Доклад: Полупроводниковые сверхрешетки InAs/GaSb с интерфейсной компенсацией упругих напряжений для оптоэлектронных применений
Докладчик
Соавтор(ы)
Николаев С.Н., Клековкин А.В., Ерошенко Г.Н., Ченцов С.И., Савин К.А., Минаев И.И., Аминев Д.Ф.,
Тип доклада
Пленарный
Конференция
Секция программы
Дата и время
среда, 27 мая (начало в 15:35)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 3
15:10 |
Средневолновые и длинноволновые ИК фотодиоды на основе InAs, InAsSb и InAsSbP, созданные в ФТИ им.А.Ф. Иоффе.
Ременный Максим Анатольевич•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
Ременный Максим Анатольевич•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
15:35 |
Полупроводниковые сверхрешетки InAs/GaSb с интерфейсной компенсацией упругих напряжений для оптоэлектронных применений
