Доклад: Определение интерфейсной и объемной составляющих эффективного встроенного заряда Al2O3 и HfO2, формируемых на CdHgTe методом атомно-слоевого осаждения
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2026 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 70
С27 |
Определение интерфейсной и объемной составляющих эффективного встроенного заряда Al2O3 и HfO2, формируемых на CdHgTe методом атомно-слоевого осаждения