Доклад: Исследование фотоэлектрических параметров МФПУ на основе КРТ с механически утоньшённым эпитаксиальным слоем
Докладчик
Давлетшин Ренат ВалиевичАО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Болтарь К.О., Головин С.В., Маслюков Е.А., Давлетшин Р.В., Трофимов А.А.
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
пятница, 29 мая (начало в 12:45)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 15
09:15 |
Влияние локальных дефектов на темновые токи и шумы кремниевых фотодиодов
Попов Константин Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Попов Константин Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:30 |
Автофокусировка изображения в оптико-электронных системах на основе нечеткого ПИД-регулятора
Берилло Андрей Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Берилло Андрей Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:00 |
Матрицы фотодиодов SWIR диапазона на основе XBn-структур InGaAs
Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:15 |
Охлаждаемые ИК МФПУ на основе InSb (100) и InSb (111)
Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:30 |
Применение рентгеновских методов контроля пластин InSb(100) для производства ИК ФПУ
Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:45 |
Фотоэлектрическая взаимосвязь элементов МФПУ средневолнового ИК диапазона на основе антимонида индия с шагом до 12 мкм
Лопухин Алексей Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Лопухин Алексей Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:00 |
Гибридизация методом перевёрнутого кристалла при изготовлении ИК-МФПУ на основе InSb
Новиков Иван Валерьевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Новиков Иван Валерьевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:15 |
Исследование проблем планаризации жидкофазных гетероструктур HgCdTe/CdZnTe
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:45 |
Перерыв
12:00 |
Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD
Романов Андрей Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Романов Андрей Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:15 |
Малогабаритное МФПУ с повышенной рабочей температурой фоточувствительных элементов
Бабенко Дмитрий Дмитриевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Бабенко Дмитрий Дмитриевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:30 |
Исследование селективного травления nBn гетероструктур InAsSb для формирования меза структуры фотодиодных матриц
Трухачев Антон Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Трухачев Антон Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:45 |
Исследование фотоэлектрических параметров МФПУ на основе КРТ с механически утоньшённым эпитаксиальным слоем
Давлетшин Ренат Валиевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
