Доклад: Средневолновые и длинноволновые ИК фотодиоды на основе InAs, InAsSb и InAsSbP, созданные в ФТИ им.А.Ф. Иоффе.

Докладчик
Автор(ы)
М.А. Ременный, Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., А.А. Климов, Р.Э. Кунков, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, Усикова А.А.
Тип доклада
Пленарный
Секция программы
секция не определена

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.