Доклад: Определение концентрации носителей заряда в высоколегированных подложках InSb по низкотемпературным спектрам пропускания

Докладчик
Ковшов Владимир Сергеевич
АО ″НПО ″ОРИОН″
Автор(ы)
Ковшов В.С.
Тип доклада
Стендовый
Секция программы
секция не определена

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2026 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.