Доклад: Полирование пластин GaAs диаметром 2 дюйма и ориентации (100) и (013) с достижением шероховатости поверхности Ra≤0,15 нм
Докладчик
Бондарев Виктор ПавловичАО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Журавлев Е.О., Хихеев Н.Г.
Тип доклада
Устный
Секция программы
Дата и время
пятница, 06 фев (начало в 12:45)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 19
10:00 |
Исследование селективного травления контактного и барьерного слоев nBn гетероструктур InAsSb для формирования меза структуры фотодиодных матриц
Гридин Максим Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Гридин Максим Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:15 |
Преимущества полирования антимонида индия абразивной суспензией Al2O3 с субмикронными частицами
Саркисов Никита Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Саркисов Никита Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:30 |
Определение технологических условий резки слитки CdZnTe алмазированной проволокой
Малахин Глеб Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Малахин Глеб Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:45 |
Исследование дефектной структуры пластин твердого раствора CdTe-ZnTe
Михайлова Юлия Сергеевна •РХТУ ИМ. Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА
Михайлова Юлия Сергеевна •РХТУ ИМ. Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА
11:15 |
Канальная неоднородность в монокристаллах InSb(Ge), выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [111]
Коломиец Зоя Денисовна•ГИРЕДМЕТ
Коломиец Зоя Денисовна•ГИРЕДМЕТ
11:30 |
Синтез коллоидных квантовых точек HgTe c узким распределением по размерам для ИК фотосенсорики методом введения прекурсора теллура при пониженной температуре
Чемакина Яна Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
Чемакина Яна Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
11:45 |
Исследование замены лигандов в чернилах из коллоидных нанокристаллов AgInS2 с применением ИК-Фурье спектроскопии и АСМ.
Троянова Маргарита Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
Троянова Маргарита Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
12:15 |
Исследование геометрии фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов GaAs методом Чохральского
Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ
Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ
12:30 |
Оптимизация роста арсенида галлия, легированного оловом, методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
Хихеев Николай Германович•АО ГИРЕДМЕТ
Хихеев Николай Германович•АО ГИРЕДМЕТ
12:45 |
Полирование пластин GaAs диаметром 2 дюйма и ориентации (100) и (013) с достижением шероховатости поверхности Ra≤0,15 нм
Бондарев Виктор Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
13:00 |
Обеденный перерыв
14:00 |
Влияние динамических параметров на развитие канальной неоднородности в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского в направлении [111]
Ползикова Кристина Сергеевна•ГИРЕДМЕТ
Ползикова Кристина Сергеевна•ГИРЕДМЕТ
14:15 |
Исследование обработки Si в растворе HNA для применений в технологии корпусирования МЭМС-устройств на уровне пластины
Юркин Никита Олегович•МИСИС
Юркин Никита Олегович•МИСИС
14:30 |
Исследование фоторезиста KMP C7600А для проекционной фотолитографии с технологической нормой 300 нм
Платонов Данил Дмитриевич•Маппер
Платонов Данил Дмитриевич•Маппер
14:45 |
Обеспечение плоскостности при полировании гетероструктур HgCdTe/CdZnTe, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
Кондрахин Александр Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Кондрахин Александр Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
15:00 |
Влияние режимов проволочной резки на основные геометрические характеристики пластин InSb (100)
Нестюркин Михаил Сергеевич•ГИРЕДМЕТ
Нестюркин Михаил Сергеевич•ГИРЕДМЕТ
15:15 |
Повышение количества выхода годных многоэлементных лавинных ФПУ с помощью контроля технологии производства по темновым и световым ВАХ
Маркин Иван Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Маркин Иван Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
