Доклад: Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD
Докладчик
АО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Трухачев А.В., Поляков А.Я.
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
пятница, 29 мая (начало в 12:00)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 15
09:30 |
Автофокусировка изображения в оптико-электронных системах на основе нечеткого ПИД-регулятора
11:45 |
Перерыв
12:00 |
Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD