Доклад: Синтез коллоидных квантовых точек HgTe c узким распределением по размерам для ИК фотосенсорики методом введения прекурсора теллура при пониженной температуре
Докладчик
Чемакина Яна АлександровнаМФТИ, ФИЗТЕХ
Соавтор(ы)
Королева Т.В., Хакимов К.Т., Сапцова О.А., Яковлев В.О., Медведев А.Г. Попов В.С.
Тип доклада
Устный
Секция программы
Дата и время
пятница, 06 фев (начало в 11:30)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 19
10:00 |
Исследование селективного травления контактного и барьерного слоев nBn гетероструктур InAsSb для формирования меза структуры фотодиодных матриц
Гридин Максим Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Гридин Максим Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:15 |
Преимущества полирования антимонида индия абразивной суспензией Al2O3 с субмикронными частицами
Саркисов Никита Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Саркисов Никита Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:30 |
Определение технологических условий резки слитки CdZnTe алмазированной проволокой
Малахин Глеб Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Малахин Глеб Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:45 |
Исследование дефектной структуры пластин твердого раствора CdTe-ZnTe
Михайлова Юлия Сергеевна •РХТУ ИМ. Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА
Михайлова Юлия Сергеевна •РХТУ ИМ. Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА
11:15 |
Канальная неоднородность в монокристаллах InSb(Ge), выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [111]
Коломиец Зоя Денисовна•ГИРЕДМЕТ
Коломиец Зоя Денисовна•ГИРЕДМЕТ
11:30 |
Синтез коллоидных квантовых точек HgTe c узким распределением по размерам для ИК фотосенсорики методом введения прекурсора теллура при пониженной температуре
Чемакина Яна Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
11:45 |
Исследование замены лигандов в чернилах из коллоидных нанокристаллов AgInS2 с применением ИК-Фурье спектроскопии и АСМ.
Троянова Маргарита Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
Троянова Маргарита Александровна•МФТИ, ФИЗТЕХ
12:15 |
Исследование геометрии фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов GaAs методом Чохральского
Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ
Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ
12:30 |
Оптимизация роста арсенида галлия, легированного оловом, методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
Хихеев Николай Германович•АО ГИРЕДМЕТ
Хихеев Николай Германович•АО ГИРЕДМЕТ
12:45 |
Полирование пластин GaAs диаметром 2 дюйма и ориентации (100) и (013) с достижением шероховатости поверхности Ra≤0,15 нм
Бондарев Виктор Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Бондарев Виктор Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″
13:00 |
Обеденный перерыв
14:00 |
Влияние динамических параметров на развитие канальной неоднородности в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского в направлении [111]
Ползикова Кристина Сергеевна•ГИРЕДМЕТ
Ползикова Кристина Сергеевна•ГИРЕДМЕТ
14:15 |
Исследование обработки Si в растворе HNA для применений в технологии корпусирования МЭМС-устройств на уровне пластины
Юркин Никита Олегович•МИСИС
Юркин Никита Олегович•МИСИС
14:30 |
Исследование фоторезиста KMP C7600А для проекционной фотолитографии с технологической нормой 300 нм
Платонов Данил Дмитриевич•Маппер
Платонов Данил Дмитриевич•Маппер
14:45 |
Обеспечение плоскостности при полировании гетероструктур HgCdTe/CdZnTe, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
Кондрахин Александр Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Кондрахин Александр Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
15:00 |
Влияние режимов проволочной резки на основные геометрические характеристики пластин InSb (100)
Нестюркин Михаил Сергеевич•ГИРЕДМЕТ
Нестюркин Михаил Сергеевич•ГИРЕДМЕТ
15:15 |
Повышение количества выхода годных многоэлементных лавинных ФПУ с помощью контроля технологии производства по темновым и световым ВАХ
Маркин Иван Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Маркин Иван Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
