Представлены результаты измерения скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГС), различных сочетаний слоевых конфигураций, выращенных на подложках α-Al2O3 (0001) методами МОС-гидридной или молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).
Results of measurement of speed of ionic-beam etching heterostructures AlxGa1-xN (ГС), various combinations слоевых the confi gurations formed on substrates α-Al2O3 (0001) methods MOVPE or moleculear-beam epitaxy are presented.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.