Статья: Фотоприемник с управляемой спектральной характеристикой на основе гетероструктуры n-ZnS—n-GaAs (2011)

Читать онлайн

Рассмотрены технология получения, структурные и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных слоев сульфида цинка на арсениде галлия. Показано, что спектральная характеристика изотипных гетероструктур n-ZnS—n-GaAs имеет три максимума с длинами волн 750, 450 и 335 нм. При переходе из длинноволновой области в коротковолновую область излучения и обратно происходит смена знака фотоответа. Вид спектральной характеристики изотипной гетероструктуры n-ZnS—n-GaAs зависит от знака и величины приложенного напряжения.

The technology of reception, structural and photo-electric properties of heteroepitaxial layers of such as ZnS on gallium arsenide are considered. It is shown that the spectral characteristics of the isotip n-ZnS—n-GaAs heterostructures have three maxima 750, 450 and 335 nm with lengths of waves. At transition from long-wave area in short-wave area of radiation and back there is a change of a sign on the photoanswer. The spectral characteristics of the n-ZnS—n-GaAs heterostructures depend on a sign and size of the applied volts.

Ключевые фразы: гетероэпитаксиальный слой, гетероструктура, фотоэлектрические свойства
Автор (ы): Сусляков Юрий Васильевич (Suslyakov Y. V.), Кормильцев Иван Васильевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
СУСЛЯКОВ Ю. В., КОРМИЛЬЦЕВ И. В. ФОТОПРИЕМНИК С УПРАВЛЯЕМОЙ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ N-ZNS—N-GAAS // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №3
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.