Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках (2024)

Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мето-
дом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы
возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии
 0,4 Дж/см2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плот-
ностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинно-
волновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции,
интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций.

Тип: Статья
Автор (ы): Олешко Владимир Иванович
Соавтор (ы): Zixuan Li

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
535.37. Люминесценция. Флуоресценция. Фосфоресценция. Их спектры
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2024-3-58-62
Текстовый фрагмент статьи