Доклад: Эпитаксиальное выращивание полупроводниковых гетероструктур на основе III–V соединений с сурьмой для ИК фотосенсорики
Докладчик
Соавтор(ы)
Кривобок В.С., Николаев С.Н., Ерошенко Г.Н., Ченцов С.И., Савин К.А., Минаев И.И., Аминев Д.Ф., Мартовицкий В.П.
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
четверг, 28 мая (начало в 11:10)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 21
09:00 |
Материалы пониженной размерности и новое поколение ИК-фотосенсорики на их основе
Попов Виктор Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Попов Виктор Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:20 |
Синтез и управление оптическими свойствами коллоидных нанокристаллов сульфидов в золях и тонких пленках
Шуклов Иван Алексеевич•МФТИ, ФИЗТЕХ
Шуклов Иван Алексеевич•МФТИ, ФИЗТЕХ
09:40 |
Приемники-преобразователи лазерной энергии и светоизлучающие диоды на гетеро-структурах А3В5: разработки ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Шварц Максим Зиновьевич•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
Шварц Максим Зиновьевич•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
10:20 |
Исследование химического состава и электрофизических параметров границы раздела CdHgTe c Al2O3, осаждаемым после травления в Br2:HBr
Закиров Евгений Рашитович•ИФП СО РАН
Закиров Евгений Рашитович•ИФП СО РАН
10:35 |
Особенности синтеза буферных слоев CdTe и CdxZn1-xTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных подложках
Климов Евгений Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Климов Евгений Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:10 |
Эпитаксиальное выращивание полупроводниковых гетероструктур на основе III–V соединений с сурьмой для ИК фотосенсорики
11:25 |
Возможность функционирования фоторезисторов с нулевым напряжением смещения
Холоднов Вячеслав Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Холоднов Вячеслав Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:45 |
Электрооптические характеристики QWIP фотодетекторов с удаленной подложкой
Дудин Анатолий Леонидович•СВЕТЛАНА-РОСТ
Дудин Анатолий Леонидович•СВЕТЛАНА-РОСТ
12:00 |
Перерыв
12:20 |
Исследования и разработки непланарных кремниевых фотоумножителей
Виноградов Сергей Леонидович•Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
Виноградов Сергей Леонидович•Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
12:40 |
Охлаждаемые быстродействующие матричные фотоприемныеустройства специального назначения
Карпов Владимир Владимирович•САПФИР
Карпов Владимир Владимирович•САПФИР
13:00 |
Водородный генератор тока на основе диода Шоттки Pd/InP
Яковлев Юрий Павлович•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
Яковлев Юрий Павлович•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
13:30 |
Матричный крупноформатный КМОП-фотоприемник отечественного производства
Баталов Константин Сергеевич•АО ″ЦНИИ ″Электрон″
Баталов Константин Сергеевич•АО ″ЦНИИ ″Электрон″
14:00 |
Обед
15:00 |
Квантово-каскадные детекторы для среднего инфракрасного диапазона
Дюделев Владислав Викторович•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
Дюделев Владислав Викторович•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
15:15 |
Исследование тепловых процессов в приборах отрицательной люминесценции на основе p-InAsSb/n-InAs0.78Sb0.22 при импульсной накачке
Лухмырина Татьяна Сергеевна•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
Лухмырина Татьяна Сергеевна•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
15:30 |
Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе цифровых твердых растворов (GaN/AlN):Si с максимумом спектральной чувствительности, регулируемом в диапазоне 230-280нм
Семенов Алексей Николаевич•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
Семенов Алексей Николаевич•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
15:45 |
Аммиачная молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур AlGaN p-i-n фотодиодов на пластинах до 100 мм и их характеристики для солнечно-слепых ультрафиолетовых фотоприемников
Луценко Евгений Викторович•Институт физики НАН Беларуси
Луценко Евгений Викторович•Институт физики НАН Беларуси
