Доклад: Исследование селективного травления nBn гетероструктур InAsSb для формирования меза структуры фотодиодных матриц
Докладчик
Трухачев Антон ВладимировичАО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Гридин М.А., Савостин А.В., Лопухин А.А., Кожаринова Е.А., Трухачева Н.С.
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
пятница, 29 мая (начало в 12:30)
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 15
09:15 |
Влияние локальных дефектов на темновые токи и шумы кремниевых фотодиодов
Попов Константин Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Попов Константин Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:30 |
Автофокусировка изображения в оптико-электронных системах на основе нечеткого ПИД-регулятора
Берилло Андрей Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Берилло Андрей Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:00 |
Матрицы фотодиодов SWIR диапазона на основе XBn-структур InGaAs
Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:15 |
Охлаждаемые ИК МФПУ на основе InSb (100) и InSb (111)
Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:30 |
Применение рентгеновских методов контроля пластин InSb(100) для производства ИК ФПУ
Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:45 |
Фотоэлектрическая взаимосвязь элементов МФПУ средневолнового ИК диапазона на основе антимонида индия с шагом до 12 мкм
Лопухин Алексей Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Лопухин Алексей Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:00 |
Гибридизация методом перевёрнутого кристалла при изготовлении ИК-МФПУ на основе InSb
Новиков Иван Валерьевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Новиков Иван Валерьевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:15 |
Исследование проблем планаризации жидкофазных гетероструктур HgCdTe/CdZnTe
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:45 |
Перерыв
12:00 |
Исследование диэлектрических слоёв Al2O3, выращенных на поверхности эпитаксиальных структур HgCdTe методом ALD
Романов Андрей Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Романов Андрей Андреевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:15 |
Малогабаритное МФПУ с повышенной рабочей температурой фоточувствительных элементов
Бабенко Дмитрий Дмитриевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Бабенко Дмитрий Дмитриевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:30 |
Исследование селективного травления nBn гетероструктур InAsSb для формирования меза структуры фотодиодных матриц
Трухачев Антон Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:45 |
Исследование фотоэлектрических параметров МФПУ на основе КРТ с механически утоньшённым эпитаксиальным слоем
Давлетшин Ренат Валиевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Давлетшин Ренат Валиевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
