Исследованы нелинейные вольтамперные характеристики (ВАХ) монокристаллов YBa2Cu3O7-x в области резистивного перехода в сверхпроводящее состояние в отсутствии магнитного поля. С помощью модуляционного Фурье-анализа определена аналитическая зависимость ВАХ при температуре T*, соответствующей максимуму амплитуд высших гармоник напряжения отклика (n>1). Зависимость хорошо описывает экспериментальные результаты (как ВАХ, так и амплитуд гармоник) в области токов I < 30 mA (плотностей тока j < 310 A/cm2). В рамках модели Костерлица-Таулесса (KT) показано, что T* соответствует температуре Костерлица-Таулесса TKT. Это дает метод прямого определения TKT. Показано, что при T* степенная аппроксимация ВАХ V ~ I3 имеет место лишь в пределе малой плотности тока (j “ 140 A/ cm2). Отклонение ВАХ от степенной зависимости обусловлено нелогарифмическим законом изменения энергии взаимодействия вихрей от расстояния между ними.
Рассмотрены основные классы высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), включая открытые в последние годы. Приведены максимальные критические температуры, достигнутые в каждом классе. Обсуждаются кристаллические структуры ВТСП.
Дан краткий обзор докладов, представленных на школе “Курчатовец-98”, по наиболее актуальным направлениям сильноточной сверхпроводимости, ее применениями перспективам развития
Рассмотрены процессы, сопровождающие релаксацию неравновесных носителей и генерацию баллистических фононов. Проанализирован характер взаимодействия неравновесных фононов с носителями (“фононный ветер”) в квазистационарном и импульсном режимах генерации при низких температурах. Подробно исследован случай длительных импульсов, характерный для “холодного γ-лазера”. В результате численных расчетов выявлен характер зависимости от мощности источника фононов и частоты алмаза и получено распределение концентрации носителей во времени и пространстве
С помощью модуляционной методики измерены амплитуды гармоник намагниченности и напряжения поликристаллических образцов YBa2Cu307-d. Экспериментально обнаружено существование двух систем слабых связей - меж- и внутригранульной, что приводит к усложнению формы вольтамперной характеристики
Экспериментально и теоретически исследовано влияние эффекта поглощенной дозы ионизирующего излучения на работу линейного стабилизатора напряжения положительной полярности ИС-ЛС3-5В с низким падением напряжения с использованием разработанного аппаратно-программного комплекса. Установлено, что по параметрам выходное напряжение и минимальное падение напряжения ИС-ЛС3-5В демонстрирует радиационную стойкость к эффектам поглощенной дозы и сохраняет функциональное состояние без отказа в исследованном диапазоне облучения. Определена аналитическая зависимость выходного напряжения и минимального падения напряжения от поглощенной дозы ионизирующего излучения. Разработана принципиальная схема и SPICE-макромодель стабилизатора ИС-ЛС3-5В для электротехнического моделирования с учетом величины поглощенной дозы при радиационном облучении.