Доклад: Определение интерфейсной и объемной составляющих эффективного встроенного заряда Al2O3 и HfO2, формируемых на CdHgTe методом атомно-слоевого осаждения

Написать

В расписание

Докладчик

ИФП СО РАН

Автор(ы)

Краснова И.А., Закиров Е.Р., Гребенщикова А.А., Сидоров Г.Ю.

Тип доклада

Стендовый

Конференция

Секция программы

секция не определена

Статистика просмотров за 2026 год.

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Создать тему обсуждения