Статья: Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs

Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик и спектральной характеристики чувствительности фотодиодов на основе выращенных методом MOCгидридной эпитаксии гетероэпитаксиальных структур с поглощающим слоем In0,67Ga0,33As, легированным Zn, на подложках InP. Фотодиоды изготовлены по меза-технологии. Правая граница спектральной характеристики чувствительности фотодиодов по уровню 0,5 составляет 2,06 мкм при комнатной температуре. Исследованы зависимости спектров фоточувствительности фотодиодов в диапазоне температур 230–300 К.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2017
Автор(ы)
Болтарь К., Иродов Н. А., Седнев М. В., Мармалюк А. А., Ладугин М. А., Рябоштан Ю. Л.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.