Доклад: Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD
Докладчик
Романов Андрей АндреевичАО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Трухачев А.В., Поляков А.Я.
Тип доклада
Устный
Секция программы
секция не определена
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.