Найти:

Архив статей

Фильтры 1  
Фотодиоды из антимонида индия с эффектом Мосса—Бурштейна на основе жидкофазных гомоэпитаксиальных структур (2012)
Выпуск: №4 (2012)
Авторы: Астахов В. П., Карпов В. В., Крапухин В. В., Чишко В. Ф., Шлёнский А. А.

Изготовлены и исследованы 64-элементные линейки фотодиодов на жидкофазных гомоэпитаксиальных структурах антимонида индия типа n (пленка) — n+(подложка) по базовой имплантационной технологии ОАО «Московский завод “САПФИР”». Показана возможность применения таких фотодиодов с одинаковым успехом при облучении как со стороны эмиттера (р+-слоя), так и со стороны подложки.

Сохранить в закладках
Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.