 1200 C. Пленки изучали методами сканирующей, атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифракции. Количественное определение остаточных напряжений (макронапряжений I рода) в тонких пленках YSZ проводилось с использованием стандартного метода sin2. Упругие константы для каждого конкретного образца были определены из результатов наноиндентирова-ния. Показано, что в пленках YSZ, нанесенных магнетронным распылением, внутренние напряжения являются сжимающими и составляют –2,7 ГПа и –2,9 ГПа при осаждении в переходном режиме с дефицитом кислорода и оксидном режимах, соответственно. Осаждение в оксидном режиме приводит к формированию плотной и однородной структуры пленки YSZ с единичными закрытыми порами. Пленка YSZ, полученная в переходном режиме магнетронного распыления, содержит большое количество дефектов в виде пор, ее пористость превышает 60 %. Переход от режима осаждения пленок YSZ с дефицитом кислорода к оксидному режиму приводит к снижению шероховатости поверхности в 2 раза.