Доклад: Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD

Докладчик
Романов Андрей Андреевич
АО ″НПО ″ОРИОН″
Автор(ы)
Романов А.А.
Соавтор(ы)
Трухачев А.В., Поляков А.Я.
Тип доклада
Устный

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2026 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 15
11:45 | Перерыв
12:00 | Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD
Романов Андрей АндреевичАО ″НПО ″ОРИОН″