Исследование спектральной характеристики чувствительности nBn фотодиодов на основе InAsSb (2023)

Рассмотрена классическая структура nBn-фотодиода, детектирующего излучение в средневолновом инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, изготовленного на основе InAsSb. Проведен расчет поглощения в гетероструктуре в каждом слое с учетом особенностей поглощения в активном слое InAsSb, таких как, эффект Бурштейна-Мосса и правило Урбаха. Проведен расчет квантовой эффективности и спектральной характеристики чувствительности с учетом многократных отражений на интерфейсах гетероструктуры и особенностей поглощения на свободных носителях в подложке GaSb. Определена оптимальная толщина активного слоя nBn-фотодиода при раз-личных значениях времени жизни неосновных носителей заряда. Показано достижение высоких значений удельной обнаружительной способности ФПУ в BLIP-режиме.

The classical structure of nBn photodiode based on InAsSb for the detection in the middle wave-length infrared (MWIR) has been considered. The optical absorption in the heterostructure at any position has been calculated taking into account the absorption features of the InAsSb ac-tive layer, such as the Burstein-Moss effect and the Urbach rule. The quantum efficiency and spectral response of the sensitivity have been calculated taking into account multiple reflections at the interfaces of the heterostructure and the features of free carrier absorption in the GaSb substrate. The optimal thickness of the nBn photodiode active layer has been determined for the various values of minority carrier lifetime. The achievement of high values of the BLIP detec-tivity of the FPA has been shown.

Тип: Статья
Автор (ы): Ковшов Владимир Сергеевич

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.0. Теория машиностроения (машиноведение). Ядерная техника
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2023-2-64-76
eLIBRARY ID
50786802
Текстовый фрагмент статьи