Характеристики импульсного источника ИК-излучения при работе в разрядном контуре (2023)
Выполнен теоретический анализ и экспериментальные исследования влияния пара-метров разрядного контура на электрические свойства и характеристики излучения импульсной цезиевой лампы. Показаны определяющая роль корректирующей индуктивности на время формирования плазменного канала в течение одного импульса то-ка и характеристики излучения источника ИК-излучения. Даны рекомендации по вы-бору параметров разрядного контура для получения оптимальных значений пиковой силы и длительности излучения цезиевой лампы в среднем ИК-диапазоне.
The article presents the result of a theoretical analysis and experimental studies of the influence of the discharge circuit parameters on the electrical properties and radiation characteristics of a pulsed cesium lamp. The determining role of the correcting inductance for the time of the plas-ma channel formation during one current pulse and the IR source radiation characteristics are shown. Recommendations are given for choosing the discharge circuit parameters to obtain the optimal peak power values and duration of radiation from a cesium lamp in the mid-IR range.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2023-2-56-63
- eLIBRARY ID
- 50786801
В результате выполненного научно-теоретического анализа научных публикаций и проведенных экспериментальных исследований установлено определяющее влияние величины индуктивности разрядного контура на характеристики излучения в среднем ИК-диапазоне. Практическая значимость представленных в данной статье результатов обусловлена необходимостью учета индуктивности соединительных проводов между источником электрического питания и лампой, входящей в состав ОЭС, которые конструктивно разнесены на объекте.
Список литературы
- Гавриш С. В., Логинов В. В., Пучнина С. В. / Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6. № 4. С. 333–348.
- Гавриш С. В. / Прикладная физика. 2018. № 6. С. 84–89.
- Гавриш С. В. / Прикладная физика. 2021. № 5. С. 25–31.
- Гавриш С. В. / Прикладная физика. 2018. № 5. С. 86–93.
- Гавриш С. В. / Прикладная физика. 2010. № 4. С. 45–49.
- Маршак И. С., Дойников А. С., Жильцов В. П. и др. Импульсные источники света. Изд. 2-е перераб. и доп. – М.: Энергия, 1978.
- Аганичев С. Б., Гавриш С. В., Гайдуков Е. Н., Сильницкий А. Ф. / Тез. докл. III Международ. светотехн. конф. – Новгород, 1997. С. 136–137.
- Басов Ю. Г. Источники накачки микросе-кундных лазеров. – М.: Энергоатомиздат, 1990.
- Королев Е. А., Хазов Л. Д. / ЖПС. 1967. Т. 6. № 4. С. 467–470.
- Вакуленко В. М., Иванов Л. П. Источники пи-тания лазеров. – М.: Советское радио, 1980.
- Сенилов Г. Н., Родионов Л. В., Ширшов Л. Г. Расчет и эксплуатация светотехнических импульсных установок и источников питания. – М.: Энергоиздат, 1989.
- Белостоцкий Б. Р., Любавский Ю. В., Овчин-ников В. М. Основы лазерной техники. Твердотельные ОКГ. – М.: Советское радио, 1972.
- Голубев И. В., Нархова Г. И., Румянцев М. И., Швом Е. М. / Электронная техника. Сер. Лазерная тех-ника и оптоэлектроника. 1979. № 4. С. 89–93.
- Басов Ю. Г., Рыкунова Н. Г. / Светотехника. 1994. № 5. С. 18–21.
- Басов Ю. Г., Чумаков В. А. / Светотехника. 2001. № 2. С. 13–17.
- Gavrish S. V. / Physics of Atomic Nuclei. 2022. Vol. 85. № 9. P. 73–78.
- Фугенфиров М. И. Электрические схемы с га-зоразрядными лампами. – М.: Энергия, 1974.
- Gavrish S. V., Loginov V. V. and Puchnina S. V., Advances in applied physics 6 (4), 333¬–348 (2018) [in Russian].
- Gavrish S. V., Applied Physics, № 6, 84–89 (2018) [in Russian].
- Gavrish S. V., Applied Physics № 5, 25–31 (2021) [in Russian].
- Gavrish S. V., Applied Physics, № 5, 86–93 (2018) [in Russian].
- Gavrish S. V., Applied Physics, № 4, 45–49 (2010) [in Russian].
- Marshak I. S., Doinikov A. S., Zhiltsov V. P. et al., Pulsed light sources, 2nd ed., revised. and additional, Moscow, Energy, 1978.
- Aganichev S. B., Gavrish S. V., Gaidukov E. N. and Silnitsky A. F. Abstracts. report III International. lighting engi-neering conf. Novgorod 1997, pp.136–137.
- Basov Yu. G., Sources of pumping microsecond lasers, Moscow, Energoatomizdat, 1990.
- Korolev E. A. and Khazov L. D. ZhPS 6 (4), 467–470 (1967).
- Vakulenko V. M. and Ivanov L. P., Power supplies for lasers, Moscow, Soviet radio, 1980.
- Senilov G. N., Rodionov L. V. and Shirshov L. G., Calculation and operation of lighting engineering impulse in-stallations and power supplies, Moscow, Energoizdat, 1989.
- Belostotsky B. R., Lyubavsky Yu. V. and Ovchinnikov V. M., Fundamentals of laser technology. Solid State OCGs, Moscow, Soviet radio, 1972.
- Golubev I. V., Narkhova G. I., Rumyantsev M. I. and Seam E. M., Electronic technology. Ser. Laser technology and optoelectronics, № 4, 89–93 (1979).
- Basov Yu. G. and Rykunova N. G., Svetotekhnika, № 5, 18–21 (1994).
- Basov Yu. G. and Chumakov V. A., Svetotekhnika, № 2, 13–17 (2001).
- Gavrish S. V., Physics of Atomic Nuclei 85 (9), 73–78 (2022).
- Fugenfirov M. I., Electric circuits with gas-discharge lamps, Moscow, Energy, 1974.
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Завьялов М. А., Сапронова Т. М., Сыровой В. А.
Использование внешних неоднородных магнитных полей для увеличения ресурса
высоковольтных вакуумных выключателей 5
Аветисян Т. В., Львович Я. Е., Преображенский А. П., Преображенский Ю. П.
Исследование математических моделей для оценок характеристик рассеяния полых структур 10
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Бычков В. Л., Горячкин П. А., Черников В. А., Шваров А. П., Изотов А. М., Тарасенко Б. А., Дударев Д. П.
Воздействие коронных разрядов на всхожесть и зараженность семян озимой пшеницы 15
Соснин Э. А., Викторова И. А., Грецкая О. Н., Панарин В. А., Скакун В. С., Нужных С. А.
Действие продуктов распада плазмы апокампического разряда на урожайность картофеля (Solanum tuberosum L.) 22
Доброклонская М. С., Василяк Л. М., Владимиров В. И., Печеркин В. Я.
Устойчивые и неустойчивые траектории движения заряженной частицы в квадрупольной электродинамической ловушке в воздухе 29
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Косякова А. М., Ковшов В. С., Можаева М. О.
Спектроскопия полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур на основе InGaAs для разработки фотоприемных устройств ближнего ИК-диапазона 35
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
О применимости закона Кирхгофа к субволновой частице, находящейся в
термодинамическом равновесии с окружающей средой 44
Гавриш С. В.
Характеристики импульсного источника ИК-излучения при работе в разрядном контуре 56
Ковшов В. С.
Исследование спектральной характеристики чувствительности nBn фотодиодов на основе InAsSb 64
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Жабин Г. А., Коннов А. В.
Влияние способа изготовления мишени (BaSrCa)CO3 и рабочего газа на эмиссионные свойства молекулярно-напыленных микрокатодов 77
Бут М. Е., Иващенко Е. А., Фирсова Ю. А., Гулюкин М. Н., Храмогин Д. А., Денисов Д. Г.
Технологические особенности производства нейтральных марок стёкол для видимого
и ближнего инфракрасного спектральных диапазонов 84
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Железнов В. Ю., Малинский Т. В., Рогалин В. Е., Филин С. А.
Модернизация аналогового измерителя энергии лазерного излучения в цифровой 90
Михайлов Д. Б., Полянчева А. В., Матвеев А. И.
Исследование стабильности метрологических характеристик первичных измерительных преобразователей мощности в волноводных трактах 97
Ребров С. Г., Голиков А. Н., Федоров И. А.
Характеристики мощного плазмотрона переменного тока при работе на углекислом газе 103
Варюхин А. Н., Гордин М. В., Дутов А. В., Козлов А. Л., Мошкунов С. И., Небогаткин С. В., Хомич В. Ю., Шершунова Е. А.
Алгоритм управления импульсным силовым понижающим-повышающим преобразователем постоянного напряжения 109
Другие статьи выпуска
Описан алгоритм управления силовым понижающим-повышающим преобразователем постоянного напряжения. Предложенный алгоритм может найти применение в системах электропитания разных устройств во многих областях техники, например, при организации заряда аккумуляторной батареи с контролируемым током заряда на борту летательного аппарата с гибридной силовой установкой посредством мощных импульсных силовых преобразователей понижающего-повышающего типа, а также при обеспечении вторичного электропитания оборудования и функциональной аппаратуры летательных аппаратов со стабилизированными напряжением и предельным значением тока в нагрузке.
Представлены результаты исследования особенностей работы трехфазного плазмотрона переменного тока мегаваттной мощности при использовании в качестве рабочего тела углекислого газа. Получены данные по вольтамперной характеристике плазмотрона, а также по скорости уноса наиболее теплонапряженных узлов: электродов и конфузоров. Данные по уносу получены путем взвешивания исследуемых узлов после циклов их работы. Режимы работы плазмотрона варьировались в диапазоне: дуговая мощность: 0,92–1,2 МВт, ток: 345–400 А, расход углекислого газа 110 г/с. Проведено сравнение скорости уноса электродов и конфузоров при работе плазмотрона на CO2 и воздухе.
Приводятся результаты исследований метрологических характеристик первичных измерительных преобразователей мощности электромагнитных колебаний в волноводных трактах, находящихся в эксплуатации более 20 лет. Показано, что при конструировании и дальнейшем использовании термисторных первичных преобразователей в составе новейших образцов измерительной техники стабильность калибровочного коэффициента сохраняется на протяжении 4 лет.
Экспериментально показана возможность модернизации аналоговых приборов с помощью контроллера Arduino Uno, на примере измерителя ИЛД-2М, который был апробирован в установке для измерения влияния плотности энергии импульсного лазерного излучения с длиной волны = 355 нм на коэффициент отражения различных материалов. Для калибровки использовался измеритель энергии лазерного излучения NOVA II, с помощью которого был найден коэффициент соответствия между энергией измеренной NOVA II и напряжением на выходе ИЛД-2М. Обозначены основные
проблемы, оказавшие влияние на необходимость усовершенствования аналогового оборудования. Модернизация позволила провести обработку результатов эксперимента с помощью современных компьютерных технологий.
Проведены серии производственных варок для исследования нейтрального оптического стекла марки НС6 в электрических печах в сосудах объёмом 150 мл. Исследовано влияние соотношения между химическим составом вводимых в шихту красителей оксидов железа и спектральными коэффициентами пропускания и ослабления полученных нейтральных стёкол заданной марки.
Рассмотрена классическая структура nBn-фотодиода, детектирующего излучение в средневолновом инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, изготовленного на основе InAsSb. Проведен расчет поглощения в гетероструктуре в каждом слое с учетом особенностей поглощения в активном слое InAsSb, таких как, эффект Бурштейна-Мосса и правило Урбаха. Проведен расчет квантовой эффективности и спектральной характеристики чувствительности с учетом многократных отражений на интерфейсах гетероструктуры и особенностей поглощения на свободных носителях в подложке GaSb. Определена оптимальная толщина активного слоя nBn-фотодиода при раз-личных значениях времени жизни неосновных носителей заряда. Показано достижение высоких значений удельной обнаружительной способности ФПУ в BLIP-режиме.
Предложена новая методика расчетов коэффициентов поглощения субволновых частиц (СЧ). В этой методике поток излучения представляется набором пространственных спектральных мод, которые поглощаются СЧ в соответствии с произведением ei×f(D, l). Причем при l £ lcutoff f(D, l) = 1, а при l > lcutoff f(D, l) = (2D /l)2, где: D – диаметр СЧ, l – длина волны, lcutoff – длина волны отсечки, ei – интегральный коэффициент поглощения «большого» тела из материала аналогичного материалу СЧ. Проведены расчеты коэффициентов излучения и поглощения СЧ, находящейся в термодинамическом равновесии с окружающей средой. Для сравнения, наряду с предложенной методикой, была использована методика расчетов коэффициента поглощения СЧ, основанная на учете глубины проникновения излучения в материал СЧ. Показано, что выполнимость закона Кирхгофа для СЧ зависит от диаметра частицы и от температуры окружающей среды. При «больших» D коэффициенты излучения и поглощения равны (закон Кирхгофа выполняется), однако, при уменьшении D коэффициент поглощения становится больше, чем коэффициент излучения (закон Кирхгофа не выполняется).
Представлены исследования и анализ образцов с гетероэпитаксиальной структурой на основе твердого раствора InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs. Определены состав и толщины слоев структуры метода-ми фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой электронной микроскопии соответственно. Измерены спектры пропускания на ИК Фурье-спектрометре. Разработана аналитическая модель спектральных характеристик исследуемых структур. Решением обратной задачи методом подгонки определены конструктивные параметры структуры и состав активного слоя InGaAs. Сравнительный анализ экспериментальных и теоретических данных показал небольшой разброс значений для толщины (менее 65 нм) и состава поглощающего слоя (менее 0,04). Показана корректность и быстродействие разработанного неразрушающего метода характеризации полупроводниковых структур.
Представлены результаты экспериментальных и расчетных исследований пленения одиночный заряженной частицы в горизонтально ориентированной линейной электродинамической ловушке Пауля при атмосферном давлении в воздухе. Получены траектории устойчивого и неустойчивого движения. Обнаружено, что эти два типа траекторий отличаются характером их развития на начальном этапе при захвате частицы ловушкой.
Представлены результаты обработки клубней картофеля продуктами плазмы апокампического разряда. Показано, что такая обработка может снизить их контаминацию и как результат, создать благоприятные условия для формирования урожая. Для этого проведена предпосевная обработка клубней картофеля двух сортов «Гала» и «Королева Анна», которые помещались в контейнер, где зажигали апокампический разряд в воздухе атмосферного давления.
Проведены исследования воздействия положительного и отрицательного коронного разряда на семена мягкой озимой пшеницы, зараженные твердой головней, альтернариозом и гельминтоспориозом, при времени воздействия разрядом от 20 до 120 минут. Было показано, что обработка семян озимой пшеницы положительной короной оказывала более сильное обеззараживающее воздействие в сравнении с отрицательной короной. При выявленном подавлении альтернариоза и гельминтоспориоза плазмой отсутствует необходимость в применении химических протравителей семян.
При увеличении времени обработки зерна коронным разрядом зараженность зерен уменьшается.
На сегодняшний день одной из важных и актуальных задач науки электродинамики является исследование характеристик рассеяния различных электродинамических объектов со сложной формой. Среди них можно выделить полые структуры, которые входят в состав антенных систем и конструкций различных технических объектов. Их вклад в уровни электромагнитных полей в области передней полусферы может быть достаточно большим. Корректное решение характеристик рассеяния электромагнитных волн связано с использованием соответствующих математических методов. С одной стороны, они должны давать, по возможности, меньшую ошибку, с другой стороны размерность получающейся задачи должна быть такой, чтобы получить решение за относительно небольшое время. Исследованы характеристики рассеяния полых структур на основе метода интегральных уравнений. Проводится сравнение на основе методики тонкого экрана, дающее меньшее значение размерности задачи, и с учетом конечной толщины стенок. Определено значение толщины стенок, для которого возможно использование первого подхода. Представлены результаты проведенного моделирования.
Сформулирована модель массивной частицы, подверженной действию силы Ампера в неоднородном магнитном поле, позволяющая оптимизировать движение контрагированной дуги по поверхности контакта с целью его минимального повреждения.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400