Рассматриваются принципиальные возможности AVLIS-технологии, основанной на изотопически селективной фотоионизации атомов выделяемого изотопа лазерным излучением. Для трех основных блоков технологии: испарения, фотоионизации и экстракции ионов выделяемого изотопа, обсуждается перечень научно-технических исследований, необходимых для его внедрения в практику. Приведены результаты развития этой технологии в промышленно развитых странах мира, где в основном ведутся работы по применению этой технологии для промышленного разделения изотопов урана
Обсуждаются научно-технические проблемы, возникающие при использовании метода изотопически селективной фотоионизации для производства изотопов иттербия. Определена оптимальная схема фотоионизации. Приведены спектроскопические и радиационные характеристики входящих в схему переходов. Для условий промышленного производства изотопов методами численного моделирования исследован процесс селективной фотоионизации 168-го изотопа иттербия. Определены требования к лазерным системам, производительность и селективность, а также методы экстракции ионов выделяемого изотопа, не приводящие к значительной потере селективности. Дано описание модели установки для производства весовых количеств изотопа иттербия
Экспериментально и теоретически исследован процесс изотопически селективной фотоионизации (AVLIS процесс) в парах иттербия. Определены оптимальная схема ионизации и динамика процесса.
Численно промоделирован процесс селективной фотоионизации 168 изотопа Yb. Определены производительность и селективность процесса. Показано, что наибольшей эффективности ионизации можно достичь, разбив процесс на две части: первая - когерентное возбуждение атомов выделяемого изотопа, вторая - их фотоионизация. При этом можно повысить как эффективность ионизации среды, так и получить высокую степень изотопической селективности процесса
В работе изучалось воздействие плазменной обработки в среде азота на DC-характеристики HEMT-транзисторов. Показано, что падение токов насыщения транзистора в результате плазменной обработки высокоэнергетичными ионами может быть связано с образованием на поверхности GaN cap-слоя транзисторной структуры зарядовых рассеивающих центров, которые приводят к кулоновскому рассеянию носителей в 2DEG канале, что приводит к падению тока насыщения приборов.
Представлена реализация конструктивно простого и достаточно универсального метода определения интенсивностей атомных и молекулярных пучков, основанного на регистрации величины малоуглового рассеяния электронов, возникающего при взаимодействии узкого электронного луча с атомами испаряемого вещества.
Представлен конструктивно простой и достаточно универсальный метод определения интенсивностей атомных и молекулярных пучков, основанный на регистрации величины малоуглового рассеяния электронов, возникающих при взаимодействии узкого электронного луча с атомами испаряемого вещества.
Представлен конструктивно простой и достаточно универсальный метод диагностики структурного совершенства полупроводниковых пленок в процессе их синтеза в установке МЛЭ по генерации второй гармоники (ВГ) с использованием импульсно-периодического YAG:Nd лазера.