Статья: Исследование скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур GaN/AlxGa1-x N (2013)

Читать онлайн

Представлены результаты измерения скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГС), различных сочетаний слоевых конфигураций, выращенных на подложках α-Al2O3 (0001) методами МОС-гидридной или молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).

Results of measurement of speed of ionic-beam etching heterostructures AlxGa1-xN (ГС), various combinations слоевых the confi gurations formed on substrates α-Al2O3 (0001) methods MOVPE or moleculear-beam epitaxy are presented.

Ключевые фразы: AlGaN, ионное травление, p─i─n-фотодиоды, ультрафиолетовые фотодиоды, молекулярно-лучевая эпитаксия, мос-гидридная эпитаксия
Автор (ы): Болтарь Константин Олегович (Boltar K.), Зубкова Елена Николаевна, Иродов Никита Александрович, Седнев Михаил Васильевич, Смирнов Дмитрий Валентинович, Шаронов Юрий Павлович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
621.383. Фотоэлектроника
Для цитирования:
БОЛТАРЬ К., ЗУБКОВА Е. Н., ИРОДОВ Н. А., СЕДНЕВ М. В., СМИРНОВ Д. В., ШАРОНОВ Ю. П. ИССЛЕДОВАНИЕ СКОРОСТИ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР GAN/ALXGA1-X N // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2013. №4
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.