Доклад: Влияние динамических параметров на развитие канальной неоднородности в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского в направлении [111]

Написать

В расписание

Докладчик

Ползикова Кристина Сергеевна

ГИРЕДМЕТ

Автор(ы)

Ползикова К.С., Комаровский Н.Ю., Тихонов Д.А., Князев С.Н.

Тип доклада

Устный

Конференция

XV Научно-практическая конференция молодых ученых и специалистов АО "НПО "Орион"

Секция программы

СЕКЦИЯ 3 Технологическая инновационная активность молодежи

Дата и время

пятница, 06 фев (начало в 14:00)

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2026 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Создать тему обсуждения

Другие доклады секции: 19

10:00 | Исследование селективного травления контактного и барьерного слоев nBn гетероструктур InAsSb для формирования меза структуры фотодиодных матриц

Гридин Максим Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

10:15 | Преимущества полирования антимонида индия абразивной суспензией Al2O3 с субмикронными частицами

Саркисов Никита Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

10:30 | Определение технологических условий резки слитки CdZnTe алмазированной проволокой

Малахин Глеб Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″

10:45 | Исследование дефектной структуры пластин твердого раствора CdTe-ZnTe

Михайлова Юлия Сергеевна •РХТУ ИМ. Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА

11:00 | Формирование краевого профиля пластин CdZnTe

Малахин Глеб Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″

11:15 | Канальная неоднородность в монокристаллах InSb(Ge), выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [111]

Коломиец Зоя Денисовна•ГИРЕДМЕТ

11:30 | Синтез коллоидных квантовых точек HgTe c узким распределением по размерам для ИК фотосенсорики методом введения прекурсора теллура при пониженной температуре

Чемакина Яна Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ

11:45 | Исследование замены лигандов в чернилах из коллоидных нанокристаллов AgInS2 с применением ИК-Фурье спектроскопии и АСМ.

Троянова Маргарита Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ

12:00 | К вопросу о вязкости разрушения монокристаллического GaAs

Савиных Екатерина Александровна•МИСИС

12:15 | Исследование геометрии фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов GaAs методом Чохральского

Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ

12:30 | Оптимизация роста арсенида галлия, легированного оловом, методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава

Хихеев Николай Германович•АО ГИРЕДМЕТ

12:45 | Полирование пластин GaAs диаметром 2 дюйма и ориентации (100) и (013) с достижением шероховатости поверхности Ra≤0,15 нм

Бондарев Виктор Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″

13:00 | Обеденный перерыв

14:00 | Влияние динамических параметров на развитие канальной неоднородности в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского в направлении [111]

Ползикова Кристина Сергеевна•ГИРЕДМЕТ

14:15 | Исследование обработки Si в растворе HNA для применений в технологии корпусирования МЭМС-устройств на уровне пластины